[发明专利]氮化物半导体衬底、其制法及氮化物半导体发光器件用外延衬底有效
| 申请号： | 200710135923.8 | 申请日： | 2007-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101060102A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 大岛佑一 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/20;H01L33/00;C30B29/38;C30B29/40;C30B25/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 葛松生 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了即使使用具有三元以上混晶组成的氮化物系半导体也可以维持外延特性的面内均一性、确保器件的高成品率和高可靠性的氮化物系半导体衬底及其制造方法，以及使用该氮化物系半导体衬底的氮化物系半导体发光器件用外延衬底。在直径25mm以上的异种衬底上，外延生长厚度2mm以下的具有三元以上混晶组成的氮化物系半导体晶体，然后除去异种衬底，得到厚度方向的热阻值为0.02～0.5Kcm2/W以下的氮化物系半导体衬底。在该氮化物系半导体衬底上外延生长由氮化物系半导体构成的发光层，成为氮化物系半导体发光器件用外延衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 衬底 制法 发光 器件 外延 | ||
【主权项】：
1.氮化物系半导体衬底，该衬底的直径为25mm以上，由具有三元以上混晶组成的氮化物系半导体晶体构成，其特征在于，厚度方向的热阻值是0.02～0.5Kcm2/W。
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