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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包含LDMOS晶体管的半导体器件-CN202310937332.1在审
发明人：肖莉红;司伟 -专利权人： 荣芯半导体（淮安）有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含LDMOS晶体管的半导体器件。所述半导体器件中，所述LDMOS晶体管包括由构成多晶硅栅极的多晶硅条沿宽度方向扩展至漂移区场氧化层表面形成的场极板，并且，第一栅极金属接触对应于所述场极板形成于所述多晶硅条顶表面，栅电压通过所述第一栅极金属接触施加在所述场极板和所述多晶硅栅极上，对于多晶硅栅极和场极板的控制能力较强，可以有效控制场极板下方的漂移区表面电场，使漂移区的表面电场得到有效弱化，能够优化表面电场分布，有利于提高LDMOS晶体管的击穿电压以及降低导通电阻，有助于提高LDMOS晶体管的综合性能。
包含 ldmos 晶体管半导体器件

[发明专利]一种半导体结构及其形成方法、相关器件-CN202310677969.1在审
发明人：肖莉红;何京涛 -专利权人： 荣芯半导体（淮安）有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法、相关器件，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成标记凹槽；在所述标记凹槽的侧壁和底部形成外延阻挡层；在所述衬底朝向所述标记凹槽一侧形成覆盖所述衬底表面的外延层，所述外延层选择性形成在所述衬底的表面，且选择性避开所述外延阻挡层的表面；其中，所述标记凹槽两侧的外延层相接或不相接，在所述标记凹槽两侧的外延层相接时，相接部分的所述外延层具有与所述标记凹槽位置对应的凹陷，所述凹陷的底部高于衬底表面；以所述标记凹槽或所述外延层上的凹陷为零层标记，形成器件层结构。所述方法提高了器件性能。
一种半导体结构及其形成方法相关器件

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202311009356.7在审
发明人：张玉廷;肖莉红;司伟 -专利权人： 荣芯半导体（淮安）有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区和位于所述有源区之间的隔离区；在所述半导体衬底上形成图案化的掩膜层，所述掩膜层具有对应于所述隔离区的窗口；以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底的所述隔离区中形成深沟槽隔离结构；对所述深沟槽隔离结构的底部进行横向扩展。本发明实施例的半导体器件及其制造方法将深沟槽隔离结构的底部进行横向扩展，能够提高深沟槽隔离结构的隔离长度，提高隔离效果，并降低工艺难度。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种晶圆清洗设备-CN202310886685.3在审
发明人：王皓;阚保国;夏林华;陈伏宏;刘伟杰;刘洪浩;钱东;顾保荣;姚俊龙;蔡嘉辉 -专利权人： 荣芯半导体（淮安）有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆清洗设备，包括：清洗槽，所述清洗槽内包括清洗液，用于清洗晶圆；抽风口档板，设置在所述清洗槽上方的抽风口处，以避免所述抽风口直接对着晶圆抽气；槽区挡板，围绕所述清洗槽的槽口设置，以避免所述清洗槽上方的气体串流。根据本发明提供的晶圆清洗设备，通过在清洗槽上方的抽风口处设置抽风口挡板，避免抽风口直接对着晶圆抽气，从而避免了晶圆快速风干表面形成局部氧化，通过围绕清洗槽的槽口设置槽区挡板，避免了不同类型的酸气在槽区之间横向串流，通过共同设置抽风口挡板和槽区挡板改变了晶圆清洗设备槽区内循环风场环境，提高了产品良率。
一种清洗设备

[发明专利]MIM电容及其制备方法-CN202310988889.8在审
发明人：朱苗 -专利权人： 荣芯半导体（淮安）有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MIM电容及其制备方法，所述方法包括：提供基底，所述基底上形成有第一电极层和覆盖所述第一电极层的绝缘层；在所述绝缘层上沉积形成第二电极层，所述第二电极层包括覆盖所述绝缘层的种子层和位于所述种子层上的第一子电极层。通过本发明的方法，可以使得种子层与绝缘层接触的面更加平整，减少绝缘层接触的第二电极层中的尖端晶粒。
mim 电容及其制备方法

[发明专利]一种半导体结构、形成方法及相关器件-CN202310674827.X在审
发明人：肖莉红 -专利权人： 荣芯半导体（淮安）有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体结构、形成方法及相关器件，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成标记凹槽；在所述标记凹槽的侧壁和底部形成反光层；在所述衬底朝向所述标记凹槽一侧形成覆盖所述衬底表面的外延层；以所述标记凹槽内的反光层为标记，在所述衬底的正面和/或背面套刻所述标记凹槽，形成器件功能层。本发明实施例能够同时提升晶面和晶背工艺的套刻精度，提高光刻对准效果，进而提高半导体器件的良率。
一种半导体结构形成方法相关器件

[发明专利]对准标记版图及其操作方法-CN202211697705.4在审
发明人：李泽逵;顾中良;王婷;刘盼;张健 -专利权人： 荣芯半导体（淮安）有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种对准标记版图及其操作方法，所述对准标记版图包括：多个呈旋转对称的子标记，每个子标记包含当前层子标记以及参考层子标记；其中，所述当前层子标记包含平行分布的若干条当前层条形标记，且存在至少一条当前层条形标记的长度大于其他当前层条形标记，每条当前层条形标记的宽度为当前层的关键尺寸线宽，相邻的当前层条形标记之间的距离为所述当前层的关键尺寸间距；所述参考层子标记包含平行分布的若干条参考层条形标记，且存在至少一条参考层条形标记的长度大于其他参考层条形标记。本发明可以采用同一对准标记实现多种对准、测量功能，从而提高空间利用率。
对准标记版图及其操作方法

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