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[发明专利]包括上部圆顶的半导体工艺室-CN201810567895.5有效
发明人：朴金锡;金傔;金利桓;金善政;朴判贵;柳廷昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：半导体工艺室包括基座、围绕基座的基底板、在基底板的内侧壁上的衬垫、以及在基座与基底板之间且与基座共面的预热环。工艺室还包括联接到基底板并覆盖基座的上表面的上部圆顶。上部圆顶包括在基底板的上表面上的第一部分和从第一部分延伸并交叠基座的第二部分。第一部分包括在基底板的上表面上的第一区域、从第一区域延伸超过基底板的第二区域、以及从第二区域以减小的厚度延伸以接触第二部分的第三区域。
包括上部圆顶半导体工艺

[发明专利]衬底处理装置及制造半导体器件的方法-CN201810214417.6有效
发明人：朴金锡;金善政;金利桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开一种衬底处理装置以及一种制造半导体器件的方法，所述衬底处理装置包括：晶片夹盘，在晶片夹盘上放置有衬底；注入器单元，位于晶片夹盘的一侧并注入工艺气体，所述工艺气体包括第一气体及第二气体；以及气体供应单元，向注入器单元供应工艺气体。气体供应单元包括：第一气体供应源及第二气体供应源，分别容纳第一气体及第二气体；第一气体供应管线及第二气体供应管线，分别将第一气体供应源及第二气体供应源连接到注入器单元；以及第一加热单元及第二加热单元，分别设置在第一气体供应管线及第二气体供应管线上。设置在第一气体供应管线上的第一加热单元的每单位长度上的密度比设置在第二气体供应管线上的第二加热单元的每单位长度上的密度大。
衬底处理装置制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件和制造其的方法-CN201811062733.2有效
发明人：徐东灿;李商文;金利桓;宋宇彬;申东石;李承烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法和一种半导体器件，该方法包括：在衬底上形成有源图案，使得有源图案包括交替地且重复地堆叠在衬底上的牺牲图案和半导体图案；以及通过执行氧化工艺，在每个牺牲图案的两侧形成第一间隔物图案，其中第一间隔物图案对应于每个牺牲图案的氧化部分，其中牺牲图案包括包含杂质的第一半导体材料，其中半导体图案包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料，以及其中杂质包括与第一半导体材料和第二半导体材料的半导体元素不同的元素。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202010442515.2在审
发明人：林圣根;金彦起;曹裕英;金利桓;金真范;朴判贵;慎一揆;李承勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了半导体器件及其形成方法。所述半导体器件包括：有源区；隔离区，限定所述有源区；阻挡层，位于所述有源区上；上半导体层，位于所述阻挡层上；以及栅极结构，覆盖所述上半导体层的上表面、下表面和在第一方向上的侧表面。所述第一方向是平行于所述有源区的上表面的方向，并且所述阻挡层布置在所述栅极结构与所述有源区之间。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810985594.4在审
发明人：李商文;金正泽;金利桓;宋宇彬;申东石;李承烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；有源图案，与衬底间隔开并在第一方向上延伸；以及栅极结构，在有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，其中有源图案的下部在第一方向上延伸并包括相对于衬底的上表面倾斜的第一下表面。
半导体器件源图案衬底延伸方向交叉栅极结构上表面下表面制造