[发明专利]一种进气装置及应用该进气装置的半导体处理设备有效
| 申请号： | 200710179911.5 | 申请日： | 2007-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101465276A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 霍秀敏 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/205;H01L21/67;H01J37/32;H05H1/24;C23F4/00;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张天舒;陈 源 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于向反应腔室内喷射气体的进气装置，所述反应腔室具有腔室侧壁和腔室上盖，所述进气装置包括侧喷嘴，用以将气体从侧面喷入到所述反应腔室内。本发明还提供了一种半导体处理设备，其包括具有腔室侧壁和腔室上盖的反应腔室，并且还包括上述进气装置。本发明提供的进气装置以及应用该进气装置的半导体处理设备，能够使进入到反应腔室内的气体分布得比较均匀，并均匀地到达被加工的晶片等半导体器件的表面，从而使晶片等半导体器件表面的加工/处理速率更加均匀，进而改善对晶片等半导体器件的加工/处理结果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 装置 应用 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
1. 一种用于向反应腔室内喷射气体的进气装置，所述反应腔室具有腔室侧壁和腔室上盖，其特征在于，所述进气装置包括侧喷嘴，用以将气体从侧面喷入到所述反应腔室内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
