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[发明专利]优化制程模拟的方法、非暂态计算机可读存储介质及电子装置-CN201710882024.8有效
发明人：刘如淦;张世明;周硕彦;赖建文;赵增勤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：一种优化晶圆制程模拟的方法，包括建立用于模拟在晶圆中制造结构的模拟程序。模拟程序包括各自用于模拟多个晶圆制造操作的多个模拟操作，且还包括测试该结构的操作，此操作产生表示结构的品质的结果。每一个模拟操作具有相应的可调整制程参数。上述方法还包括为每一个制程参数指定相应的可工作范围，以及使用晶圆制程模拟器通过迭代操作来运行模拟程序直到结果实现最佳化。在运行模拟程序的期间，每两次连续的迭代操作在两个不同的制程参数的可工作范围中调整制程参数，或在相同制程参数的可工作范围中以相反趋势调整相同制程参数。
优化模拟方法非暂态计算机可读存储介质电子装置

[发明专利]光学邻近修正和光掩模-CN201811334345.5有效
发明人：郑东祐;谢艮轩;张世明;李志杰;周硕彦;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本文提供了用于执行光学邻近修正和用于形成光掩模的技术的各个实例。在一些实例中，接收布局，布局包括要在光掩模上形成的形状。确定用于形状的多个目标光刻轮廓，多个目标光刻轮廓包括用于第一组工艺条件的第一目标轮廓和用于第二组工艺条件的与第一目标轮廓不同的第二目标轮廓。执行布局的光刻模拟以在第一组工艺条件下产生第一模拟轮廓，并且在第二组工艺条件下产生第二模拟轮廓。基于第一模拟轮廓和第一目标轮廓之间以及第二模拟轮廓和第二目标轮廓之间的边缘放置误差确定对布局的修改。本发明的实施例还涉及光学邻近修正和光掩模。
光学邻近修正光掩模

[发明专利]目标最佳化方法-CN201710982998.3有效
发明人：张世明;谢艮轩;周硕彦;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种目标最佳化方法，包括接收一集成电路设计布局的一目标图案，其中目标图案具有一对应的目标轮廓；修改该目标图案，其中该修改后的目标图案具有一对应的修改目标轮廓；以及当该修改后的目标图案达到一限制层对该目标图案所定义的功能性时，产生一最佳化的目标图案。该最佳化方法还可包括，根据该限制层定义出一成本函数，该成本函数根据该目标图案的轮廓与该限制层之间的空间关系来定义。
目标最佳方法

[实用新型]酒瓶架-CN202023224399.1有效
发明人： 周硕彦 -专利权人：崧杰股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： A47B73/00 文献下载
摘要：一种酒瓶架适用于供多个酒瓶摆放，所述酒瓶架包含基座、活动座及固定件组。所述基座包括座体及两个延伸杆。所述活动座可收合地枢接于所述延伸杆间。所述活动座具有多个用于供所述酒瓶摆放的容置部及至少一个定位件。所述活动座可相对于所述基座在倾斜位置及平放位置间枢转。在所述倾斜位置时，所述固定件组卡设于所述活动座的定位件，使所述活动座与所述基座相夹夹角θ，且0度θ90度。在所述平放位置时，所述活动座收合于所述基座。通过所述活动座可相对于所述基座在所述倾斜位置与所述平放位置间枢转，而能用于展示所述酒瓶或供所述酒瓶平放而便于收纳及保鲜，使用变化性较佳。
酒瓶

[发明专利]增进微影可印性的方法-CN201710757121.4有效
发明人：黄旭霆;周硕彦;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于增进微影可印性的方法。此方法的一示例包括接收集成电路(IC)设计布局并使用IC设计布局进行光源电子束最佳化(SBO)制程以产生掩模射域图与照射光源图，其中SBO制程使用SBO模型，其同时使用掩模射域图模拟掩模制作制程以及使用照射光源图模拟晶圆制作制程。使用掩模射域图来制作掩模且使用照射光源图制作晶圆(在一些实施例中，使用掩模射域图制作的掩模)。晶圆包括与由IC设计布局定义的目标晶圆图案对应的最终晶圆图案。此方法可以有效减少(或消除)最终晶圆图案与目标晶圆图案之间的差异。
增进微影可印性方法

[发明专利]基于模型的规则表产生-CN201510853068.9有效
发明人：余瑞晋;周硕彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明涉及基于模型的规则表产生。具体的，本发明提供一种用于制造半导体装置的方法，其包含例如从设计室接收集成电路IC布局图案。在一些实施例中，利用过程模拟模型以通过反向光刻技术ILT过程产生自由形式布局图案。所述过程模拟模型经配置以模拟用于所述IC布局图案的处理条件。在各种实施例中，所述自由形式布局图案与所述IC布局图案相关联。在一些实例中，产生简化布局图案，其中所述简化布局图案是所述自由形式布局图案的近似。之后，基于所述简化布局图案可以计算亚分辨率辅助特征SRAF规则且可以产生SRAF规则表。
基于模型规则产生

[发明专利]集成电路设计制造方法以及集成电路设计系统-CN201510859455.3有效
发明人：黄旭霆;刘如淦;周硕彦;高蔡胜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供一集成电路设计制造方法以及集成电路设计系统。该集成电路设计制造方法包括：接收一集成电路版图文件；以及对集成电路版图文件执行一反式电子束技术工艺以产生一最终掩膜图案，其中反式电子束技术工艺使用一单一反式电子束技术模型以模拟一掩膜工艺以及晶圆工艺。
集成电路设计制造方法以及系统

[发明专利]极紫外光光罩及其制造方法-CN201910700227.X在审
发明人：陈铭锋;周硕彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：一种极紫外光光罩包括吸收层，具有折射率范围为0.87至1.02、消光系数范围为0.065至0.085、以及厚度范围为33.5nm至43.5nm。另一种极紫外光光罩包括吸收层，具有折射率范围为0.87至1.02、消光系数范围为0.085至0.105、以及厚度范围为25.5nm至35.5nm。另一个极紫外光光罩包括吸收层，具有折射率范围0.895至0.950、消光系数范围为0.0600至0.0610、以及厚度范围从30nm至39nm或者50nm至55nm。
极紫外光消光系数吸收层折射率光罩

[发明专利]制造半导体元件的方法-CN201910702769.0在审
发明人：游信胜;刘如淦;黄旭霆;山添贤治;陈铭锋;周硕彦;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： G03F7/22 文献下载
摘要：一种制造半导体元件的方法包括在半导体基板上描绘的曝光场矩阵中的每个曝光场中沿晶粒矩阵中的X轴划分多个晶粒，其中X轴平行于包围曝光场矩阵的最小矩形的边缘。在晶粒矩阵中沿Y轴划分多个晶粒，其中Y轴垂直于X轴。形成序列SNx0、SNx1、SNx、SNxr、SNy0、SNy1、SNy与SNyr。p*(Nbx+1)‑2个步进操作在第三方向上执行，并且交替执行第一序列曝光/步进/曝光操作与第二序列曝光/步进/曝光操作于任何两个相邻的步进操作之间、第一步进操作之前与最后步进操作之后。每个步进操作的距离按次序遵循序列SNx。
步进矩阵晶粒曝光场曝光操作半导体基板半导体元件交替执行最小矩形曝光平行垂直包围描绘制造

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201711261402.7在审
发明人：陈铭锋;周硕彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法包含在基底上方提供具有图案化的吸收层的光掩模，使用具有横向电(TE)波和横向磁(TM)波混合的光束照射光掩模，照射包含在图案化的吸收层的侧壁上产生表面等离子体电磁极化子(SPP)，表面等离子体电磁极化子用于抑制横向磁波，同时反射横向电波，将目标基底暴露于横向电波。
表面等离子体半导体装置电磁极光掩模图案化吸收层电波光束照射目标基侧壁磁波基底反射制造照射暴露

[发明专利]各向异性相移掩模-CN201310003792.3在审
发明人：林本坚;伍海涛;谢艮轩;周硕彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-01-06 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： G03F1/28 文献下载
摘要：本公开提供一种光掩模。该光掩模包括衬底。该光掩模还包括多个设置在衬底上的图案。每个图案均在不同的方向上以不同的量从相邻图案处进行相移。本公开还包括了一种执行光刻工艺的方法。该方法包括在晶圆上方形成可图案化层。该方法还包括对该可图案化层执行曝光工艺。至少部分地通过相移的光掩模来执行该曝光工艺。相移的光掩模包括多个图案，这些图案中的每个均在不同方向上以不同的量从相邻图案处进行相移。该方法包括图案化该可图案化层。本发明还提供了一种各向异性相移掩模。
各向异性相移

[发明专利]设计光罩布局与产生光罩图案的方法和系统-CN200610090053.2有效
发明人： 周硕彦;许照荣;高蔡胜;林本坚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-06-22 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明是有关于一种设计光罩布局与产生光罩图案的方法和系统，此方法包括利用复数个像素来表示光罩布局，其中每一像素具有一光罩透明度系数。初始化一控制参数，并产生此光罩布局的一代表。此方法透过一成本函数和一波兹曼几率函数(Boltzmann Probability Function)来决定是否接受光罩布局的代表，其中成本函数与光罩布局和目标基材图案有关，而波兹曼几率函数与成本函数及控制参数有关。重复产生光罩布局的代表的步骤和决定光罩布局的代表的接受步骤，直至稳定光罩布局。根据退火程序减少此控制参数。重复产生光罩布局的代表的步骤、决定步骤、重做步骤、和减少控制参数的步骤，直至最佳化此光罩布局。
设计布局生光图案方法系统

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