[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710161962.5 | 申请日： | 2004-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101174600A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 高尾幸弘 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/485;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法，可防止断线或分步敷层的劣化，具有高可靠性的BGA。在硅芯片(51A)的表面形成有焊盘电极(53)。设有自硅芯片(51A)的背面贯通硅芯片(51A)到达焊盘电极(11)的通孔(VH)，在该通孔(VH)内通过硅芯片(51A)背面的配线层(64)，和焊盘电极(53)电连接。然后，配线层(64)覆盖硅芯片(51A)背面的硅凸部(58)，并在该硅凸部(58)上的配线层(64)的部分形成焊球(66)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：焊盘电极，其被设置于半导体芯片的第一主面上；配线层，其通过自所述半导体芯片的第二主面直至所述焊盘电极而形成在所述半导体芯片上的通孔，与所述焊盘电极电连接，且自所述通孔在所述半导体芯片的第二主面上延伸；导电端子，其与所述配线层电连接。
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