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[发明专利]一种多晶硅还原炉内壁涂层智能修复方法及装置-CN202310655539.X在审
发明人： 张宝顺;任长春;成世杰;宗冰;王体虎 -专利权人：青海亚洲硅业多晶硅有限公司;亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海亚洲硅业硅材料有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种多晶硅还原炉内壁涂层智能修复方法及装置，属于还原炉修复技术领域，其包括如下步骤：首先利用智能识别系统判断该还原炉的内部涂层是否受损，若出现受损，则令中央控制器根据涂层的受损位置、受损面积、受损形状以及受损层数编辑打磨和修复程序。然后智能表面预处理系统根据中央处理器编辑的打磨程序开始对受损位置进行打磨以及除尘和清洗。最后再由智能修复系统根据修复程序对还原炉的内壁进行涂层的逐层修复。本发明公开的多晶硅还原炉内壁涂层智能修复方法集涂层受损区域的识别、打磨清洗以及修复于一体，整个作业过程不需要人为参与，实现全自动化智能作业，降低了安全风险，提高制备效率，降低运行成本。
一种多晶还原内壁涂层智能修复方法装置

[发明专利]可降低泄露电流的III族氮化物晶体管结构及其制作方法-CN202111577242.3在审
发明人：魏星;张晓东;赵德胜;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;广东中科半导体微纳制造技术研究院
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种可降低泄露电流的III族氮化物晶体管结构及其制作方法。所述III族氮化物晶体管结构包括：层叠设置的第一异质结和第二异质结，且所述第一异质结与第二异质结经高阻材料和/或插入层电性隔离；与所述第一异质结配合的第一电极、第二电极、第一栅极，所述第一栅极与第一异质结之间设有第三半导体，所述第一栅极还与第一电极电性连接；与所述第二异质结配合的源极、漏极、第二栅极，所述源极、漏极还分别与所述第一栅极、第二电极电性连接，所述第二栅极与第二异质结之间设置有第六半导体上。本发明提供的III族氮化物晶体管结构能够有效低器件反向导通电压，减小器件的面积。
降低泄露电流 iii 氮化物晶体管结构及其制作方法

[发明专利]介质桥结构及其制作方法、MEMS器件-CN202111584071.7在审
发明人：夏先海;王逸群;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种介质桥结构及其制作方法、MEMS器件，所述的介质桥结构，其末端固定于桥墩的支撑面上，所述介质桥的末端形成有第一限位结构，所述桥墩的支撑面上形成有第二限位结构，所述的第一限位结构与所述的第二限位结构相互作用，以至少限制所述的介质桥在水平方向上的移动。本发明将介质桥牢牢固定在桥墩上，实现介质桥在MEMS器件构筑中的高稳定和可靠性。
介质结构及其制作方法 mems 器件

[发明专利]一种串并联补偿器及其控制方法和装置-CN201810519426.6有效
发明人：董云龙;张宝顺;潘磊;黄如海 -专利权人：南京南瑞继保电气有限公司;南京南瑞继保工程技术有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H02J3/18 文献下载
摘要：本发明提出了一种串并联补偿器，至少包括换流器1、换流器2、变压器1以及开关1；换流器1包括交流侧接口与直流侧接口，通过交流侧接口接入交流系统；换流器2具有直流侧接口、交流侧接口和六个结构相同的分支电路。每一分支电路由两种不同类型的功率单元、一个电抗器串联而成。换流器1、2的直流侧正极接口、负极接口分别相连。本发明还相应提出了一种串联补偿器的控制方法和装置。本发明提出的串并联补偿器通过换流器2采用两种不同的功率单元的方式，有效降低了直流侧电压和功率，从而大幅缩减了补偿器成本。
一种串并联补偿及其控制方法装置

[发明专利]一种串联补偿器及其控制方法和装置-CN201810519375.7有效
发明人：潘磊;董云龙;张宝顺;黄如海 -专利权人：南京南瑞继保电气有限公司;南京南瑞继保工程技术有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H02J3/18 文献下载
摘要：本发明提出了一种串联补偿器，至少包括换流器、变压器、开关。换流器具有直流侧接口、交流侧接口和六个结构相同的分支电路。每一分支电路由两种不同类型的功率单元、一个电抗器串联而成，两个分支电路一端之间的连接点为所述交流侧接口，另一端分别作为为直流侧正、负极接口。变压器第一侧绕组与所述换流器的交流侧接口连接，第二侧绕组串联接入线路，第二侧绕组的两端并联连接开关。本发明还相应提出了一种串联补偿器的控制方法和装置。本发明提出的串联补偿器通过换流器采用两种不同的功率单元的方式，有效降低了直流侧电压以及直流侧故障时的故障电流。
一种串联补偿及其控制方法装置

[发明专利]一种混合补偿器及其控制方法和装置-CN201810519409.2有效
发明人： 张宝顺;董云龙;黄如海;潘磊 -专利权人：南京南瑞继保电气有限公司;南京南瑞继保工程技术有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H02J3/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种混合补偿器，至少包括换流器1、换流器2、变压器1、开关1以及无功补偿设备；换流器1包括交流侧接口与直流侧接口，换流器1通过交流侧接口接入交流系统；无功补偿设备接入交流系统；换流器2具有直流侧接口、交流侧接口和六个结构相同的分支电路。每一分支电路由两种不同类型的功率单元、一个电抗器串联而成。换流器1、2的直流侧正极接口、负极接口分别相连。此外还对混合补偿器的开关配置方法进行了说明。本发明还相应提出了一种串联补偿器的控制方法和装置。本发明提出的混合补偿器通过换流器2采用两种不同的功率单元的方式，有效降低了直流侧电压和功率，从而大幅缩减了补偿器成本。
一种混合补偿及其控制方法装置

[发明专利]六方氮化硼层的制备方法、III-V族外延结构及制作方法-CN202310023092.4在审
发明人：周鑫;张丽;张晓东;徐坤;杨锋;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种六方氮化硼层的制备方法、III‑V族外延结构及制作方法。所述制备方法包括：对衬底进行预氮化处理，形成氮化层；形成包含六方氮化硼的第一成核层；进行第一退火处理；交替接触氮源和硼源，进行生长，获得六方氮化硼层。所述制作方法包括：在六方氮化硼层表面生长第二成核层；对第二成核层进行第二退火处理；外延生长III‑V族半导体层。本发明所提供的制备方法能够直接在非铜衬底表面生长形成六方氮化硼层，无需进行剥离键合等处理，提高了以此为基础继续进行的外延生长的品质，且显著降低了工艺复杂程度。本发明所提供的制作方法，无需剥离键合工艺以及特定的铜质衬底，所形成的III‑V族外延层的位错密度低，性能优异。
氮化制备方法 iii 外延结构制作方法

[发明专利]用于TDL-TDC的神经网络测量校准系统和方法-CN202111470307.4在审
发明人：吴东岷;许玥;张宝顺;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G04F10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于TDL‑TDC的神经网络测量校准系统和方法，该系统包括：TDL‑TDC模块，采用码密度校准法完成对延迟链的初始校准，获得初始校准值；温度传感模块，采集FPGA芯片上系统运行温度，获得运行温度信息；上位机神经网络校准模块，搭建多层学习网络，将所述的运行温度信息和初始校准值作为网络的输入，输出为延迟单元的延迟时间，建立温度信息与延迟单元的延迟时间之间对应的非线性变化关系。本发明通过学习网络找出延迟单元延迟时间数据与温度数据之间对应的非线性变化关系，在实际工作时仅需通过一次校准和温度的采集即可得到当前延迟链各段单元更加精确的非线性校准结果。
用于 tdl tdc 神经网络测量校准系统方法

[发明专利]基于金刚石的氮空位色心的集成化磁力计设备-CN202111388953.6在审
发明人：张伟;姜春宇;王逸群;张宝顺;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金刚石的氮空位色心的集成化磁力计设备。该集成化磁力计设备包括激光光源系统、微波产生装置、光电探测装置和具有氮空位色心的金刚石单元，所述激光光源系统的封装壳体上开设有通光孔，所述通光孔用于通过所述封装壳体内的激光器模组产生的激光光束，所述微波产生装置、所述光电探测装置、所述金刚石单元均安装于所述封装壳体的外表面，所述金刚石单元用于同时接收所述激光光束和所述微波产生装置发出的微波，所述光电探测装置用于探测所述金刚石单元激发的荧光。本方案实现了光源、微波源和探测模块三者的集成化，获得小型化、携带方便的磁力计设备。
基于金刚石空位色心集成化磁力计设备

[实用新型]一种耐磨流化床反应器-CN202223122939.4有效
发明人： 张宝顺;冉胜国;任长春;邓华;孟兵营;赵元周;李兴福;董海勇;成世杰;苏明录;杨延生 -专利权人：青海亚洲硅业硅材料有限公司;亚洲硅业（青海）股份有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B01J8/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种耐磨流化床反应器，属于流化床技术领域，其包括反应器本体、导热夹套、出料管、进料管以及气体分布盘。出料管安装于反应器本体的顶部，进料管安装于反应器本体的侧壁，气体分布盘安装于反应器本体的底部，进气管与反应器本体连通，导热夹套包裹在反应器本体的外侧。在出料管的内壁、反应器本体的内壁以及气体分布盘的顶部均设置有耐磨涂层。本实用新型公开的耐磨流化床反应器通过对易磨损部件的表面进行强化，有效的提高了零部件的耐磨性能，使其具有较长的使用寿命和较高的使用可靠性，从而有效的保证生产质量，降低生产成本。
一种耐磨流化床反应器

[发明专利]晶振元件的封装结构及封装方法-CN202310126037.8有效
发明人：张琪;王逸群;姜春宇;吴东岷;曾中明;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03H9/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶振元件的封装结构及封装方法，晶振元件的封装结构包括晶圆体、基板以及恒温晶振元件。所述晶圆体内形成有真空腔室，所述真空腔室的腔室壁上设置有在厚度方向贯穿所述腔室壁的导电柱；所述基板设置于所述真空腔室内，所述基板包括主体部以及与所述主体部间隔设置的支撑部，所述主体部悬空设置于所述真空腔室内，所述支撑部支撑于晶圆体的所述腔室壁上且通过绝热薄膜与所述主体部相连接；所述恒温晶振元件位于所述真空腔室内且设置于所述基板的主体部上，所述恒温晶振元件电连接所述导电柱。本发明的晶振元件的封装结构，采用独特的真空悬挂式封装结构，具有非常小的物理尺寸、低功耗、快速预热和严格的温度稳定性。
元件封装结构方法

[发明专利]一种锥形栅MOSFET器件结构及其制作方法-CN202111291374.X在审
发明人：刘辉;曾春红;董志华;张宝顺;孙玉华;崔奇 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种锥形栅MOSFET器件结构及其制作方法。所述器件结构包括设置在衬底上的器件结构层，以及与所述器件结构层配合的源极、漏极和栅极，并且所述器件结构层上还形成有与所述栅极配合的凹槽；其中，所述凹槽包括第一部分和第二部分，所述第一部分和第二部分沿远离所述器件结构层表面的方向依次设置，所述第一部分的侧壁垂直于所述器件结构层表面设置，所述第二部分的侧壁与所述器件结构层表面形成大于30且小于60°的夹角，以及，所述第二部分的底面为凹槽底壁，且所述凹槽底壁平行于所述器件结构层表面设置。本发明中的锥形栅MOSFET器件结构，反向击穿电压高，正向导通性能好。
一种锥形 mosfet 器件结构及其制作方法

[发明专利]在SiC衬底上生长III族氮化物薄膜的方法及应用-CN202211563222.5在审
发明人：邓旭光;张宝顺;董晟园;曾春红;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种在SiC衬底上生长III族氮化物薄膜的方法及应用。所述方法包括：采用NH3对SiC衬底进行预处理，预处理使SiC衬底表面的晶格台阶间距变大；在经过预处理的SiC衬底表面生长III族氮化物薄膜，包括周期性循环生长的第一生长过程和第二生长过程；第一生长过程采用第一V/III，第二生长过程采用第二V/III，且第一V/III大于第二V/III。本发明所提供的方法通过预处理与交替循环生长的结合，能够显著地控制薄膜内残余应力，很大程度地将薄膜的残余应力控制为适当的残余压应力或较小的残余张应力，得以在确保不发生开裂现象的前提下，显著提高所生长的III族氮化物薄膜的厚度，并显著降低位错密度。
sic 衬底生长 iii 氮化物薄膜方法应用

[发明专利]一种可调节的表面等离激元激光器-CN202011205202.1有效
发明人：于海超;王逸群;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调节的表面等离激元激光器，包括：表面等离激元部，包括基板和在基板上依序层叠设置的金属层、介质层和增益层，金属层含有磁性物质；磁场发生部，用于生成磁场，并且能够调节磁场的强度；其中，表面等离激元部置于磁场内，磁场的磁场方向与基板的面向金属层的表面平行，磁性物质随着磁场的磁场强度的变化产生不同的磁化响应。本发明实现了表面等离激元激光器的输出光的调节。
一种调节表面离激元激光器

[发明专利]端面耦合器及其制作方法、端面耦合方法-CN201910742763.6有效
发明人：孙天玉;王筱;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种端面耦合器及其制作方法，该制作方法包括：提供一光子芯片，在光子芯片的耦合端的上表面具有波导；在耦合端的上表面形成一层覆盖波导并与波导键合的衬底；在衬底表面涂布一层光刻胶层；通过分步曝光和显影，将光刻胶层制作成楔形结构，楔形结构的正投影至少与波导部分重叠，且越远离波导的端面，楔形结构的截面积越大；通过对衬底进行刻蚀，以在衬底上形成与楔形结构对应的模斑转换器。由于模斑转换器的制作是在光子芯片的波导完成后进行，因此属于后道工艺；通过采用分步曝光的方法制作，端面耦合器制作过程更快速；通过采用带槽的光纤固定块来实现模斑转换器与光纤的辅助对准和粘接，可以很好地保证光斑转换过程的高效可靠。
端面耦合器及其制作方法耦合方法