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[发明专利]衬底用抛光垫及抛光装置及其抛光工艺-CN202111012634.5在审
发明人：萧尊贺;陈李彪;宋淀垣;谢斌晖 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： B24B37/20 文献下载
摘要：一种衬底用抛光垫，其材质为高分子材料，邵氏硬度为70‑75，厚度为2‑3mm，采用所述抛光垫及其抛光装置对衬底进行抛光作业，可降低衬底表面损伤层深度，提高抛光对于平坦度的修复能力，进一步降低衬底抛光后的平坦度数值。
衬底抛光装置及其工艺

[发明专利]一种蓝宝石衬底、加工方法及发光二极管的制备方法-CN202010574800.X有效
发明人：郑贤良;刘聚斌;李瑞评;曾柏翔;杨胜裕;陈建明;庄昀芳;林冠宏 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝宝石衬底、加工方法及发光二极管的制备方法，根据本发明的一个实施例，该蓝宝石衬底加工方法包括以下步骤，提供一蓝宝石晶体，并对所述蓝宝石晶体进行预处理，加工出所述蓝宝石晶体的A面和C面；根据蓝宝石晶体R面、C面以及A面的角度关系，标记R面，并对所述R面进行切割，获得包括有所述R面的晶块；沿所述R面的垂直面进行掏棒，获得以所述R面为柱面的晶棒。本发明所述蓝宝石衬底加工方法可以有效的改善芯片的透光效果，提高切割的良品率，且因为所得芯粒的斜裂角为90°±1，可以很容易的判断芯片封装的固晶胶量，提高固晶效率。
一种蓝宝石衬底加工方法发光二极管制备

[发明专利]一种衬底及其加工方法以及发光二极管及其制造方法-CN202010670882.8有效
发明人：李瑞评;曾柏翔;张佳浩;陈铭欣;李政鸿 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底及其加工方法以及发光二极管及其制造方法。本发明的方法中，沿多条扫描线对衬底进行激光扫描，在衬底内部形成多个改性点，该改性点可以是气泡或空洞；然后对衬底进行退火处理。激光辐照产生的气泡或空洞能够增加对光的反射，由此提高衬底的反射率；退火工艺消除或者降低了空洞或气泡周围由于激光辐照产生的热损伤层和微裂纹等缺陷，由此消除或者降低了这些缺陷对光的吸收，降低了衬底对光的吸收。在上述提高衬底的反射率降低衬底对光的吸收两方面的综合作用下，显著提高LED芯片的出光率，提高LED芯片的亮度。本发明的用于半导体器件的衬底以及发光二极管均可采用上述方法对衬底进行处理，因此同样具有上述有益效果。
一种衬底及其加工方法以及发光二极管制造

[发明专利]一种衬底及其加工方法、发光二极管及其制造方法-CN202010670939.4有效
发明人：李瑞评;曾柏翔;张佳浩;陈铭欣;曾建尧 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底及其加工方法、发光二极管及其制造方法，通过确定衬底所呈现的不对称面型及不对称取向，在不对称取向上对衬底进行扫描，在衬底中形成改质点通过调整不对称方向上扫描线的间隔距离，使得同一方向上的扫描线相互平行，而不对称方向上的扫描线的间隔距离不同，在不对称方向上产生间隔距离不同的改质点，通过形成上述改质点，使得衬底的应力发生改变，均匀整个衬底的应力分布，在不同的方向上产生不同的弯曲值变化，最终使得衬底在每个径向方向上的弯曲幅度和弯曲方向趋于一致，衬底面型收敛为对称面型。对称面型的衬底有利于提高后续外延层波长的收敛性，进而使得器件良率大大提升。
一种衬底及其加工方法发光二极管制造

[发明专利]一种图形化衬底及其制备方法、LED芯片-CN202110740915.6在审
发明人：李彬彬;吴福仁;霍曜;李瑞评;梅晓阳;苏贤达 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化衬底及其制备方法、LED芯片，所述图形化衬底包括：衬底，衬底具有相对的第一面侧和第二面侧；及若干个台状的凸起结构，凸起结构形成在衬底的第一面侧，凸起结构底部面积大于凸起结构的顶部面积，并且凸起结构在远离衬底的顶表面上形成有粗化微结构。图形化衬底能够随机散射入射至衬底的光，减少了衬底对入射光的吸收，提高了光的提取效率；凸起结构的第二部分的侧壁上还形成有条纹结构，该条纹结构也能增加图形结构对光的反射率，进一步地提高LED芯片的出光效率。
一种图形衬底及其制备方法 led 芯片

[发明专利]一种复合图形衬底及其制作方法-CN202110741041.6在审
发明人：霍曜;李彬彬;吴福仁;李瑞评 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供一种复合图形衬底及其制作方法，所述复合图形衬底包括衬底以及周期性排布在衬底上方的若干图形结构，图形结构包括由部分衬底形成的第一部分，以及由图形介质层形成的第二部分，且第一部分在与第二部分的界面处形成第一粗化结构，从而在界面处形成由下至上衬底的组分含量逐渐减少，而图形介质层的组分含量逐渐增加的缓冲层，一方面能够缓解界面处的应力，使膜层不易剥离，提高复合图形衬底的可靠性；另一方面，界面处的折射率随着衬底和图形介质层组分含量的变化而逐渐变化，有利于减少光线在界面处的反射损耗提高出光率。除了形成第一粗化结构外，还可以同时在图形介质层的表面形成第二粗化结构，从而可以进一步地提高出光率。
一种复合图形衬底及其制作方法

[发明专利]一种图形化衬底、发光二极管及制备方法-CN202080007491.6在审
发明人：李彬彬;霍曜;苏贤达;李瑞评;吴福仁;王兴林;梅晓阳 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化衬底、发光二极管及制备方法，在一实施例中，图形化衬底包括衬底以及形成在衬底表面上的若干个周期性紧密排布的图形结构，图形结构包括形成于衬底的表面的第一部分以及形成在第一部分上方的第二部分，相邻的图形结构之间的最小距离小于或等于0.1μm。由此，本发明所述的图形化衬底及发光二级管能够有效降低磊晶面的面积和位错密度，提高发光效率；并能够进一步增加光的散射效率，增加LED的亮度。
一种图形衬底发光二极管制备方法

[发明专利]一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘-CN202110588281.7在审
发明人：李瑞评;曾柏翔;张佳浩;杨良;陈铭欣 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： B24B37/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体晶片无蜡抛光的整体式抛光陶瓷载盘。它具有盘体、位于盘体上的凹槽，所述的凹槽与盘体为一体式，凹槽顶部与盘体平齐，且凹槽分布于盘体上端四周呈旋转对称形，所述凹槽用于承载半导体晶片。本发明解决了半导体晶片抛光过程中温度较低移除率无法加快的问题，同时保证了晶片在加工过程中不会发生滑动和抖动，保证晶片的加工质量。
一种用于半导体晶片抛光陶瓷

[发明专利]一种用于检测衬底的装置及其使用方法-CN202110341860.1在审
发明人：刘志煌;枋明辉;黄世维;林仲和;林彦甫;杨胜裕 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G01N21/956 文献下载
摘要：一种用于检测衬底的装置及其使用方法，本发明结合压电材料（如钽酸锂、铌酸锂）产线的实际需求以及后续滤波器件制作加工的实际需要提出了一种新型的衬底检测装置：该装置包括主摄像镜头、反射率镜头、透射率镜头、色度采集装置和计算机模块，利用该装置可以检测衬底的直径以及衬底抛光面的洁净度、刮伤和凹洞等缺陷，同时还可以检测衬底边缘的损伤和衬底的色度，克服了传统目检和镭射检测的问题。
一种用于检测衬底装置及其使用方法

[发明专利]一种高稳定性衬底的加工工艺-CN201910827453.4有效
发明人：宋淀垣;陈李彪;谢斌辉;萧尊贺 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明公开了一种高稳定性衬底的加工工艺，包括外齿圈、太阳轮、行星轮夹具和磨盘，包括以下步骤：a、首先将蓝宝石衬底正面靠在研磨盘上；b、将蓝宝石衬底以60rpm/min的速度用行星轮夹具单方向转动研磨；c、通过控制器，使其能够实现正反转切换；d、以正转进行研磨，正转大边数值会慢慢变大，以反转进行研磨则大边数值会慢慢变小；e、设置正转时间和反转时间；f、通过设置外齿圈和太阳轮的转速确定正转和反转速比；g、进行正反转切换研磨；h、对研磨后的衬底放入超声波清洗机进行清洗。采用上述方案后，本发明提供的一种高稳定性衬底的加工工艺，可有效提升研磨盘的寿命和提高衬底平坦度。
一种稳定性衬底加工工艺

[实用新型]一种用于多线切割机及磨床切削润滑液的供给装置-CN202020677311.2有效
发明人：苏进华;余学志;谢智强 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于多线切割机及磨床切削润滑液的供给装置，包括与机台连接的原装水箱、回流管和供给泵，包括对称式设置的第一水槽线路、第二水槽线路，第一水槽线路和第二水槽线路均包括集中槽、搅拌泵、水泵、总缸体和第一过滤组件，机台通过回流管与集中槽连接，集中槽与总缸体之间通过管道相连接，水泵设置在管道靠近集中槽的一端处，管道的另一端连接有第一电磁阀，第一过滤组件设置在管道与总缸体之间，总缸体内设置有第二过滤组件，还包括通过第二电磁阀连接在第一水槽线路和第二水槽线路外侧的控制箱。采用上述技术方案后，本实用新型提供的润滑液的供给装置，过滤后的浆液洁净度高，提高产品切割品质，延长机台使用寿命。
一种用于切割机磨床切削润滑供给装置

[发明专利]一种图形化衬底、发光二极管及制备方法-CN202011564591.7在审
发明人：苏贤达;李彬彬;霍曜;李瑞评;吴福仁;梅晓阳 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化衬底、发光二极管及制备方法，在一实施例中，图形化衬底包括衬底以及形成在衬底表面上的若干个周期性紧密排布的图形结构，相邻的图形结构之间的最小距离小于或等于0.1μm；图形结构包括形成于衬底的表面的第一部分以及形成在第一部分上方的第二部分，第一部分包括圆柱部和围绕圆柱部均匀排布的第一突出部和第二突出部；第一突出部和第二突出部间隔设置，第一突出部的横截面积大于或等于第二突出部的横截面积。由此，本发明所述的图形化衬底及发光二级管能够有效降低磊晶面的面积和位错密度，提高发光效率；并能够进一步增加光的散射效率，增加LED的亮度。
一种图形衬底发光二极管制备方法

[发明专利]衬底加工方法及利用该方法加工的衬底-CN202011418262.1在审
发明人：李瑞评;曾柏翔;张佳浩;杨良 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底加工方法及利用该方法加工的衬底，所述衬底加工方法包括以下步骤：对衬底进行线切割处理，得到预定厚度的衬底；在切割得到的衬底进行甩胶处理，以在衬底表面形成一层平坦膜；在所述平坦膜固化后通过聚焦激光二维扫描所述经切割衬底来在所述经切割的衬底的预定深度位置产生破坏层；基于所述破坏层对衬底进行剥片处理；对剥片处理后的衬底进行抛光处理。本发明的衬底加工方法及利用该方法加工的衬底，能够大幅度的降低机械加工的过程，由此降低衬底的应力分布，提高衬底的质量，并降低衬底加工成本。
衬底加工方法利用

[发明专利]一种滤波器基片的回收工艺-CN202011207765.4在审
发明人：刘志煌;林彦甫;林仲和;黄世维;枋明辉;杨胜裕 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： B09B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种滤波器基片的回收工艺，将待回收的基片进行清洗处理，去除绝大多数的IDT痕迹，之后使用抛光的方式，对基片的表面进一步加工，从而完成对待回收基片的回收和再利用，本发明工艺在不影响基片性能的情况下，回收基片可用于重新制作滤波器，降低了生产成本，提高生产效率与材料利用率。
一种滤波器回收工艺

[发明专利]一种晶体生长方法-CN202011183732.0在审
发明人：余剑云;陈建明;吴锋波;郑家金 -专利权人： 福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本发明涉及蓝宝石晶体生长领域，公开了一种晶体生长方法，本发明使用氧化铝晶体回收料进行晶体生长，由于回收料实际已经进行过一次长晶，而长晶过程是排除杂质的过程，在长晶过程中已经起到一次提纯的作用，故再次进行长晶时，对蓝宝石的回收料进行筛选和检测等一系列工艺，得到纯度更高的氧化铝原料，这使得蓝宝石晶体晶格排列的更有规律，缺陷密度更低，晶体对光的吸收更少，透光率上升，最终影响UV LED产品的质量，提升UV LED产品的发光效率，产品的价值也越高。
一种晶体生长方法