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[发明专利]SiC半导体装置-CN202180092481.1在审
发明人：中野佑纪;白神弘章;山本兼司 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：SiC半导体装置包含：具有主面的SiC芯片；形成于上述主面的表层部且具有被至少两种5价元素调整了的杂质浓度的n型漂移区域；以及以与上述漂移区域形成pn结部的方式形成于上述漂移区域内的p型杂质区域。
sic 半导体装置

[发明专利]SiC半导体装置-CN202180092319.X在审
发明人： 山本兼司;中野佑纪 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种SiC半导体装置，其包含：具有主面的SiC芯片、以及形成于上述主面的表层部且具有被至少两种5价元素调整了的杂质浓度的n型漂移区域。
sic 半导体装置

[发明专利]SiC半导体装置-CN202180042653.4在审
发明人：森诚悟;山本兼司;白神弘章;中野佑纪;美浓出圭悟 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：SiC半导体装置包括：SiC芯片，其具有主面；沟槽栅极构造，其形成于上述主面；沟槽源极构造，其在一方方向上从上述沟槽栅极构造分离地形成于上述主面；绝缘膜，其在上述主面之上包覆上述沟槽栅极构造以及上述沟槽源极构造；栅极主面电极，其形成于上述绝缘膜之上；以及栅极配线，其以在上述一方方向上横穿上述沟槽栅极构造以及上述沟槽源极构造的方式，从上述栅极主面电极被引出至上述绝缘膜之上，贯通上述绝缘膜而与上述沟槽栅极构造电连接，且隔着上述绝缘膜而与上述沟槽源极构造对置。
sic 半导体装置

[发明专利]SiC半导体装置-CN202180040234.7在审
发明人： 山本兼司;森诚悟;白神弘章;中野佑纪;上野真弥 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：SiC半导体装置包括：SiC芯片，其具有主面，该主面包含第一面、在上述第一面外向厚度方向凹陷的第二面、以及连接上述第一面及上述第二面的连接面，且由上述第一面、上述第二面以及上述连接面划分出台地；沟槽构造，其以从上述连接面露出的方式形成于上述第一面；以及侧壁配线，其以包覆上述连接面的方式形成于上述第二面之上，且与上述沟槽构造电连接。
sic 半导体装置

[发明专利]SiC半导体装置-CN202180042610.6在审
发明人：森诚悟;山本兼司;白神弘章;中野佑纪;上野真弥 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：SiC半导体装置包括：SiC芯片，其具有主面，该主面包含第一面、在上述第一面外向厚度方向以第一深度凹陷的第二面、以及连接上述第一面及上述第二面的连接面，且由上述第一面、上述第二面以及上述连接面划分出台地；晶体管构造，其包含具有小于上述第一深度的第二深度的沟槽栅极构造、以及具有超过上述第二深度的第三深度且与上述沟槽栅极构造在一方方向上相邻的沟槽源极构造，并形成于上述第一面的内方部；以及虚拟构造，其包含分别具有上述第三深度且在上述一方方向上相邻的多个虚拟沟槽源极构造，并形成于上述第一面的周缘部。
sic 半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201780043446.4有效
发明人： 山本兼司;明田正俊;浅原浩和;中村孝;细井卓治;渡部平司;志村考功;东云秀司;柏木勇作 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其具有MIS结构，所述MIS结构包括半导体层、在所述半导体层上的栅极绝缘膜、以及所述栅极绝缘膜上的栅极电极；所述栅极绝缘膜具有层叠结构，该层叠结构包括基底SiO2层和在所述基底SiO2层上的含有Hf的高k层；所述栅极电极至少在与所述高k层接触的部分，含有由具有比4.6eV更大的功函数的金属材料构成的部分。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202080066090.8在审
发明人：山中贵晶;中野佑纪;山本兼司 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：半导体装置包括：芯片；电极，其形成在上述芯片上；无机绝缘层，其包覆上述电极，且具有使上述电极露出的第一开口；有机绝缘层，其包覆上述无机绝缘层，且具有从上述第一开口空出间隔地包围上述第一开口的第二开口，在上述第一开口以及上述第二开口之间的区域使上述无机绝缘层的内周缘露出；以及Ni镀层，其在上述第一开口内包覆上述电极，且在上述第二开口内包覆上述无机绝缘层的上述内周缘。
半导体装置

[外观设计]电力用半导体元件-CN202130628037.X有效
发明人：中野佑纪;山本兼司;久津间保德 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：电力用半导体元件。2.本外观设计产品的用途：本产品用于作为半导体元件使用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.设计1后视图与设计1主视图相同，省略设计1后视图;设计1左视图与设计1右视图相同，省略设计1左视图;设计2后视图与设计2主视图相同，省略设计2后视图;设计2左视图与设计2右视图相同，省略设计2左视图。6.指定设计1为基本设计。
电力半导体元件

[外观设计]电力用半导体元件-CN202130627700.4有效
发明人：中野佑纪;山本兼司;久津间保德 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：电力用半导体元件。2.本外观设计产品的用途：本产品用于作为半导体元件使用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.后视图与主视图相同，省略后视图;左视图与右视图相同，省略左视图。
电力半导体元件

[发明专利]SiC半导体装置-CN202080021447.0在审
发明人：中野佑纪;山本兼司;森诚悟 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：SiC半导体装置包括：具有主面的第一导电型的SiC半导体层；形成于上述主面且具有侧壁以及底壁的源极沟槽；埋设于上述源极沟槽且具有在上述源极沟槽的上述侧壁与上述源极沟槽的开口侧的区域相接的侧壁接触部的源极电极；在上述主面的表层部中形成于沿上述源极沟槽的区域的第二导电型的主体区域；以及在上述主体区域的表层部中与上述源极电极的上述侧壁接触部电连接的第一导电型的源极区域。
sic 半导体装置

[发明专利]液压控制阀装置成型用模具-CN201910126681.9有效
发明人：三好浩志;山本兼司 -专利权人：日本电产东测（浙江）有限公司;日本电产东测有限公司
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： B22D17/22 文献下载
摘要：一种液压控制阀装置成型用模具，有助于在减少加工工序的同时提高铸造成型作业的冷却效率和冷却准确性，从而提高产品的成型精度和良品率，减少压铸成型后的切削加工，降低因切削加工而产生的切屑，并且，还能够防止模具的精度劣化以及破损，从而延长模具的使用寿命。本发明的液压控制阀装置成型用模具用于压铸成型液压控制阀装置的阀体，所述阀体具有流路，其包括：模具主体，所述模具主体具有成型腔，所述成型腔用于成型所述阀体的外形和内壁；以及多个冷却管，所述冷却管的内部供冷却液流通，至少一个所述冷却管的一部分位于所述成型腔内，用于冷却和成型所述流路的至少一部分的所述内壁。
液压控制装置成型模具

[发明专利]半导体装置-CN201880032670.8在审
发明人：中川让;中野佑纪;明田正俊;上野真弥;森诚悟;山本兼司 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的半导体装置包括：第1导电型的半导体层，其具有一侧的第1主面以及另一侧的第2主面；沟槽栅极构造，其包括形成于上述半导体层的上述第1主面的栅极沟槽、以及经由栅极绝缘层而埋入于上述栅极沟槽的栅极电极；沟槽源极构造，其包括在上述半导体层的上述第1主面从上述栅极沟槽空出间隔地形成为比上述栅极沟槽更深的源极沟槽、埋入于上述源极沟槽的源极电极、以及形成于上述半导体层中沿上述源极沟槽的区域的第2导电型的阱区域，并且，上述沟槽源极构造的深度相对于上述沟槽栅极构造的深度的比为1.5以上且4.0以下；第2导电型的主体区域，其在上述半导体层的上述第1主面的表层部中形成于上述栅极沟槽以及上述源极沟槽之间的区域；第1导电型的源极区域，其形成于上述主体区域的表层部；以及漏电极，其与上述半导体层的上述第2主面连接。
半导体层栅极沟槽源极沟槽导电型主面沟槽栅极主体区域埋入源极半导体装置栅极绝缘层源极电极源极区域栅极电极漏电极阱区域地形

[发明专利]硬质皮膜及其形成方法、和钢板热成型用模具-CN201580010801.9有效
发明人： 山本兼司;高泽友康;三浦克友 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2015-02-16 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种以碳化钨为基体的耐磨耗性优异的硬质皮膜，其是组成由W
硬质皮膜及其形成方法钢板成型模具

[发明专利]层叠型硬质被膜及切削工具-CN201580033045.1有效
发明人：阿部麻衣子;山本兼司;二井裕瑛 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供一种层叠型硬质被膜，其交替地层叠有各1层以上的作为(M_aAl_bCr_cTa_D)(B_xC_yN_z)[其中，M为V等，0≤a≤0.35、0.05≤d≤0.35、0≤x≤0.15、0≤y≤0.50、a+b+c+d＝1、x+y+z＝1]的层A和作为(Ti_αSi_β)(B_xC_yN_z)[其中，0.05≤β≤0.35、0≤x≤0.15、0≤y≤0.50、α+β＝1、x+y+z＝1]的层B。
层叠硬质切削工具

[发明专利]硬质皮膜-CN201680021502.X在审
发明人：二井裕瑛;山本兼司 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供一种硬质皮膜，其是形成于基材表面的硬质皮膜，该硬质皮膜由包含元素X、Al和Cr的氮化物或碳氮化物构成，所述元素X为选自原子序号大于Cr的第4族元素、第5族元素及第6族元素中的至少1种，X元素的浓度最高点重复地存在于与基材表面垂直的方向，并且，在与垂直方向相邻的X元素的浓度最高点之间存在1个以上X元素的浓度最低点，组成在垂直方向连续地变化。
硬质皮膜

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