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[发明专利]相变化记忆体装置、相变化记忆体结构和其制造方法-CN202310129898.1在审
发明人： 杨宗学;黄昶智;宋福庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本公开的一种相变化记忆体装置、相变化记忆体结构和其制造方法，相变化记忆体装置包括形成在互连层上方的第一电极、形成在第一电极上方的相变化记忆体元件、形成在相变化记忆体元件上方的第二电极，及形成在相变化记忆体元件的侧壁上的无氧间隔物层。相变化记忆体元件可包括锗锑碲合金或铝锑合金。相变化记忆体装置可包括形成在第一电极和相变化记忆体元件之间且配置为加热元件的碳层。无氧间隔物层可包括SiN、SiC或SiCN且可进一步包括氯、氟、氩、氯与氩、氟与氩或氯、氟、氩的混合。无氧间隔物层可进一步包括随着无氧间隔物层内的位置变化的成分。
相变记忆体装置结构制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110451919.2在审
发明人： 杨宗学 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：提供了半导体器件及其制造方法，其中利用间隔件以帮助保护底部电极通孔。在实施例中，穿过介电层形成开口，并且沿介电层的侧壁形成间隔件。形成与间隔件、底部电极相邻的底部电极通孔，在底部电极上方形成磁性隧道结(MTJ)结构，并且在MTJ结构上方形成顶部电极。图案化结构，并且在图案化工艺期间，间隔件有助于保护底部电极通孔免受不期望的损坏。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]集成芯片及其制造方法-CN202010269632.3在审
发明人：张耀文;闵仲强;庄学理;王宏烵;杨宗学;曾元泰;黄胜煌;林佳桦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种在衬底上方包含磁阻随机存取存储(magnetoresistive random access memory，MRAM)单元的集成芯片。介电结构上覆于衬底。磁阻随机存取存储单元设置在介电结构内。磁阻随机存取存储单元包含包夹在底部电极与顶部电极之间的磁性隧道结(magnetic tunnel junction，MTJ)。导电线上覆于顶部电极。侧壁间隔物结构沿着磁性隧道结和顶部电极的侧壁不断延伸。侧壁间隔物结构包含第一侧壁间隔物层、第二侧壁间隔物层以及包夹在第一侧壁间隔物层与第二侧壁间隔物层之间的保护侧壁间隔物层。第一侧壁间隔物层和第二侧壁间隔物层包括第一材料，保护侧壁间隔物层包括与第一材料不同的第二材料。
集成芯片及其制造方法

[发明专利]一种高压线圈高温模压的装置及方法-CN202011492928.8在审
发明人：邓勇;杨新胜;王跃峰;杨宗学;潘标;宋舰;刘镇;窦义伟;李玲 -专利权人：攀钢集团工程技术有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01F41/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压线圈高温模压的装置，包括成对设置的压块和与所述压块配合的夹紧部件，所述压块用于从高压线圈的左右和上下方向与所述高压线圈相抵，所述夹紧部件用于从上下方向对相对的所述压块施加压力以夹紧，以及从左右方向对相对的所述压块施加压力以夹紧。本发明还公开了一种高压线圈高温模压的方法，包括：采用上述任一种高压线圈高温模压的装置，对所述高压线圈施压；采用干燥炉对所述高压线圈进行加热。应用本发明提供的高压线圈高温模压装置和方法，能够方便地对高压线圈施加压力，且通过相对的压块作用于高压线圈，增大压块间的间距即可满足大规格线圈安装需求。结构简单，易于实施。
一种高压线圈高温模压装置方法

[发明专利]一种高压交流电机定子线圈上线故障快速修复方法-CN202011305711.1在审
发明人：邓勇;宋舰;杨新胜;王跃峰;杨宗学;潘标;窦义伟;李玲 -专利权人：攀钢集团工程技术有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H02K15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压交流电机定子线圈上线故障快速修复方法，包括：S1：拆除定子线圈上线的故障上线；S2：使用与定子线圈上线相同规格的电磁线制作代替上线；S3：将代替上线装入定子线槽；S4：连接代替上线的两端和定子线圈上线的两个断开端，包扎绝缘代替上线和断开端的连接处。本申请主要针对大型高压交流电机定子线圈上线绝缘发生对地短接或匝间短路故障时，通过对故障线圈的故障上线进行更换，取代更换全部定子线圈的常规修复方式，实现快速修复高压电机、确保检修质量，大大减少了工作量，提高了维修效率，降低了人工成本。
一种高压交流电机定子线圈上线故障快速修复方法

[发明专利]自对准的分裂栅极闪存-CN201510114776.0有效
发明人： 杨宗学;闵仲强;吴常明;刘世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-03-16 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明涉及自对准的分裂栅极存储单元以及相关的方法。自对准的分裂栅极存储单元具有长方体形的存储栅极以及选择栅极，其中，存储栅极以及选择栅极的上表面被一些间隔件覆盖。因此，存储栅极和选择栅极被保护以免受到硅化物的影响。通过所述间隔件限定自对准的存储栅极和选择栅极。通过回蚀刻未被间隔件覆盖的相应的导电材料而非凹进工艺形成存储栅极和选择栅极。因此，存储栅极和选择栅极具有平坦的上表面并且被良好地限定。由于减少了光刻工艺，所公开的器件和方法也能够进一步缩放。本发明涉及自对准的分裂栅极闪存。
对准分裂栅极闪存

[发明专利]电容器结构及其制造方法-CN201510565703.3有效
发明人： 杨宗学;闵仲强;吴常明;刘世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种电容器结构包括深沟槽、接触插塞、间隔件和金属‑绝缘体‑金属膜。深沟槽延伸至冠状氧化物衬底内，并且接触插塞完全地设置在冠状氧化物衬底下方。间隔件内衬于深沟槽，并且金属‑绝缘体‑金属膜设置在深沟槽中。本发明的实施例还涉及电容器结构的制造方法。
电容器结构及其制造方法

[发明专利]存储单元上的顶电极盖结构的形成方法-CN201711204164.6在审
发明人：张耀文;杨宗学 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本公开关于存储单元上的顶电极盖结构的形成方法。在一些实施例中，形成顶电极盖结构于存储单元上的方法包括提供存储单元，其包括顶电极、底电极、与阻值存储器夹设于顶电极与底电极之间。对覆盖存储单元的层间介电层进行蚀刻，以形成通孔开口露出存储单元的顶电极。接着形成集气层以衬垫通孔开口，且集气层位于存储单元的顶电极上并邻接顶电极。形成阻氧层于集气层上，且阻氧层邻接集气层。
顶电极存储单元气层盖结构通孔开口邻接底电极阻氧层蚀刻层间介电层存储器覆盖存储夹设

[发明专利]存储单元-CN201711130778.4在审
发明人： 杨宗学;曾元泰;刘世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开实施例提供存储单元，其硬掩模与侧壁间隔物的材料不同。存储单元包括底电极于基板上。切换介电物位于底电极上并具有可变电阻。顶电极位于切换介电物上。硬掩模位于顶电极上。侧壁间隔物沿着切换介电物、顶电极、与硬掩模的侧壁向上延伸。硬掩模与侧壁间隔物具有不同的蚀刻选择性。本公开实施例也提供上述存储单元的形成方法。
存储单元硬掩模侧壁间隔物顶电极介电底电极蚀刻选择性可变电阻向上延伸侧壁基板

[实用新型]无焊接组装式动力配电箱-CN201220746649.4有效
发明人：肖坚;杨宗学;马义健;杜长春;黎爱军 -专利权人：攀钢集团工程技术有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H02B1/46 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种无焊接组装式动力配电箱。箱体的深度、宽度尺寸可以任意扩展。动力配电箱包括：箱体主体，包括前侧框和后侧框；前门，通过连接构件安装于前侧框上；背板，通过连接构件安装在后侧框上，在配电箱内安装电子器件时，背板能够从箱体主体上拆卸；上盖，通过连接构件安装在箱体主体上；底封板，通过连接构件安装在箱体主体上，其中，箱体主体、前门、背板、上盖和底封板均是分体设计。根据本实用新型的实施例的无焊接组装式动力配电箱，具有外形尺寸可任意扩展，外形美观、结构新颖、防护等级高、安全可靠的优点。各种安装件可根据不同用户选用不同元器件而进行各类安装开孔，可很好实现产品的异地组装。
焊接组装动力配电箱

[实用新型]一种空气型母线槽的绝缘支撑装置-CN201220742808.3有效
发明人：黎爱军;杨宗学;马义健;肖坚 -专利权人：攀钢集团工程技术有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H02G5/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种空气型母线槽的绝缘支撑装置。所述绝缘支撑装置包括空气型母线槽、第一绝缘垫块、第二绝缘垫块和连接组件，其中，第一绝缘垫块具有与即将嵌入空气型母线槽的导电铜排的厚度相等的厚度，第二绝缘垫块具有预定的厚度，通过对第一绝缘垫块、第二绝缘垫块以及二者的组合来形成用于嵌入导电铜排的、彼此之间具有预定的电气间隙和爬电距离的多个铜排嵌槽，连接组件将第一绝缘垫块、第二绝缘垫块与空气型母线槽连接为一体。本实用新型能够实现不同容量、规格的空气型母线槽导电铜排的分级可调、快速装配，并且可规模化生产、通用性强。
一种空气母线槽绝缘支撑装置

[发明专利]基于智能电机控制中心的电机控制系统及其控制方法-CN201210533471.X有效
发明人：邹俊良;杨宗学;范斌;杜长春;马义建;刘克勤;黎爱军;叶刚;陈振华;陈维 -专利权人：攀钢集团工程技术有限公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：提供了一种基于智能电机控制中心的电机控制系统及其控制方法。所述基于智能电机控制中心MCC的电机控制系统包括至少一个客户端、至少一个智能电机控制中心以及作为中继设备的服务器，其中，客户端接收用户输入的电机控制指令并将电机控制指令传送给服务器，并从服务器接收关于电机运行状态的参数并进行显示，智能MCC基于通过客户端接收并经由服务器接收的电机控制指令来控制电机的运行并向服务器传送关于电机运行状态的参数，其中，所述至少一个智能MCC通过基于Modbus协议的现场总线连接到服务器，所述至少一个客户端基于TCP/IP协议的总线连接到服务器。
基于智能电机控制中心控制系统及其控制方法

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