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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211616740.9在审
发明人： 赵南奎;金锡勋;柳廷昊;李峭蒑;朴判贵;申东石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一有源图案；第一沟道图案，所述第一沟道图案位于所述第一有源图案上，并且包括彼此间隔开并且垂直堆叠的第一半导体图案、第二半导体图案和第三半导体图案；第一源极/漏极图案，所述第一源极/漏极图案连接到所述第一半导体图案至所述第三半导体图案；以及栅电极，所述栅电极位于所述第一半导体图案至所述第三半导体图案上。所述第一源极/漏极图案包括朝向所述第一半导体图案突出的第一突起、朝向所述第二半导体图案突出的第二突起、以及朝向所述第三半导体图案突出的第三突起。所述第二突起的宽度大于所述第一突起的宽度。所述第三突起的宽度大于所述第二突起的宽度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]多栅极半导体器件-CN202211712947.6在审
发明人： 赵南奎;金锡勋;李相吉;朴判贵 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一有源图案，第一有源图案具有第一下图案和在第一下图案上的第一片图案。第一栅极结构包括第一栅电极。第二有源图案包括第二下图案。第二片图案在第二下图案上。第二栅极结构包括围绕第二片图案的第二栅电极。第一源极/漏极凹陷在相邻的第一栅极结构之间。第二源极/漏极凹陷在相邻的第二栅极结构之间。第一源极/漏极图案沿着第一源极/漏极凹陷延伸。第一硅锗填充膜在第一硅锗衬垫上。第二源极/漏极图案包括沿着第二源极/漏极凹陷延伸的第二硅锗衬垫。第二硅锗填充膜在第二硅锗衬垫上。
栅极半导体器件

[发明专利]集成电路装置-CN201810253757.X有效
发明人： 赵南奎;林青美;成金重;李承勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种集成电路装置包括：第一鳍有源区，在与衬底的顶表面平行的第一方向上延伸；第二鳍有源区，在所述第一方向上延伸且在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一鳍有源区间隔开；栅极线，与所述第一鳍有源区及所述第二鳍有源区交叉；第一源极/漏极区，在所述第一鳍有源区中位于所述栅极线的一侧；以及第二源极/漏极区，在所述第二鳍有源区中位于所述栅极线的一侧且面对所述第一源极/漏极区，其中所述第一源极/漏极区的与所述第一方向垂直的横截面相对于所述第一源极/漏极区在所述第二方向上的中心线具有不对称形状，所述中心线在与所述衬底的所述顶表面垂直的第三方向上延伸。
集成电路装置

[发明专利]半导体装置-CN202211241779.7在审
发明人：许洋;赵南奎;金锡勳;金容丞;朴判貴;申东石;李相吉;李始炯 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个鳍式图案，在基底上在第一方向上彼此间隔开并在第二方向上延伸；场绝缘层，覆盖多个鳍式图案的侧壁并设置在鳍式图案之间；源极/漏极图案，在场绝缘层上连接到多个鳍式图案，源极/漏极图案包括分别连接到鳍式图案的底表面和将底表面彼此连接的至少一个连接表面；以及密封绝缘图案，沿着源极/漏极图案的连接表面和场绝缘层的上表面延伸，其中，源极/漏极图案包括掺杂有p型杂质的硅锗图案。
半导体装置

[发明专利]制造包括不同的阻挡层结构的半导体装置的方法-CN201910240455.3有效
发明人： 赵南奎;金国桓;金仅祐;朴正敏;宋珉宇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种制造包括不同的阻挡层结构的半导体装置的方法。所述方法可包括：在基底的第一区、第二区和第三区上形成第一导电层；在第一导电层上形成阻挡层，阻挡层包括顺序地形成的第一阻挡层、第二阻挡层和牺牲层；在阻挡层上顺序地形成第二导电层和第三导电层；执行第一蚀刻工艺以从第二区和第三区去除第三导电层，第三导电层在第一蚀刻工艺之后保留在第一区上；以及执行第二蚀刻工艺以从第三区去除第二导电层，第二导电层在第二蚀刻工艺之后保留在第一区和第二区上。
制造包括不同阻挡结构半导体装置方法

[发明专利]半导体器件-CN202210979114.X在审
发明人：许洋;赵南奎;金锡勋;金容丞;朴判贵;申东石;李相吉;李始炯 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：可以提供一种半导体器件，其包括：第一鳍形图案，在衬底的第一区域中并在第一方向上彼此间隔开；第二鳍形图案，在衬底的第二区域中并在第二方向上彼此间隔开；第一场绝缘膜，在衬底上并覆盖第一鳍形图案的侧壁；第二场绝缘膜，在衬底上并覆盖第二鳍形图案的侧壁；第一源极/漏极图案，在第一场绝缘膜上、连接到第一鳍形图案并包括第一硅锗图案；以及第二源极/漏极图案，在第二场绝缘膜上、连接到第二鳍形图案并包括第二硅锗图案，第二源极/漏极图案和第二场绝缘膜在其间限定一个或更多个第一气隙。
半导体器件

[发明专利]压缩机及使用该压缩机的电子装置-CN201911134853.3有效
发明人：赵成海;金垠锡;朴正焄;徐钟天;赵南奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： F04C29/12 文献下载
摘要：公开了一种压缩机及使用该压缩机的电子装置，在压缩机中，吸入引导件设置在壳体的气体吸入管与压缩单元的入口之间。压缩机包括：压缩单元，包括用于吸入气体的入口，并且被构造为压缩吸入的气体；壳体，被构造为容纳压缩单元；以及吸入引导件，包括用于将气体从壳体的外部引导到入口的通道，其中，压缩单元包括从入口的边缘延伸的第一表面，吸入引导件包括从通道的风口的边缘延伸的第二表面并且设置在壳体的内部区域中以使第一表面与第二表面彼此面对，并且第一表面的外端和第二表面的内端沿着压缩机的轴线方向不重叠或者第一表面的内端和第二表面的外端沿着压缩机的轴线方向不重叠。
压缩机使用电子装置

[发明专利]涡旋式压缩机-CN202010354852.6有效
发明人：朴正焄;赵成海;徐钟天;赵南奎;金道贤;全柾昱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： F04C18/02 文献下载
摘要：本公开提供一种涡旋式压缩机，所述涡旋式压缩机包括：主体；盖，用于将所述主体分为低压段和高压段；定涡盘，包括第一排放口；动涡盘，相对于所述定涡盘旋转并且与所述定涡盘一起形成压缩室；排放引导件，设置在所述定涡盘与所述盖之间并且包括连接到所述第一排放口的第二排放口；以及背压致动器，被构造为与所述排放引导件一起形成背压室并且相对于所述排放引导件沿着朝向所述盖的方向运动，以使所述第二排放口与所述高压段选择性地连接。所述定涡盘包括：旁通流动路径，使所述压缩室和所述第二排放口连接；以及旁通阀，用于打开或关闭所述旁通流动路径。
涡旋式压缩机

[发明专利]涡旋压缩机-CN201880056798.8有效
发明人： 赵南奎;金良善;朴正焄;李宗垠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： F04C18/02 文献下载
摘要：公开了一种涡旋压缩机，其能够防止制冷剂的回流并降低流动噪音。涡旋压缩机有效地将吸入涡旋压缩机的制冷剂分配到压缩室和驱动单元。涡旋压缩机包括：主体；固定地安装在主体内的固定涡旋件；配置成与固定涡旋件接合并执行相对于固定涡旋件的绕动运动并且与固定涡旋件形成压缩室的绕动涡旋件；设置在固定涡旋件上方以将主体内部分隔成低压部分和高压部分的分隔板；安装在固定涡旋件的排放口处以打开和关闭排放口的第一止回阀；以及安装在分隔板上以打开和关闭允许低压部分和高压部分之间连通的开口的第二止回阀。
涡旋压缩机

[发明专利]半导体器件-CN201710748871.5有效
发明人：金东宇;李炫姃;金善政;李承勋;朴金锡;赵南奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括鳍型有源区、纳米片、栅极、源极/漏极区和绝缘间隔物。鳍型有源区从衬底突出并在第一方向上延伸。纳米片与鳍型有源区的上表面间隔开并包括沟道区。栅极在鳍型有源区之上。源极/漏极区连接到纳米片。绝缘间隔物在鳍型有源区上以及在纳米片之间。气隙基于绝缘间隔物的位置在绝缘间隔物与源极/漏极区之间。
半导体器件

[发明专利]包含异噁唑啉环的吡啶类化合物及其作为除草剂的用途-CN201780040388.X有效
发明人：高荣宽;金恩爱;李一永;丘桐完;柳在旭;延圭焕;廉炫晳;林熙南;李昭泳;朴赞容;郭美英;具石镇;黄基焕;金成宪;林钟秀;李东国;郑瑾会;赵南奎;南晙浩 -专利权人：牧牛研究所株式会社;韩国化学研究院
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C07D413/04 文献下载
摘要：本发明涉及化合物，其为选自由化学式1表示的包含异噁唑啉环的吡啶类化合物及其农药学上可接受的盐中的任一种化合物；除草剂，其包含所述化学式1的化合物、其农药学上可接受的盐或它们的混合物作为有效成分；以及制备由化学式1表示的包含异噁唑啉环的吡啶类化合物的方法，其通过由化学式2及化学式3表示的化合物的反应来制备。
包含异噁唑啉环吡啶化合物及其作为除草剂用途

[发明专利]半导体装置-CN202010267941.7在审
发明人：李相吉;赵南奎;金锡勳;文康薰;刘贤琯;李時炯 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一有源图案，在基底的有源区域上在第一方向上延伸；第一源极/漏极图案，位于第一有源图案的上部上的凹部中；栅电极，横跨第一有源图案的上部上的第一沟道图案延伸并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及有源接触件，电连接到第一源极/漏极图案。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN201910594266.6在审
发明人： 赵南奎;金锡勋;姜明一;慎居明;李承勋;李正允;崔珉姬;崔正鍲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的有源鳍；沿第二方向延伸并与有源鳍交叉的栅电极；在栅电极的两个侧壁上的栅极间隔层；以及在栅电极的至少一侧的有源鳍的凹陷区域中的源极/漏极区域。源极/漏极区域可以包括基层，该基层与有源鳍接触并且具有在凹陷区域的内侧壁上在第一方向上彼此相对的内端和外端。源极/漏极区域可以包括基层上的第一层。第一层可以包括浓度高于基层中包括的锗(Ge)的浓度的锗(Ge)。基层的外端可以与第一层接触，并且可以具有在平面上朝向栅电极的外部凸出的形状。
栅电极源极/漏极区域第一层凹陷区域方向延伸基层外端半导体器件栅极间隔层彼此相对内侧壁凸出的侧壁衬底内端外部

[发明专利]半导体器件-CN201910603071.3在审
发明人：崔珉姬;金锡勋;李峭蒑;赵南奎;李承勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：包括有源图案的衬底；跨越有源图案的栅电极；源极/漏极图案，与栅电极的一侧相邻并且在有源图案的上部；电连接到源极/漏极图案的有源接触；以及在源极/漏极图案与有源接触之间的硅化物层，源极/漏极图案包括包含多个半导体图案的主体部以及在主体部上的盖图案，主体部具有第一面、在第一面上的第二面、以及限定在第一面与第二面相交之处的拐角边缘，拐角边缘平行于衬底延伸，盖图案覆盖主体部的第二面并暴露拐角边缘，硅化物层覆盖主体部的顶表面和盖图案的顶表面。
源极/漏极图案主体部拐角边缘第二面源图案硅化物层顶表面源接触栅电极衬底半导体器件半导体图案覆盖主体部图案覆盖电连接平行相交暴露延伸

[发明专利]半导体器件-CN201910630460.5在审
发明人：李峭蒑;金锡勋;李相吉;赵南奎;崔珉姬;李承勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：鳍式有源区，其在衬底上沿着与衬底的上表面平行的第一方向延伸；和源极/漏极区，其在延伸到鳍式有源区内的凹陷区内，其中，源极/漏极区包括：第一源极/漏极材料层；在第一源极/漏极材料层上的第二源极/漏极材料层；和在第一源极/漏极材料层和第二源极/漏极材料层之间的界面上的第一掺杂物扩散阻挡层。
源极/漏极材料层源极/漏极区衬底半导体器件掺杂物扩散鳍式有源区方向延伸上表面阻挡层凹陷鳍式平行延伸

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