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[发明专利]一种异质结高能粒子探测器及其制备方法-CN202111508220.1在审
发明人：贾玉萍;黎大兵;孙晓娟;刘明睿;石芝铭 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L31/118 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结高能粒子探测器及其制备方法，该异质结高能粒子探测器，包括底电极、衬底、半导体材料层、高原子序数二维材料层和顶电极，选择具有高原子序数的二维材料层可以实现高能粒子的有效碰撞，提高粒子响应效率，结合高能粒子在半导体材料中产生高能粒子碰撞，产生载流子，两个区域的载流子同时形成探测电荷信号，大幅增强了探测器的探测能力，同时，二维材料层和半导体材料层可以形成异质结甚至PN结，通过异质结内建电场实现载流子进行分离和传输，再次提高探测器的探测性能。
一种异质结高能粒子探测器及其制备方法

[发明专利]阶梯型微沟槽中子探测器及制备方法-CN202010239074.6有效
发明人：王颖;于成浩;李雅男;郭浩民;曹菲 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L31/118 文献下载
摘要：本发明提出了一种阶梯型微沟槽中子探测器及制备方法，该结构首先通过刻蚀技术在半导体器件内部制作一个宽度较窄的沟槽，之后在深沟槽区域内进行第二次刻蚀制作一个宽度较宽的沟槽从而形成一个阶梯型微沟槽结构(可采用多次刻蚀形成多阶梯型微沟槽结构)，最终采用角旋转离子注入技术在沟槽侧壁及底部形成均匀的掺杂分布。一方面，阶梯型沟槽结构通过优化沟槽间距可以提高器件中子反应物的填充量，从而提高器件的中子探测效率。另一方面，阶梯型沟槽结构还可以优化沟槽底部的电场分布，使探测器的击穿电压提高。此外，阶梯型沟槽结构可以提高探测器灵敏区电场值，进而提高电荷收集率并降低收集时间。
阶梯沟槽中子探测器制备方法

[实用新型]一种光伏组件下料分挡装置-CN202121532457.9有效
发明人：刘慧勇 -专利权人：苏州联创智慧能源科技有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L31/118 文献下载
摘要：本实用新型公开一种光伏组件下料分挡装置，包括支撑组件，包括呈水平设置的横向支架以及连接于横向支架上两侧中部的竖向支架；分挡组件，包括转动连接于竖向支架内侧上中部的套环以及连接于套环前端中央位置的分挡板。本实用新型通过设置分挡组件和安装组件的结构，解决了现有的光伏组件在进行生产过程中的下料时，一般通过人工进行分挡处理，效率低，耗时耗力，或用于光伏罪组件下料的分挡装置在输送机上的安装方便，满足不了使用需求的问题，具有便于进行该装置的结构安装固定，提高光伏组件下料分挡效率的优点。
一种组件下料分挡装置

[发明专利]包括全局电子快门的图像传感器-CN201780005941.6有效
发明人： Z·M·贝利;E·H·萨金特 -专利权人：因维萨热技术公司
申请日： 2017-01-14 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L31/118 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子设备。在各种实施方案中，电子设备包括例如至少一个光敏层和至少一个载流子选择层。在设备的一个偏压范围下，该光敏层在被照明时产生光电流。在设备的另一个偏压范围下，该光敏层在被照明时不产生光电流。载流子选择层扩大了光敏层在被照明时不产生任何光电流的偏压范围。在各种实施方案中，电子设备包括例如至少一个光敏层和至少一个载流子选择层。在设备的第一偏压范围下，该光敏层被配置为在被照明时收集光电流。在设备的第二偏压范围下，该光敏层被配置为在被照明时与在第一偏压范围下相比收集至少1/M的光电流。
包括全局电子快门图像传感器

[发明专利]一种基于双转换层的沟槽型碳化硅中子探测器-CN202110457676.3在审
发明人：王颖;张立龙;郭浩民;李亚男;曹菲 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L31/118 文献下载
摘要：本发明公开一种基于双转换层的沟槽型碳化硅中子探测器，包括由下至上依次设置的背面欧姆接触电极、N+型4H‑SiC衬底、N‑型4H‑SiC外延层、正面欧姆接触电极，所述N‑型4H‑SiC外延层顶端等间距开设有若干沟槽，所述沟槽表面和所述N+型4H‑SiC衬底顶端均设置有P+掺杂区，所述沟槽内设置有双层转换层，所述双层转换层与所述P+掺杂区相接触。本发明能够实现在有限的沟槽深度内填充两种不同的转换材料，进一步的提升中子探测效率。
一种基于转换沟槽碳化硅中子探测器

[发明专利]基于非极性InAlN/GaN异质结构的辐照探测器及其制备方法-CN201810946004.7有效
发明人：张雅超;张涛;任泽阳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L31/118 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于非极性InAlN/GaN异质结构的辐照探测器及其制备方法，所述制备方法包括：在衬底上生长成核层；在所述成核层上生长非极性GaN缓冲层；在所述非极性GaN缓冲层上生长非极性GaN沟道层；在所述非极性GaN沟道层上生长插入层；在所述插入层上生长非极性InAlN势垒层；依次对所述非极性InAlN势垒层、所述插入层、所述非极性GaN沟道层进行刻蚀，然后在所述非极性GaN沟道层上制备阴阳电极，最终完成所述辐照探测器的制备。通过这种制备方法，可以得到一种基于非极性InAlN/GaN异质结构的辐照探测器，该类型探测器利用III族氮化物异质结构沟道内二维电子气高迁移率和高限域性的特点，具有很高的灵敏度和探测效率。
基于极性 inaln gan 结构辐照探测器及其制备方法

[发明专利]漂移探测器及其制作方法-CN201811578851.9有效
发明人：贾锐;姜帅;陶科;刘赛;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L31/118 文献下载
摘要：本发明公开了一种漂移探测器及其制作方法，其中，漂移探测器，包括：高阻N型衬底、P型半导体薄膜、N型半导体薄膜、金属电极层和隔离层，其中，P型半导体薄膜与高阻N型衬底构成PN结，或者P型半导体薄膜中的P型掺杂剂扩散到N型衬底中构成PN结，PN结形成：漂移电极、第一保护环、第二保护环和入射窗口；N型半导体薄膜与高阻N型衬底构成高低结，或者N型半导体薄膜中的N型掺杂剂扩散到N型衬底中构成高低结，高低结形成：阳极、第一接地电极和第二接地电极；以及第二P型半导体薄膜，用来形成分压器。该漂移探测器实现大面积、低噪声、能量分辨率高，且具有简单的制作工艺，可进行大批量制造。
漂移探测器及其制作方法

[实用新型]用于核辐射探测的半导体中子探测器-CN201920811529.X有效
发明人：韩天宇;张玲玲;林恒 -专利权人：无锡华普微电子有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L31/118 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于核辐射探测的半导体中子探测器。所述用于核辐射探测的半导体中子探测器包括：衬底，所述衬底包括连为一体的上部和下部；A中子转换层，所述A中子转换层形成于所述衬底的上部，且所述A中子转换层上表面设有A金属层；B中子转换层，所述B中子转换层形成于所述衬底的下部，且所述B中子转换层下表面设有B金属层；电子收集层，所述电子收集层形成于所述A中子转换层外周的衬底的上部。所述用于核辐射探测的半导体中子探测器具有能够提高探测效率以及辐射能量分辨率，并且具有低功耗以及时间响应快的特点。
中子转换层衬底核辐射探测中子探测器半导体电子收集层半导体技术领域本实用新型辐射能量时间响应探测效率低功耗分辨率金属层上表面下表面外周

[发明专利]用于核辐射探测的半导体中子探测器-CN201910468768.4在审
发明人：韩天宇;张玲玲;林恒 -专利权人：无锡华普微电子有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L31/118 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于核辐射探测的半导体中子探测器。所述用于核辐射探测的半导体中子探测器包括：衬底，所述衬底包括连为一体的上部和下部；A中子转换层，所述A中子转换层形成于所述衬底的上部，且所述A中子转换层上表面设有A金属层；B中子转换层，所述B中子转换层形成于所述衬底的下部，且所述B中子转换层下表面设有B金属层；电子收集层，所述电子收集层形成于所述A中子转换层外周的衬底的上部。所述用于核辐射探测的半导体中子探测器具有能够提高探测效率以及辐射能量分辨率，并且具有低功耗以及时间响应快的特点。
中子转换层衬底核辐射探测中子探测器半导体电子收集层半导体技术领域辐射能量时间响应探测效率低功耗分辨率金属层上表面下表面外周

[发明专利]一种碳化硅探测二极管及制作方法-CN201710664794.5有效
发明人：黄润华;汪玲;陈刚;柏松 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L31/118 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅探测二极管及制作方法，具体实现方法包括两种方案：方案一：在碳化硅衬底上生长第一掺杂类型层，在第一掺杂类型层上进行第二掺杂类型离子注入，通过高温退火完成注入杂质激活，制作二极管阳极和阴极；方案二：在碳化硅衬底上生长第一掺杂类型层，在第一掺杂类型层上进行第二掺杂类型层生长，在第二掺杂类型层上进行第二类型掺杂区注入，在器件边缘通过碳化硅刻蚀形成台阶，制作二极管阳极和阴极。本发明通过改善器件有源区部分注入及金属化结构使得表面全部耗尽成为探测灵敏区，减小死区或消除表面探测死区。
一种碳化硅探测二极管制作方法

[实用新型]一种核辐射探测器-CN201620252515.5有效
发明人：陆敏;郭杰 -专利权人：成都晶威科技有限公司;陆敏
申请日： 2016-03-29 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L31/118 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种核辐射探测器。其中，核辐射探测器包括：高阻半导体层，具有上部表面和下部表面；位于高阻半导体层的上部表面的P型浅注入区；位于高阻半导体层的上部表面的P型深注入区；以及位于高阻半导体层的下部表面的N型注入区和N型电极层，其中，P型浅注入区在器件的中部，P型深注入区在P型浅注入区外部包围一圈；位于P型浅注入区上方的可见光吸收层；以可见光吸收层为中心，外围依次包围着场板层、钝化层、场限环层、钝化层；其中场限环层在P型深注入区上方；其中N型电极层在N型注入区下面。该核辐射探测器接收核辐射并产生感测电信号。该核辐射探测器可以实现高探测效率，进而实现高灵敏度。
一种核辐射探测器

[发明专利]一种硅PIN中子剂量探测器及其制备方法-CN201210015141.1有效
发明人：樊超;于民;杨昉东;田大宇;王金延;金玉丰 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L31/118 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制备方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于硅片正面和背面的P型和N型有源区，两个有源区中一个为圆形，另一个为圆环形。本发明通过将P型有源区和N型有源区设计成上下非对称结构，使得P区和N区之间的距离大于硅片的厚度，有效增大了两个有源区的距离，即增大了探测器I区的有效厚度，突破了硅片厚度对PIN管I区厚度的限制。此外，环形有源区通过其结构本身的对称性产生比较均匀的电流分布。
一种 pin 中子剂量探测器及其制备方法

[发明专利]肖特基型室温核辐射探测器及其制备方法-CN200810019835.6无效
发明人：陆敏 -专利权人：苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2008-03-18 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L31/118 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基型室温核辐射探测器，包括以GaN基底形成的肖特基结构、肖特基电极和欧姆电极，其特征在于：所述GaN基底为厚膜结构，其厚度为100um～200um，所述肖特基电极和欧姆电极分别位于GaN基底的两侧表面上。由于本发明使用的GaN材料具有宽禁带宽度、高电阻率、大原子序数、强共价键结合、高熔点、高击穿电场、抗腐蚀、抗辐射等优良性能，制备的室温核辐射探测器具有良好的室温灵敏度、探测效率和稳定性，更适用于强辐射场的探测领域。同时，本发明的制造工艺简单，成本低廉，适于工业化推广。
肖特基型室温核辐射探测器及其制备方法

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