[发明专利]封装导电结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200710084093.0 | 申请日： | 2007-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101246865A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 齐中邦 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹县新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是一种用于半导体基材的封装导电结构及其制造方法，该封装导电结构包含一凸块下金属层覆盖于半导体基材的衬垫上，然后于凸块下金属层上设置至少一辅助件，再覆盖一凸块导电层，最后再设置一凸块于凸块导电层上。借此，该凸块可通过凸块下金属层及凸块导电层，与半导体基材的衬垫电性连接，并提供较佳的接合缓冲能力及导电性质。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 导电 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种封装导电结构，用于一半导体基材，该半导体基材上包含一衬垫，该封装导电结构包含：一凸块下金属层，与该半导体基材的衬垫电性连接；至少一辅助件，设置于该凸块下金属层上；一凸块导电层，覆盖于该凸块下金属层及该至少一辅助件；以及一凸块，设置于该凸块导电层上；借此，该凸块通过该凸块导电层及该凸块下金属层，可与该半导体基材的衬垫电性连接。
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