[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200710088630.9 | 申请日： | 2007-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101174601A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 曹佩华;江浩然;牛保刚;林亮臣;刘忆台 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中该半导体装置包括：半导体基底，其上方形成有接合焊盘与第一保护层，该第一保护层具有开口于其中，该开口露出该接合焊盘的一部分；金属焊盘层，形成于该接合焊盘的一部分的上方，其中该金属焊盘层接触该接合焊盘；第二保护层，形成于该金属焊盘层上方，该第二保护层具有开口于其中，并露出该金属焊盘层的一部分；图案化的聚亚酰胺层，形成于该金属焊盘层的一部分与该第二保护层的一部分的上方；导电层，形成于该图案化的聚亚酰胺层的一部分与该金属焊盘层的一部分的上方，其中该导电层接触该金属焊盘层；以及导电凸块结构，连接至该导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：半导体基底，其上方形成有接合焊盘与第一保护层，该第一保护层具有开口于其中，该开口露出该接合焊盘的一部分；金属焊盘层，形成于该接合焊盘的一部分的上方，其中该金属焊盘层接触该接合焊盘；第二保护层，形成于该金属焊盘层上方，该第二保护层具有开口于其中，并露出该金属焊盘层的一部分；图案化的聚亚酰胺层，形成于该金属焊盘层的一部分与该第二保护层的一部分的上方；导电层，形成于该图案化的聚亚酰胺层的一部分与该金属焊盘层的一部分的上方，其中该导电层接触该金属焊盘层；以及导电凸块结构，连接至该导电层。
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