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[发明专利]衬底加工方法、发光二极管制造方法及衬底、发光二极管-CN202210739822.6在审
发明人：张佳浩;郑贤良;曾柏翔;李瑞评;陈铭欣 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种衬底加工方法、发光二极管制造方法及衬底、发光二极管，所述衬底加工方法包括将晶棒进行切割处理，获得衬底，对衬底的切割表面进行刻蚀处理，以对衬底的翘曲度进行初步修复，对衬底的翘曲部分进行隐切处理，以对衬底的翘曲度进行进一步补偿修复。本发明所述的衬底加工方法不包括研磨、铜抛等制程，采用刻蚀和隐切步骤降低线切后衬底产生的内应力及翘曲度，消除了研磨制程对于衬底造成再次损伤，简化了衬底加工步骤，节省了衬底材料，进而降低了衬底的生产成本。
衬底加工方法发光二极管制造

[发明专利]衬底加工方法、发光二极管制造方法及衬底、发光二极管-CN202210739925.2在审
发明人：张佳浩;刘增伟;曾柏翔;李瑞评;陈铭欣 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种衬底加工方法、发光二极管制造方法及衬底、发光二极管，所述的衬底加工方法包括对晶棒进行切割处理，获得衬底；对衬底的切割表面进行退火处理，以对衬底的翘曲度进行初步修复；对衬底的翘曲部分进行隐切处理，以对衬底的翘曲度进行进一步补偿修复。本发明所述的衬底加工方法不包括研磨、铜抛等制程，采用退火和隐切步骤降低线切后衬底产生的内应力及衬底的翘曲度，进而消除了研磨制程对于衬底造成再次损伤，简化了衬底加工步骤，节省了衬底材料，降低了衬底的生产成本。
衬底加工方法发光二极管制造

[发明专利]衬底加工方法、发光二极管制造方法及衬底、发光二极管-CN202210739947.9在审
发明人：张佳浩;周光权;曾柏翔;刘聪毅;李瑞评;陈铭欣 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种衬底加工方法、发光二极管制造方法及衬底、发光二极管，所述的衬底加工方法包括对晶棒进行切割处理，获得衬底；对衬底的切割表面进行单面减薄，以对衬底的总厚度偏差进行修复；对衬底的翘曲部分进行隐切处理，以对衬底的翘曲度进行修复。本发明所述的衬底加工方法不包括研磨、铜抛等制程，采用减薄和隐切步骤降低线切后衬底产生的内应力、衬底的翘曲度及总厚度偏差，进而消除了研磨制程对于衬底造成再次损伤，简化了衬底加工步骤，节省了衬底材料，降低了衬底的生产成本。
衬底加工方法发光二极管制造

[发明专利]一种衬底改性处理方法及半导体发光器件的制造方法-CN202210714093.9有效
发明人：刘增伟;周光权;曾柏翔;李瑞评 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆制造领域，特别是涉及一种衬底改性处理方法。本发明提供一种衬底改性处理方法及半导体发光器件的制造方法，通过在衬底表面涂覆反应溶液，生成多晶层铝酸钙的同时又利于相邻衬底间的分离。含有钠离子的第二反应物经过化学反应后生成氧化钠，具有较多优点：氧化钠能够与衬底中的氧化铝反应生成偏铝酸钠，偏铝酸钠溶于水后实现相邻衬底间的分离；偏铝酸钠进一步分解为氧化钠及氧化铝中间产物，该产物能够与氧化钙以较高的反应速率生成铝酸钙，加速多晶层的生成；氧化钠在与衬底中的氧化铝发生反应时，会在衬底表面形成微凹坑，加速反应并释放应力；此外，衬底表面残余的氧化钠还能进一步溶于水，从而促进相邻衬底之间的分离。
一种衬底改性处理方法半导体发光器件制造

[发明专利]一种图形化衬底及其制备方法-CN202210811145.4在审
发明人：霍曜;李彬彬;吴福仁;李瑞评 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种图形化衬底及其制备方法，图形化衬底包括：衬底，衬底具有相对的第一面侧和第二面侧；若干个台状的凸起结构，凸起结构形成在衬底的第一面侧，凸起结构包括由不同材料形成的第一部分和第二部分，并且第二部分位于第一部分的上方，凸起结构顶表面的粗糙度介于0.2nm~200nm，凸起结构的顶面直径与凸起结构的高度之比为1:50~10:1。凸起结构的第二部分的材料为透明非晶材料，不易于外延层的形核；顶部平台结构使外延层的生长模式为变为横向生长，顶部区域的外延层穿透型位错密度更低，可得到更高质量的外延层；顶部平台的粗糙结构使更多的光线反射回外延层，减少因进入衬底造成的吸收与损失，从而增加图形化衬底对光的反射率。
一种图形衬底及其制备方法

[实用新型]一种研磨结构和研磨装置-CN202121735883.2有效
发明人：李瑞评;曾柏翔;杨良;张佳浩;陈铭欣 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种研磨结构，属于研磨技术领域，研磨结构包括：研磨盘与基座，所述研磨盘由多个研磨块构成；螺母，用于连接所述基座和所述研磨块，并调整研磨块的高度。本实用新型所提供的研磨结构，其研磨盘与基座设计为可拆卸式，便于进行清洗，其中构成研磨盘的多个研磨块可拆卸替换，避免因局部损伤导致整个研磨盘更换的问题，可有效提升研磨盘利用率；研磨块与基座之间通过螺母连接，研磨过程中可以通过调整螺母以调整研磨块的高度，使研磨盘保持较高的平整度，提高晶片表面的平坦度，减少研磨过程中修正盘型的时间，避免更换整个研磨盘，提高研磨效率。
一种研磨结构装置

[发明专利]发光二极管的图形化衬底、发光二极管及其制备方法-CN202110317828.X有效
发明人：李彬彬;彭鹏飞;霍曜;李瑞评;乔新宇;梅晓阳 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管的图形化衬底、发光二极管及其制备方法，其中，该图形化衬底包括：衬底和微纳复合图形结构。微纳复合图形结构形成于所述衬底的一侧表面；所述微纳复合图形结构包括主图形和表面微结构；所述主图形为凸部结构且包含不平行于所述衬底且背对所述衬底的侧面，所述表面微结构位于所述主图形的所述侧面，所述表面微结构包括垂直于所述主图形的所述侧面且背对所述衬底的所述侧表面的侧面。通过上述方案能够提高衬底的出光率，从而提高LED的亮度。
发光二极管图形衬底及其制备方法

[发明专利]一种滤波器基片的清洗工艺-CN202210598102.2在审
发明人：枋明辉;林仲和;刘艺霖;苏明华;黄世维;杨胜裕 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种滤波器基片的清洗工艺，采用超声波清洗装置对待清洗基片进行酸洗、水洗、碱洗等，搭配改进的提篮运动方式，改进了传统的滤波器基片清洗工艺，在有效去除表面脏污的前提下，可保障基片的成品率，大幅降低因清洗导致的破片情况，降低生产成本，经过本发明清洗工艺获得的基片，洁净度良好，后续滤波器器件的成品率更高，产品竞争力更强。
一种滤波器清洗工艺

[发明专利]一种图形化衬底、发光二极管及其制作方法-CN202110159164.9有效
发明人：李瑞评;李彬彬;彭鹏飞;霍曜;吴福仁;梅晓阳 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种图形化衬底、发光二极管及其制作方法，所述图形化衬底加工方法包括以下步骤：通过纳米模具压印或翻印在衬底表面形成凸部结构，对衬底表面的凸部结构进行退火处理，通过控制退火工艺的参数在凸部结构内部产生分布均匀的孔隙，得到内部具有高孔隙率的图形化衬底。本发明公开的图形化衬底、发光二极管及其制作方法简单经济，且制得的图形化衬底和发光二极管能够显著提高光提取效率，从而提高LED亮度。
一种图形衬底发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种半导体晶圆加工中浆料的定量抽换装置-CN202010325360.4有效
发明人：李瑞评;曾柏翔;刘增伟 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆加工中浆料的定量抽换装置，包括碱液罐、酸液罐、浆料罐、水罐、定量称重装置和PLC控制系统，PLC控制系统包括酸碱比重监控中心，浆料罐还设有电极探测装置和监测棒，电极探测装置和监测棒分别与酸碱比重监控中心电连接，该装置引入了酸碱比重监控中心，酸碱比重监控中心可以根据反馈得到的酸碱浓度、液位和比重等信号对浆料进行调控，使浆料的有效成分处于动态平衡状态，维持了抛光制程加工的稳定性；另外，浆料罐包括振动装置和清洁装置，振动装置使浆料均匀分散，浆料不易包覆在监测棒末端和电极探测装置末端上，增加了对监测棒末端和电极探测装置末端的及时清洁功能，提高了监测棒末端和电极探测装置末端的准确性。
一种半导体加工浆料定量抽换装置

[发明专利]一种等离子体蚀刻方法及系统-CN202210268674.4在审
发明人：梅晓阳;李彬彬;霍曜;李瑞评;刘聪毅;林明顺 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件加工技术领域，提供了一种等离子体蚀刻方法及系统，在蚀刻过程中，实时监测蚀刻腔体中光谱的变化，并且根据该光谱变化识别不同的蚀刻阶段，根据识别结果，在当前蚀刻阶段完成时自动切换至下一蚀刻阶段，由此可以灵活控制蚀刻时间并根据蚀刻阶段调整相关参数，实现蚀刻过程的精确控制。本发明的上述方法能够提高蚀刻产出的产品一致性。产品的反射率、及收敛性明显改善，并且衬底的靶心命中率也明显提升。等离子体蚀刻装置将光谱检测装置与等离子体蚀刻装置结合，通过终端实现二者的通信连接，操作简单，无额外的装置成本，易于实现。
一种等离子体蚀刻方法系统

[发明专利]一种LED蓝宝石衬底的自动装片装置-CN202010352309.2有效
发明人：周志豪;李贤途;钟后芳 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED蓝宝石衬底的自动装片装置，包括晶舟盒、卡槽盖板，卡槽盖板设有落料槽，卡槽盖板设有装载盒，装载盒上设有内缩小勾，内缩小勾的头部均外露出装载盒的右侧板，内缩小勾上设有推动条，装载盒底部设有落料口，装载盒设有支撑板，支撑板连接有转动轴，转动轴设有行走齿轮、从动齿轮，支撑板右侧连接有横向转轴，横向转轴设有主动齿轮，主动齿轮与从动齿轮啮合连接，横向转轴设有手摇柄，横向转轴一端设有连杆二，连杆二连接有连杆一，连杆一的另一端与连接杆连接，卡槽盖板设有卡槽。采用上述技术方案后，本发明提供的自动装片装置，可自动将晶片放入至对应的晶舟盒的落料槽内，提高工作效率，节省了人工成本和时间成本。
一种 led 蓝宝石衬底自动装置

[实用新型]用于蓝宝石衬底的图形化结构及图形化衬底-CN202122429581.9有效
发明人：霍曜;李彬彬;吴福仁;李瑞评 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于蓝宝石衬底的图形化结构及图形化衬底，包括：底面，多个第一晶面、第二晶面、第三晶面、第四晶面、第五晶面以及第六晶面；各第一晶面与底面之间有第一夹角，多个第一晶面周向阵列排布；各第二晶面与底面之间有第二夹角，各第二晶面位于两个第一晶面之间；各第三晶面与底面之间有第三夹角，第三晶面的相邻两个侧边分别与第一晶面和第二晶面的侧边连接；各第四晶面与底面之间有第四夹角，第四晶面的相邻两个侧边与第二晶面和第三晶面的侧边连接；第五晶面与底面之间有第五夹角，各第五晶面的侧边与第三晶面的侧边连接；第六晶面与底面之间有第六夹角，第六晶面的侧边与第三晶面的侧边连接，多个第六晶面的顶端汇聚成一点。
用于蓝宝石衬底图形结构

[发明专利]一种多线切割机-CN202010391502.7有效
发明人：李瑞评;曾柏翔;刘增伟 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多线切割机，尤其涉及一种可提高多线切割后衬底品质的多线切割机槽轮槽距的设计，适用于使用固结磨料多线切割加工晶硅、碳化硅、水晶、蓝宝石等硬质材料。本发明根据实际生产中切割线的粗细、损耗规律、沟槽的位置和切割能力之间的关系，结合线切割能力的衰减变化规律设计出一种槽距符合切割规律的槽轮。通过此设计可在切割过程中使钻石线稳定磨耗、切割稳定进行，切割后会得到整体厚度均匀和表面质量较优的衬底，提高切割后衬底品质，减少后续加工成本。
一种切割机

[发明专利]一种蓝宝石晶体生长工艺-CN202111030051.5有效
发明人：余剑云;吴锋波;郑家金;王进学 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种蓝宝石晶体生长工艺，通过在加热阶段功率约20~30kw时进行恒温，排除晶体生长炉内的水汽，减少炉内氧气含量，减少炉内热场氧化，降低杂质的生成，降低浮岛形成概率；通过在加热阶段恒温后通入惰性气体至1.0个大气压以上，更能将通过恒温后未能排除干净的水汽及氧气排除干净；通过在原料融化后降温处理使原料表面重新凝结产生结晶后，再通过升温处理重新融化原料，使浮岛沉入晶体生长炉的底部，提高引晶及晶体质量。本发明所提供的蓝宝石晶体生长工艺适用范围较广，适用于任何尺寸任何方法的蓝宝石晶体的生长，特别是大尺寸的蓝宝石晶体生长。
一种蓝宝石晶体生长工艺