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[发明专利]具有变化阈值电压的半导体装置及其制造方法-CN201710106827.4有效
发明人：巴拉·坎南;光允;西德斯·克里斯南;安藤孝;夫亚·纳拉瓦纳恩 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有变化阈值电压的半导体装置及其制造方法，其提供半导体装置制造方法，包括：设置结构，该结构具有至少一个区域并包括设于衬底上方的介电层；在该介电层上方形成包括阈值电压调整层的多层堆叠结构，该多层堆叠结构包括位于该至少一个区域的第一区域中的第一阈值电压调整层、以及位于该至少一个区域的第二区域中的第二阈值电压调整层；以及退火该结构以定义该至少一个区域的变化阈值电压，该退火促进至少一个阈值电压调整种类自该第一阈值电压调整层及该第二阈值电压调整层扩散进入该介电层中，其中，该第一区域的阈值电压独立于该第二区域的该阈值电压。
具有变化阈值电压半导体装置及其制造方法

[发明专利]草铵膦P游离酸的制造方法-CN201280046392.4有效
发明人：中西希;安藤孝;箕轮宣人;三富正明 -专利权人：明治制果药业株式会社
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C07F9/30 文献下载
摘要：本发明提供一种从草铵膦P盐酸盐制造高纯度的草铵膦P游离酸的结晶的方法。提供一种方法，其包含以下工序：将草铵膦P盐酸盐溶解于下述溶剂中，添加碱进行中和之后，将草铵膦P游离酸结晶化，所述溶剂是水与选自甲醇、乙醇、丙醇或异丙醇中的醇的混合溶剂，并且水与醇的比率为1：3～1：100。
草铵膦游离制造方法

[发明专利]生产啶南平衍生物的方法-CN201080065119.7有效
发明人：福田芳正;安藤孝;后藤公彦;中西希;渡边尚志;栗原健一;箕轮宣人;三富正明 -专利权人：明治制果药业株式会社
申请日： 2010-11-10 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： C07D493/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种有效生产在1-位和11-位具有酰氧基且在7-位具有羟基的啶南平衍生物的方法。该方法包括如下步骤：在碱存在和不存在下通过1-3步用酰化剂使由式(B1)表示的化合物的1-位和11-位的羟基选择性酰化。
生产南平衍生物方法

[发明专利]N－取代－2－氨基－4－(羟基甲基氧膦基)－2－丁烯酸的制造方法-CN201180008851.5有效
发明人： 安藤孝;箕轮宣人;三富正明 -专利权人：明治制果药业株式会社
申请日： 2011-06-14 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C07F9/30 文献下载
摘要：本发明提供高效地制造(Z)－N－取代－2－氨基－4－(羟基甲基氧膦基)－2－丁烯酸衍生物的方法。提供了通过使下式(1)所示的化合物与下式(2)所示的化合物在存在或不存在酸催化剂的条件下进行脱水缩合，来制造(Z)－N－取代－2－氨基－4－(羟基甲基氧膦基)－2－丁烯酸衍生物的方法，所述方法是在下述条件下通过加热回流来实施的，所述条件是：反应中使用的有机溶剂为乙酸与选自甲苯、二甲苯和氯苯中的溶剂的混合溶剂，其混合比率是，相对于乙酸1体积，其它溶剂为3～5体积。，式中，R¹表示氢原子、C_1－4烷基]H₂N——COR² (2)；式中，R²表示C_1-4烷基、C_1－4烷氧基、芳基、芳氧基或苄氧基。
取代氨基羟基甲基氧膦基丁烯制造方法

[发明专利]生产啶南平衍生物的方法-CN201080011214.9有效
发明人：福田芳正;安藤孝;后藤公彦;中西希;渡边尚志;栗原健一;箕轮宣人;三富正明 -专利权人：明治制果药业株式会社
申请日： 2010-05-12 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C07D405/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种有效生产在1-位和11-位具有酰氧基且在7-位具有羟基的啶南平衍生物的方法。该方法包括如下步骤：在碱存在和不存在下通过1-3步用酰化剂使由式(B1)表示的化合物的1-位和11-位的羟基选择性酰化。
生产南平衍生物方法

[发明专利]生产pyripyropene衍生物的方法及其生产中间体-CN200880111145.1有效
发明人：后藤公彦;山本一美;坂井政世;三富正明;安藤孝 -专利权人：明治制果株式会社
申请日： 2008-08-13 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： C07D493/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种生产由下式C表示的化合物C的方法。C[在该式中，R’表示线性、支化或环状C_2-6烷基羰基。]在该方法中，R_1b用作在7-位的羟基的保护基[R_1b表示甲酰基，任选被取代的线性C_1-4烷基羰基，任选被取代的苄基，可被卤素原子取代的基团-SiR₃R₄R₅(其中R₃、R₄和R₅独立地表示线性或支化C_1-6烷基或苯基)，可被卤素原子取代的C_1-6烷氧基-C_1-6烷基，可被卤素原子取代的C_1-6烷硫基-C_1-6烷基，可被卤素原子取代的线性、支化或环状C_1-4烷基(当呈支化或环状时，它为C_3-4烷基)，可被卤素原子取代的C_2-6链烯基，可被卤素原子取代的C_2-6炔基，或任选被取代的饱和或不饱和的五元或六元杂环基]。该方法能够以高产率生产在1-位和11-位具有酰氧基且在7-位具有羟基的pyripyropene衍生物。该pyripyropene衍生物用作害虫防治试剂。
生产 pyripyropene 衍生物方法及其中间体

[发明专利]具有双金属栅极的半导体器件以及制造方法-CN201010004777.7有效
发明人：权彦五;S·A·克里施南;安藤孝;M·P·胡齐克;M·M·弗兰克;W·K·汉森;R·杰哈;梁越;V·纳拉亚南;R·拉马钱德兰;K·K·H·黄 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有双金属栅极的半导体器件以及制造方法。一种半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述衬底上的PFET，所述PFET包括设置在所述衬底上的SiGe层、设置在所述SiGe层上的高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第一中间层、设置在所述第一中间层上的第二金属层、设置在所述第二金属层上的第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的第三金属层；形成在所述衬底上的NFET，所述NFET包括设置在所述衬底上的所述高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的所述第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的所述第三金属层。可选地，省去所述第一金属层。一种制造该器件的方法包括提供SiO2和α-Si层或dBARC层。
具有双金属栅极半导体器件以及制造方法

[发明专利]2－位取代碳青霉烯衍生物的中间体及其制备方法-CN200810081591.4无效
发明人：佐佐木锐郎;安藤孝;山本康生;今井贵弘;窪田大;野口胜彦;堀伸行;设乐永纪;渥美国夫;安田昌平 -专利权人：明治制果株式会社
申请日： 2003-12-15 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： C07D513/04 文献下载
摘要：本发明涉及2－位取代碳青霉烯衍生物的中间体及其制备方法，特别是下式(14)的化合物及其制备方法，其中X代表卤原子。
取代青霉衍生物中间体及其制备方法

[发明专利]2位硫乙烯基系碳青霉烯衍生物-CN200680020785.2无效
发明人：丸山贵久;狩野优子;安藤孝;佐佐木锐郎;泽边岳彦;马场信吉;高田浩巳;铃木尚;粟饭原一弘;藤田俊树 -专利权人：明治制果株式会社
申请日： 2006-04-12 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： C07D477/00 文献下载
摘要：根据本发明，可以提供式(I)的2－乙烯基硫系碳青霉烯衍生物或者其药学上可接受的盐。本发明的化合物对包括抗青霉素的肺炎链球菌(PRSP)的肺炎链球菌、包括β－内酰胺酶非产生性抗氨苄青霉素流感嗜血杆菌(BLNAR)的流感嗜血杆菌、卡他莫拉菌等，具有高抗菌活性和广抗菌谱。
乙烯基青霉衍生物

[发明专利]调香方法和调香器-CN200580047186.5无效
发明人： 安藤孝;秋山信;庄下直孝;清水哲也 -专利权人：米兰普洛机械电子有限公司
申请日： 2005-09-27 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： A61M21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种不需要复杂的控制方法及大型装置、采用了新的气味的混合方式的廉价且使用方便性良好的调香方法和调香器。该调香器包括：生成空气的空气泵(2)、收纳香料并储存将所述空气吹到该香料中而产生的气味的六个要素气味瓶(5a－5f)、以及控制导入该要素气味瓶的空气的六个电磁阀(4a－4f)，在以特定的混合比对在所述六个要素气味瓶内所产生的多种气味进行混合之际，所述混合比由连接在所述六个要素气味瓶的所述六个电磁阀每一秒钟的开关次数或者开关时间来决定，并且所述开关次数或者开关时间的比与所述混合比一致。
方法调香器

[发明专利]元件空吸方法-CN200610100691.8无效
发明人：铃木秀生;井上守;安藤孝 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1997-02-26 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H05K13/02 文献下载
摘要：本发明提供一种元件空吸方法，包括：降低一个具有底面的吸嘴到吸取位置，在该吸取位置上，所述吸嘴的底面与具有元件存放区或者孔穴的带的上表面间隔开；在所述吸嘴位于该吸取位置上时，利用所述吸嘴吸取容放在所述元件存放区或者孔穴内的元件；其中，所述吸嘴的底面的尺寸能够使该底面的外周的投到该带的上表面上的投影基本上完全包围所述元件存放区或者孔穴。在本发明方法中，还可以从所述带上除去覆盖所述孔穴的覆盖薄膜，所述吸嘴的降低是在除去所述覆盖薄膜后进行的。
元件方法

[发明专利]结晶卡巴培南中间体-CN200480016928.3无效
发明人：粟饭原一弘;长谷川俊文;北原进一;渡边尚志;安藤孝;泽边岳彦;设乐永纪;渥美国夫;太田和美 -专利权人：明治制果株式会社
申请日： 2004-06-18 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： C07F19/00 文献下载
摘要：本发明涉及式(I)表示的化合物(其中TBS表示叔丁基二甲基甲硅烷基且Ph表示苯基)或其盐或溶剂合物的晶体。式(I)化合物是可用作抗菌剂的2－取代－1β－甲基卡巴培南化合物的中间体。该晶体具有优异的操作性能。由该晶体可以更容易地制备具有优异抗菌活性的卡巴培南化合物。该化合物的产率和纯度可进一步提高。
结晶卡巴培南中

[发明专利]2－位取代碳青霉烯衍生物的中间体及其制备方法-CN200380109696.1无效
发明人：佐佐木锐郎;安藤孝;山本康生;今井贵弘;窪田大;野口胜彦;堀伸行;设乐永纪;渥美国夫;安田昌平 -专利权人：明治制果株式会社
申请日： 2003-12-15 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： C07D513/04 文献下载
摘要：本发明涉及右式(1)代表的化合物及其制备方法。从这些化合物可以以安全和廉价的方式制备生产具有出色的抗菌活性和有效地抵抗广细菌谱的碳青霉烯衍生物。在该式中R¹代表氢或羟基的保护基团，R²代表氢、羧基的保护基团或羧酸阴离子，Z¹和Z²一起代表氧原子或羰基的保护基团，或者Z¹和Z²之一代表氢原子而另一个代表羟基或受保护的羟基，Y代表氧原子或基团P(R³)₃，其中可以相同或不同的R³代表可选地被卤原子取代的C1－6烷基，或者可选地被卤原子或C1－6烷基取代的芳基，其中所述烷基可被卤原子取代。
取代青霉衍生物中间体及其制备方法

[发明专利]元件组件-CN200510060148.5无效
发明人：铃木秀生;井上守;安藤孝 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1997-02-26 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H05K13/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括一带状基体的元件组件，它包括一带状基体(9a、51、71、121)，带状基体沿其纵向具有许多元件存放区(9c、51a、61a、71a、122)，其中：在带状基体中设一空气通路，用以使空气在吸嘴(7、81、91、111、123)真空吸取一存放在元件存放区内的元件时进入元件存放区。
元件组件

[发明专利]零件供应装置-CN200510004002.9无效
发明人：远藤真一郎;安藤孝;藤原弘之;长泽雄二;今野宏则;今川宏明;平井弥 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2001-06-29 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： H05K13/02 文献下载
摘要：提供一种供应带状的零件托架的装置(101)。零件托架(102)的一面具有收容零件的内腔(116)。第一和第二导向板(106、107)导向零件托架的一面。可动板(109)配置在第一和第二导向板之间，移动在第一位置和第二位置之间，第一位置位于第一导向板附近并形成零件取出区域(111)，第二位置位于第二导向板附近。可动板(109)具有拉伸部(112)。这个拉伸部(112)在可动板位于第一位置时，在零件托架一面附近至少沿着零件托架长度方向的边缘压住可动板与第二导向板之间的零件(102)。
零件供应装置

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