[发明专利]半导体集成电路器件及其布图方法无效
| 申请号: | 200810080473.1 | 申请日: | 2008-02-19 |
| 公开(公告)号: | CN101252130A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
| 发明(设计)人: | 高桥弘行 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/10;H01L23/528;H01L21/82;H01L21/768;G06F17/50 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 一种半导体集成电路器件包括存储器宏和M(M是大于1的整数)个通道布线。存储器宏包括具有布置成矩阵的存储器单元的存储器单元阵列、连接存储器单元并在列方向上延伸的位线对,和连接位线对并包括读出放大器电路的列周边电路。M(M是大于1的整数)个通道布线被布置以在正交于位线对的行方向上延伸。禁止在列周边电路之上布置M个通道布线。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 集成电路 器件 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种带有多层布线结构的半导体集成电路器件,所述多层布线结构包括:第一组布线层和在所述第一组上设置的第二组布线层,所述半导体集成电路器件包括:存储器宏,该存储器宏包括:布置成矩阵的存储单元阵列,连接存储单元并在列方向上延伸的位线对的多个对,和具有连接位线对的读出放大器电路的列周边电路;以及一个或多个通道布线,布置成沿不平行于所述列方向的行方向延伸;其中所述一个或多个通道布线被设置在最靠近所述第一组的第二组的各层中最下面的一层中;其中布置该第二组的各层的最下面的那层以避免任意的布线分段在列周边电路上沿着所述行方向延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





