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[发明专利]半导体装置-CN201880045120.X有效
发明人：施泓安;中泽敏志;鹤见直大;按田义治;渡部平司;志村考功;细井卓治;野崎干人;山田高宽 -专利权人：松下控股株式会社;国立大学法人大阪大学
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：半导体装置(1)具备：MIS构造，具有依次层叠的氮化物半导体层(30，40)、栅极绝缘膜(50)及栅极电极(60g)；源极电极(60s)及漏极电极(60d)，在平面视中配置成将栅极电极(60g)夹在中间，分别与氮化物半导体层(30，40)接触，栅极绝缘膜(50)包括由氮氧化膜构成的阈值控制层。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201780043446.4有效
发明人：山本兼司;明田正俊;浅原浩和;中村孝;细井卓治;渡部平司;志村考功;东云秀司;柏木勇作 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其具有MIS结构，所述MIS结构包括半导体层、在所述半导体层上的栅极绝缘膜、以及所述栅极绝缘膜上的栅极电极；所述栅极绝缘膜具有层叠结构，该层叠结构包括基底SiO2层和在所述基底SiO2层上的含有Hf的高k层；所述栅极电极至少在与所述高k层接触的部分，含有由具有比4.6eV更大的功函数的金属材料构成的部分。
半导体装置

[发明专利]X射线相位差摄像装置-CN201780046916.2有效
发明人：佐野哲;田边晃一;吉牟田利典;木村健士;岸原弘之;和田幸久;和泉拓朗;白井太郎;土岐贵弘;堀场日明;志村考功;渡部平司;细井卓治 -专利权人：株式会社岛津制作所;国立大学法人大阪大学
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：本X射线相位差摄像装置(100)具备：X射线源(1)，其照射连续X射线；第一光栅(3)，其用于形成自身像；第二光栅(4)；检测部(5)，其检测连续X射线；以及第三光栅(2)，其配置在检测部(5)与第一光栅(3)之间。而且，以满足规定的式的条件的方式配置第一光栅(3)、第二光栅(4)以及第三光栅(2)。
射线相位差摄像装置

[发明专利]放射线相位差摄影装置-CN201780059883.5有效
发明人：佐野哲;田边晃一;吉牟田利典;木村健士;岸原弘之;和田幸久;和泉拓朗;白井太郎;土岐贵弘;堀场日明;志村考功;渡部平司;细井卓治 -专利权人：株式会社岛津制作所;国立大学法人大阪大学
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：提供一种能够支持多种拍摄目的的X射线相位差摄影装置。本发明的装置能够变更多缝(3b)的狭缝的排列间距以及相位光栅(5)的相位移位部(5a)的排列间距。多缝(3b)、相位光栅(5)、FPD(4)的位置关系由多缝(3b)的狭缝的排列间距、相位光栅(5)的相位移位部(5a)的排列间距、以及FPD(4)的检测元件的排列间距来决定。根据本发明，通过变更其中的狭缝的排列间距和相位移位部(5a)的排列间距，能够变更多缝(3b)、相位光栅(5)、FPD(4)的位置关系。
放射线相位差摄影装置

[发明专利]X射线相位差摄像装置-CN201780044614.1在审
发明人：堀场日明;田边晃一;吉牟田利典;木村健士;岸原弘之;和田幸久;和泉拓朗;白井太郎;土岐贵弘;佐野哲;志村考功;渡部平司;细井卓治 -专利权人：株式会社岛津制作所;国立大学法人大阪大学
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：该X射线相位差摄像装置(100)具备：X射线源(1)；第一光栅(3)，其用于形成自身像；第二光栅(4)；检测部(5)，其检测X射线；调整机构(6)；以及控制部(7)，其进行基于由检测部(5)检测出的莫尔条纹图案来调整第一光栅(3)的位置偏移或第二光栅(4)的位置偏移的控制。
光栅摄像装置位置偏移相位差检测检测X射线调整机构莫尔条纹图案

[发明专利]半导体装置-CN201610720057.8有效
发明人：箕谷周平;中野佑纪;渡部平司;志村考功;细井卓治;桐野嵩史 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2010-09-02 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：由第一导电型构成的半导体层；阱区域，是第二导电型的阱区域，形成在所述半导体层的表层部上并且具有限定在阱区域中的沟道区域；源区域，是第一导电型的源区域，形成在阱区域的表层部上并且包括邻近阱区域限定的第一区域和邻近第一区域限定的第二区域；栅极绝缘膜，形成在半导体层上并且在栅极绝缘膜中限定：第一部分，接触源区域的第一区域；第二部分，接触阱区域，并且第二部分的厚度与第一部分的厚度相同；和第三部分，接触源区域的第二区域，并且第三部分的厚度大于第一部分的厚度；和栅电极，形成在栅极绝缘膜上，并且通过栅极绝缘膜与阱区域中的形成有沟道的沟道区域对置。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201080039791.9无效
发明人：箕谷周平;中野佑纪;渡部平司;志村考功;细井卓治;桐野嵩史 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2010-09-02 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包括：在碳化硅基板上形成氧化硅膜的工序；在包含氢的气体中对碳化硅基板以及氧化硅膜进行退火的工序；在碳化硅基板以及氧化硅膜的退火后，在氧化硅膜上形成氮氧化铝膜的工序。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法和制造设备-CN03817066.3有效
发明人： 渡部平司;渡辺启仁;辰巳徹;藤芝信次 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2003-07-16 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的目标在于能够在高介电常数薄膜和硅衬底之间的界面中形成具有氧化硅膜和硅之间的高质量界面的栅绝缘膜结构，以提供一种能够改善界面电特性的半导体器件和半导体制造方法，而这正是在实际使用高介电常数绝缘膜时一直长期存在的课题。在硅衬底101的表面上形成基础氧化硅膜103后，金属层淀积工艺和提供构成基础氧化硅膜103表面上的高介电常数薄膜的金属元素的热处理工艺，可使金属元素扩散到基础氧化硅膜103中，由此形成绝缘膜结构105作为栅绝缘膜。包括硅酸盐区的绝缘膜结构105包括氧化硅膜区、硅酸盐区和富金属区，从而形成了具有组份调制的硅酸盐结构，其中金属的组份随着越靠近上部而增加，且硅的组份随着越靠近下部而增加。
半导体器件及其制造方法设备

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN03815014.X有效
发明人： 渡部平司;远藤和彦;间部谦三 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2003-06-19 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种在硅衬底上以此顺序具有栅极绝缘膜和栅极电极的半导体器件；其中栅极绝缘膜包括含氮高介电常数绝缘膜，该含氮高介电常数绝缘膜具有将氮引入到金属氧化物或金属硅酸盐中的结构；以及在含氮高介电常数绝缘膜中的氮浓度具有在膜厚度的方向中的分布；以及在含氮高介电常数绝缘膜中的氮浓度达到在膜厚度的方向中的最大处的位置出现在距离硅衬底一定距离的区域中。还提供一种半导体器件的制造方法，其包含通过用含氮等离子体照射由金属氧化物或金属硅酸盐构成的高介电常数绝缘膜而进行所述氮引入的步骤。这改善了高介电常数绝缘膜的热稳定性，抑制了掺杂剂穿透，此外，阻止了与硅衬底的界面的电特性的恶化。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN03813873.5有效
发明人： 渡部平司 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2003-04-14 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件结构及其易于使用的制造方法，该方法能抑制晶片污染并形成半导体器件，在包括多种具有不同膜厚栅绝缘体膜的半导体器件中的膜厚可控性和均匀性方面性能优良。根据这种方法，多种具有不同电气膜厚的栅绝缘体膜的晶体管形成步骤包括：在同一硅衬底101上形成包括至少由第一高介电绝缘材料构成的第一绝缘膜104和由第二高介电绝缘材料构成的第二绝缘膜103的层结构的绝缘膜层；利用掩模107有选择地蚀刻并除去区域105部分上的上层绝缘膜103，并使用多氧化物处理同时降低泄漏电流。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]含高介电常数绝缘膜的半导体设备和该设备的制造方法-CN02809631.2有效
发明人： 渡部平司;小野春彦;五十岚信行 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2002-08-22 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种含基底和直接或间接形成于基底上的绝缘膜的半导体设备。绝缘膜含金属硅酸盐膜，且在金属硅酸盐膜的膜厚度方向上，中部的硅浓度高于上部和下部的硅浓度。
介电常数绝缘半导体设备设备制造方法

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