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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]非易失性存储装置-CN202210980248.3在审
  • 李耀翰;金采勋;尹廷允;赵志虎;洪相基 - 三星电子株式会社
  • 2022-08-16 - 2023-05-05 - G11C16/14
  • 一种非易失性存储装置包括存储块和控制电路。所述存储块包括多个单元串，其中，所述多个单元串中的每一个单元串包括在垂直方向上串联连接并设置在位线与公共源极线之间的串选择晶体管、多个存储单元和接地选择晶体管。所述控制电路在对目标存储单元的编程操作期间基于编程循环序数与参考序数的比较来调整施加到选定字线的通道晶体管的栅极的高电压的电平，使得所述高电压与施加到所述通道晶体管的漏极的编程电压之间的电压差在所述多个编程循环的至少一部分编程循环中不同。
  • 非易失性存储装置
  • [发明专利]非易失性存储器器件及其编程方法-CN201711429791.X有效
  • 曹溶成;朴一汉;尹廷允;洪允镐 - 三星电子株式会社
  • 2017-12-26 - 2022-07-05 - G11C7/12
  • 提供了一种非易失性存储器器件的编程方法，该方法包括以下步骤：第一编程循环，包括将第一验证电压施加到多个第一存储器单元的字线，该多个第一存储器单元用于在第一目标阈值的第一编程状态中被编程，并且从该多个第一存储器单元中检测出阈值电压小于该第一验证电压的第一慢速存储器单元；第二编程循环，包括向该第一存储器单元施加第一编程脉冲，并向第一慢速存储器单元施加第二编程脉冲，第二编程循环的第二编程脉冲的电压电平大于第二编程循环的第一编程脉冲的电压电平；以及第三编程循环。
  • 非易失性存储器器件及其编程方法
  •  1 
  • 共 4 条
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