[发明专利]半导体结构、半导体晶片及其制造方法无效
| 申请号： | 200610169067.3 | 申请日： | 2006-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101075588A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 郑心圃;赵智杰;卢思维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/00;H01L21/02;H01L21/822 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有应力调整层的集成电路及其制造方法，可以避免晶片翘曲及破损。该具有应力调整层的集成电路的制造方法包括：提供具有第一表面及第二表面的半导体基板，其中该半导体基板的厚度大体小于150μm；形成多个膜层于该基板的第一表面，该多个膜层在该半导体基板上施加应力；以及，在该第一表面及第二表面其中之一上形成应力调整层，并补偿或平衡该多个膜层施加在半导体晶片上的该应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：半导体基板，其厚度小于150μm，其中该半导体基板具有第一表面及第二表面；应力调整层，其形成在该基板的第一及第二表面其中之一上，来补偿或平衡该半导体基板的应力；以及，多个接合垫，其形成在上述第一表面上。
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