[发明专利]半导体封装及其制造方法无效

专利信息
申请号: 01125458.0 申请日: 2001-07-07
公开(公告)号: CN1333560A 公开(公告)日: 2002-01-30
发明(设计)人: 伊藤睦祯 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L23/02;H01L23/48;H01L23/28;H01L21/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 梁永
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种能够在密封树脂上装载焊球以便减小封装面积的半导体封装,以及这种半导体封装的制备方法。实施该方法的装置包括第一绝缘衬底5,承载用于安装半导体器件2的安装部位3和与半导体器件2电连接的第一导电图形4;围绕第一绝缘衬底的安装部位向上形成的侧壁段6;由第一绝缘衬底5和侧壁段限定的空腔7,当半导体器件2安装在安装部位3时由密封树脂12密封;和第二绝缘衬底10,设置在空腔和侧壁段上并且承载第二导电图形31,第二导电图形31通过形成在侧壁段6中的金属化通孔26与第一导电图形4电连接。在第二绝缘衬底10的一个整个表面上按栅格方式设置焊料焊盘9。
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体封装,包括:第一绝缘衬底,承载用于安装半导体器件的安装部位和与所述半导体器件电连接的第一导电图形;围绕所述第一绝缘衬底的所述安装部位向上形成的侧壁段;由所述第一绝缘衬底和侧壁段限定的空腔,当所述半导体器件安装在所述安装部位时由树脂密封;和第二绝缘衬底,设置在所述空腔中和所述侧壁段上并且承载第二导电图形,所述第二导电图形通过形成在所述侧壁段中的通孔与所述第一导电图形电连接;其中至少在所述第一绝缘衬底的一个表面上的所述空腔中设置焊料焊盘。
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