[发明专利]非挥发性半导体存储器元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810002290.8 | 申请日： | 2008-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN101231957A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 施彦豪;薛铭祥;赖二琨;吴家伟;卢棨彬;谢荣裕 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247;H01L29/78;H01L29/792;H01L29/423;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是一种非挥发性半导体存储器元件以及其制造方法。存储器元件包含：衬底、衬底上的穿隧介电膜、形成在衬底中的源极区以及漏极区，以及在每一对源极区与漏极区之间的多个分离的储存块。每一储存线块包括储存数据以及二氧化硅层。两个储存块分离至少100的间距。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 半导体 存储器 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器元件的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在该衬底上提供一穿隧介电膜；在该穿隧介电膜上方提供一电荷储存堆栈结构，其中该电荷储存堆栈结构包括一储存数据层以及覆盖该储存数据层的一薄硅层；在该电荷储存堆栈结构上提供一第二介电层；在该穿隧介电膜下方形成源极区以及漏极区；以及利用刻蚀工艺分离该电荷储存堆栈结构，以在每一对源极区与漏极区之间形成多个储存块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
