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[发明专利]非易失性存储器件及其编程方法-CN201711120376.6有效
发明人：沈烔教;朴相元;全秀昶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：提供了对包括N条串选择线、字线、第一位线组和第二位线组的非易失性存储器件进行编程的方法。该方法可以包括：响应于顺序施加的第一地址至第N地址，通过顺序地选择所述N条串选择线来顺序地对连接到字线和包括在第一位线组中的至少一条位线的第一存储器单元进行编程；然后响应于顺序施加的第N+1地址至第2N地址，通过顺序地选择所述N条串选择线之一来顺序地对连接到字线和包括在第二位线组中的至少一条位线的第二存储器单元进行编程。
非易失性存储器及其编程方法

[发明专利]包括存储器平面的非易失性存储器设备及其操作方法-CN201811189134.7有效
发明人：全秀昶;朴相元;沈烔敎;郭东勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：提供了一种具有存储器芯片的非易失性存储器设备。所述存储器芯片具有包括共享焊盘的多个存储器平面的存储器单元阵列，所述焊盘被配置为传送输入和输出信号。所述存储器芯片还具有控制电路，其被配置为：监视所述多个存储器平面的操作，以及基于监视的结果控制所述多个存储器平面中的至少一个的操作，使得所述多个存储器平面的峰值功率间隔是至少部分地分散的。
包括存储器平面非易失性存储器设备及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器和包括非易失性存储器的存储装置-CN201611071045.3有效
发明人：任琫淳;尹廷允;金志锡;朴相元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：公开了非易失性存储器和包括非易失性存储器的存储装置。存储装置包括非易失性存储器和控制器。控制器向非易失性存储器提供第一数据、地址和编程开始命令，并在向非易失性存储器提供编程开始命令后向非易失性存储器提供第二数据。非易失性存储器被配置为响应于编程开始命令而启动基于第一数据的编程操作并在向非易失性存储器提供第二数据时基于第一数据和第二数据继续执行编程操作。非易失性存储器被配置为基于第一数据执行第一编程循环的编程和验证读取，第一编程循环的验证读取使用一个验证电压来执行。
非易失性存储器包括存储装置

[发明专利]存储器件的操作方法、编程方法及存储器系统的操作方法-CN202211431295.9在审
发明人：李耀翰;南尚完;朴相元;赵志虎;朴恩香 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本公开提供了一种存储器件的操作方法、编程方法及存储器系统的操作方法。公开了一种包括沿与衬底垂直的方向堆叠的多个存储单元的存储器件的操作方法。所述方法包括：基于第一编程参数来对来自所述多个存储单元当中的连接到选定字线的选定存储单元执行第一编程循环至第(n‑1)编程循环；以及在所述第(n‑1)编程循环被执行之后，基于与所述第一编程参数不同的第二编程参数来对所述选定存储单元执行第n编程循环至第k编程循环。在此，n是大于1的整数并且k是大于或等于n的整数。所述第一编程参数和所述第二编程参数中的每一者包括在所述第一编程循环至所述第k编程循环中使用的编程电压增量、2级验证范围和位线强制电压中的至少两者。
存储器件操作方法编程方法存储器系统

[发明专利]非易失性存储器件及操作非易失性存储器件的方法-CN202210976400.0在审
发明人：洪相基;金采勋;朴相元;赵志虎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：提供了非易失性存储器件及操作非易失性存储器件的方法。在操作非易失性存储器件的方法中，所述非易失性存储器件包括存储块，所述存储块包括单元串，其中，每一个所述单元串包括串联连接的且沿垂直方向设置的串选择晶体管、存储单元和接地选择晶体管；在字线设置时段期间将耦接到所述存储单元的每一条字线设置为相应的目标电平；在感测时段期间，通过向耦接到目标存储单元的选定字线施加读取电压、同时向未选字线施加读取通过电压，来执行对所述目标存储单元的感测操作；以及，在字线恢复时段的放电时段期间，在所述非易失性存储器件中的特定电路中消耗连接到所述未选字线的内部电压的同时，将所述未选字线的电压电平恢复到所述内部电压的电平。
非易失性存储器操作方法

[发明专利]非易失性存储器和包括该非易失性存储器的存储装置-CN202211073405.9在审
发明人： 朴相元;郑原宅;李汉埈;全秀昶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器和一种包括该非易失性存储器的存储装置。该非易失性存储器可以包括：第一存储器单元阵列，其包括连接到第一串选择线的第一选择晶体管；第二存储器单元阵列，其包括连接到通过第一切割线与第一串选择线间隔开的第二串选择线的第二选择晶体管；以及外围电路。外围电路可以将第一编程电压提供到第一选择晶体管，将与第一编程电压不同的第二编程电压提供到第二选择晶体管，响应于第一编程电压用第一阈值电压对第一选择晶体管进行编程，并且响应于第二编程电压用具有大于第一阈值电压的电平的电平的第二阈值电压对第二选择晶体管进行编程。
非易失性存储器包括存储装置

[发明专利]非易失性存储器件-CN202210917162.6在审
发明人：崔容赫;李耀翰;朴相元;柳载悳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括均包括存储单元和连接到串选择线的串选择晶体管的单元串；页缓冲电路，页缓冲电路包括均包括被配置为存储强制信息的强制锁存器的页缓冲器；以及控制逻辑电路，被配置为在对选定字线进行编程操作期间，将以下电压中的至少两个电压控制为彼此不同：在位线强制操作之前的第一间隔内施加到所述串选择线的第一电压、在执行所述位线强制操作的第二间隔内施加到所述串选择线的第二电压、以及在执行所述位线强制操作之后的第三间隔内施加到所述串选择线的第三电压，所述位线强制操作用于向所述选定单元串传送所述强制信息。
非易失性存储器

[发明专利]非易失性存储器件-CN202210971323.X在审
发明人： 朴相元;任琫淳;金炳秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件，包括：在竖直方向上堆叠在衬底上方的多条字线；擦除控制线，在第一方向上彼此间隔开并沿第二方向延伸；通道晶体管电路，包括与第一组擦除控制线连接的第一通道晶体管、以及与第二组擦除控制线连接的第二通道晶体管；以及存储单元阵列，包括多个块。第一组擦除控制线相对靠近字线切割区，而第二组擦除控制线相对远离字线切割区。多个块中的每一个包括与字线和擦除控制线连接的多个沟道结构，并且每个沟道结构沿竖直方向延伸。
非易失性存储器

[发明专利]非易失性存储器件-CN202210913374.7在审
发明人：高贵汉;朴相元;金旼勇;崔齐警;崔准虎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供一种非易失性存储器件。该存储器件包括：字线，堆叠在衬底上；串选择线，在字线上，该串选择线在第一水平方向上彼此间隔开并在第二水平方向上延伸；以及存储单元阵列，包括存储块，每个存储块包括与字线和串选择线连接的存储单元。串选择线包括第一串选择线和比第一串选择线更远离字线切割区的第二串选择线，并且在对连接到所选字线和第一串选择线的第一存储单元执行的编程操作之前，执行对连接到所选字线和第二串选择线的第二存储单元执行的编程操作。
非易失性存储器

[发明专利]存储设置数据的存储器件及其操作方法-CN202210512988.4在审
发明人：韩龟渊;朴相元;姜振圭;李来泳;李载惪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：提供的是一种存储设置数据的存储器件及其操作方法。所述存储器件可以包括：单元阵列，所述单元阵列包括多个单元块，每一个所述单元块包括多个页面；以及控制逻辑，所述控制逻辑控制对所述单元阵列的编程和读取操作，其中所述单元阵列的至少一个页面存储包括与所述存储器件的设置操作相关的信息的信息数据读取(IDR)数据，所述单元阵列的至少一个其他页面存储包括所述IDR数据的反转位值的副本IDR数据，并且所述控制逻辑在发生所述IDR数据的读取失败时执行恢复操作，所述恢复操作通过读取所述副本IDR数据来修复从所述单元阵列读取的IDR数据中的错误。
存储设置数据器件及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器件及包括其的存储设备的操作方法-CN202210713815.9在审
发明人：朴周龙;朴相元;申东珍;全秀昶;崔胜涌 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器件及包括其的存储设备的操作方法。所述非易失性存储器件包括：元区域，所述元区域具有存储第一初始数据的第一区域以及存储彼此不同的第二初始数据的多个第二区域；用户区域，所述用户区域被配置为存储用户数据；初始化寄存器，所述初始化寄存器被配置为存储所述第一初始数据或者全部或部分地存储所述第二初始数据；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为使用存储在所述初始化寄存器中的初始数据来执行读取操作、编程操作或擦除操作。
非易失性存储器包括存储设备操作方法

[发明专利]垂直存储器件-CN202210644833.6在审
发明人：权容奭;卢永植;朴相元;徐圣鋎;李东奎;郑宰镛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：一种存储器件，包括：在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸的第一衬底，第一衬底包括存储单元区和第一外围电路区；以及第二衬底，包括第二外围电路区，在第一方向和第二方向上延伸，第二衬底在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上与第一衬底重叠。该存储器件还包括：存储单元阵列，设置在存储单元区中并且包括在第三方向上延伸的多个垂直沟道结构；设置在第二外围电路区中的外围电路；以及在第三方向上延伸穿过第一外围电路区和第二外围电路区的电阻器。该电阻器包括在第一方向上与多个垂直沟道结构重叠的多个电阻接触结构。
垂直存储器件

[发明专利]存储器件-CN202111038556.6在审
发明人：李耀翰;南尚完;朴相元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：一种存储器件包括存储块和外围电路，每个所述存储块包括存储单元，所述外围电路控制所述存储块并对每个所述存储块执行擦除操作。每个存储块包括：堆叠在衬底上的字线，垂直于所述衬底的上表面延伸并且穿透所述字线的沟道结构，以及设置在所述衬底上并且连接到所述沟道结构的源极区。在向目标存储块的所述源极区输入擦除电压的擦除操作期间，所述外围电路在第一时间点使第一字线的电压从第一偏压减小到第二偏压，以及在不同于所述第一时间点的第二时间点使不同于所述第一字线的第二字线的电压从第三偏压减小到第四偏压。
存储器件

[发明专利]存储器设备-CN202110783171.6在审
发明人：沈相元;朴相元;任琫淳;崔允熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：一种存储器设备，包括：第一存储器区域，包括具有多个第一存储器单元的第一存储器单元阵列以及设置在第一存储器单元阵列下方的第一外围电路；第二存储器区域，包括具有多个第二存储器单元的第二存储器单元阵列以及设置在第二存储器单元阵列下方的第二外围电路；以及包括电力布线的焊盘区域。第一存储器区域和第二存储器区域分别地包括分离地确定是否锁定存储器区域中的每个的第一局部锁定电路和第二局部锁定电路。第一存储器区域和第二存储器区域被包括在单个半导体芯片中以共享焊盘区域，并且第一存储器区域和第二存储器区域单独地操作。因此，在存储器设备中，通过选择性地仅停止需要恢复的存储器区域的操作可以减少不必需要的数据丢失。
存储器设备

[发明专利]非易失性存储装置-CN201710547418.8有效
发明人： 朴相元;全秀昶;沈烔教 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括单元串，单元串具有连接到一条位线的多个存储单元。页缓冲器经由感测节点连接到位线并经由位线连接到单元串。页缓冲器包括用于存储位线设定信息的第一锁存器和用于存储强制信息的第二锁存器。第一锁存器被构造为将位线设定信息输出到感测节点，第二锁存器被构造为独立于第一锁存器将强制信息输出到感测节点。
非易失性存储装置

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