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[发明专利]芯片尺寸封装结构及其制备方法-CN201711246266.4在审
发明人：陈彦亨;周祖源;吴政达;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片尺寸封装结构及其制备方法，所述芯片尺寸封装结构包括：一半导体芯片，所述半导体芯片正面形成有与其内部功能器件相连接的第一连接焊垫；一基板，所述基板的正面形成有第二连接焊垫；金属引线，位于所述半导体芯片与所述基板之间，且与一端与所述第一连接焊垫相连接，另一端与所述第二连接焊垫相连接。本发明的芯片尺寸封装结构通过打线工艺在半导体芯片表面形成金属引线，可以实现单一半导体芯片与基板的电连接，可以实现单一半导体芯片的塑封；同时，通过打线工艺形成的所述金属引线的高度可以根据实际需要进行控制，可以得到高度足够高的金属引线。
半导体芯片芯片尺寸封装结构金属引线焊垫基板打线工艺制备半导体芯片表面功能器件电连接塑封

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201310745717.4在审
发明人： 周祖源 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有栅极结构，所述栅极结构两侧的衬底内具有应力层；在所述应力层内掺杂阻挡离子以形成阻挡层，所述阻挡层到应力层表面具有预设距离；采用自对准硅化工艺使位于所述阻挡层表面的部分应力层形成电接触层，所述电接触层的材料内包括第一金属元素，所述第一金属元素的电阻率低于镍元素或钴元素的电阻率，所述阻挡层能够阻止第一金属元素的原子向应力层底部扩散。所形成的晶体管的载流子迁移率得到的提高、漏电流减少、性能提高。
晶体管形成方法

[发明专利]闪存单元形成方法-CN201310612087.3在审
发明人： 周祖源 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种闪存单元形成方法，包括：在半导体衬底上形成隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层上形成浮栅；在所述浮栅上形成ONO层；在所述ONO层上形成控制栅；对所述浮栅、ONO层和控制栅进行无氧退火处理；在所述浮栅、ONO层和控制栅的侧面以及所述控制栅的顶面形成保护层。所述形成方法在形成浮栅、ONO层和控制栅的叠层结构之后，进行无氧退火处理，修复所述叠层结构的刻蚀工艺所造成的表面晶格损伤，并在浮栅，ONO层和控制栅的侧边边缘形成薄膜保护层，以降低侧边因刻蚀过程所造成的粗糙度，此保护层也使得所述叠层结构在后续工艺过程中都不会受到氧化，ONO层的薄膜厚度均匀性也得到保证，从而提高最终形成的闪存单元的性能。
闪存单元形成方法

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201310611805.5在审
发明人： 周祖源 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成界面层；在所述界面层上形成高K栅介质层；在所述高K栅介质层上形成帽盖层；在所述帽盖层上形成金属栅极；在形成帽盖层之后，对所述界面层和所述高K栅介质层进行无氧致密化处理。所述形成方法先在半导体衬底上形成界面层，在界面层上形成高K栅介质层，在高K栅介质层上形成帽盖层，之后，再对界面层和高K栅介质层进行无氧致密化处理，由于形成了帽盖层，帽盖层可以在无氧致密化处理过程中对高K栅介质层进行保护，防止环境中微量的氧气对界面层和高K栅介质层的氧化作用，从而防止后续形成的晶体管器件阈值电压发生漂移，提高了晶体管的性能。
晶体管形成方法

[发明专利]快速热退火方法-CN201010605225.1有效
发明人： 周祖源 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C21D1/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种快速热退火方法，该方法至少包括一个快速升温步骤及在所述快速升温步骤之后依次进行的四个缓速升温步骤，所述快速升温步骤的升温速度为45□/秒，所述四个缓速升温步骤的升温速度依次逐渐减小。相较于现有技术的两步升温步骤，本发明是将快速热退火菜单结构更改优化，增加了适当步数的升温步骤，将总体的升温过程进行了截割，逐步降低了升温速度，不易产生温度过热现象，也方便了对整个过程的热预算的计算和比较。
快速退火方法

[发明专利]快速热退火方法-CN201010607697.0无效
发明人： 周祖源;孟昭生 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种快速热退火方法，该方法包括：低温台阶阶段，设置边缘区域的灯管功率大于中心区域的灯管功率；升温阶段，设置边缘区域的灯管功率小于中心区域的灯管功率；降温阶段，设置边缘区域的灯管功率大于中心区域的灯管功率。本发明所提供的方法，根据边缘区域和中心区域辐射放热和辐射吸热特性的不同，在各个阶段设置边缘区域和中心区域具有不同的灯管功率，从而使得晶片边缘区域和中心区域具有大致相同的温度，提高了晶片的温度均匀性。
快速退火方法

[发明专利]化学机械研磨方法和研磨设备-CN201010268615.4无效
发明人：曾明;周祖源;孟昭生;汤舍予 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-09-01 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种化学机械研磨方法和研磨装置，该方法包括：在化学机械研磨设备的关键部件外表面设置薄膜层；采用所述化学机械研磨设备对半导体晶片进行化学机械研磨；去除所述薄膜层。本发明所提供的技术方案，在容易产生结晶的化学机械研磨设备的关键部件外表面设置薄膜层，在高速研磨的过程中，溅射的研浆挥发形成的结晶就会附着在薄膜层上，通过更换所述薄膜层，无需停止研磨喷水即可去除结晶，提高生产效率。同时，通过更换喷水管路喷洒不到的位置设置的薄膜层，可以去除通过现有技术的方案难以去除的结晶，减少结晶对半导体晶片的刮伤，提高研磨效果。
化学机械研磨方法设备

[发明专利]导电插塞的制作方法-CN201010208048.3无效
发明人： 周祖源;孟昭生;平延磊 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-06-21 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种导电插塞的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层，所述介电层中包含有接触孔，所述介电层上及接触孔中形成有扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上至少分两次淀积导电材料，直至填满所述接触孔的开口，其中，在两次淀积导电材料之间对所述导电材料进行等离子体轰击。本发明的导电插塞的制作方法采用等离子体轰击导电材料的方法拓宽接触孔开口的孔径，所述接触孔中形成的导电插塞中不会形成有缝隙，从而提高了器件的可靠性。
导电制作方法

[发明专利]监控退火机台温度的方法-CN200910109901.3有效
发明人： 周祖源;孟昭生;李健 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种监控退火机台温度的方法，其特征在于包括下列步骤：在晶圆片表面形成钴金属层，与钴金属保护层；对所述晶圆片进行退火工艺，以形成钴硅化物层；对所述晶圆片进行刻蚀工艺，移除未反应形成钴硅化物层的所述钴金属层后，测量所述钴硅化物层的电阻值；根据电阻值与温度值的对应关系数据库，得出监控温度值，再根据该监控温度值监控退火机台温度。采用上述监控退火机台温度的方法，利用钴硅化物方块电阻对退火机台的敏感温度为500℃～900℃的特性，实现了退火机台低温监控，且能够客观的反映退火机台低温制程的稳定性；采用沉淀法沉积金属，能够容易控制方块电阻的均匀性和容易调整温度的均匀性。
监控退火机台温度方法

[发明专利]半导体晶圆的清洗方法-CN200910197631.6无效
发明人：汤舍予;谢宝强;周祖源 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体晶圆的清洗方法，至少包含如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆上具有刻蚀残余物；采用EKC溶液清洗所述晶圆，去除所述晶圆上的刻蚀残余物；采用一清洗剂清洗所述晶圆，去除所述晶圆上残留的EKC溶液，所述清洗剂为酮基化合物且不含有羟基；去除晶圆表面残留的清洗剂。本发明的优点在于易于控制清洗液中的水含量，从而降低了半导体晶圆的金属线发生缺陷的可能性。
半导体清洗方法

[发明专利]研磨方法-CN200910196726.6无效
发明人：李健;周祖源 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种研磨方法，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆表面具有多个突出表面的电极；在所述晶圆具有电极的表面生长第一介质层，所述第一介质层将电极全覆盖；研磨所述第一介质层至恰好露出电极的表面；在研磨后的第一介质层与电极的表面生长第二介质层，以及研磨第二介质层的表面。本发明的优点在于，采用生长两次介质层的方法，首先生长一层介质层并研磨至电极的表面以改善表面的平整度，再生长一层介质层以将露出的电极覆盖，从而使电极的表面覆盖的介质层具有平整的表面。
研磨方法

[发明专利]晶圆的干燥方法-CN200910196719.6无效
发明人：汤舍予;周祖源;李健;杨兆宇 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆的干燥方法，至少包含如下步骤：提供一晶圆；以去离子水清洗所述晶圆，同时向该去离子水的液面通入异丙醇；移除所述去离子水；以及去除所述晶圆表面的残留液体，使晶圆干燥；其中，所述以去离子水清洗所述晶圆的步骤在酸性气体的气氛中实施。本发明能够避免晶圆上裸露的金属线因发生原电池反应而造成的空洞缺陷，提高了晶圆的生产效率。
干燥方法

[发明专利]一种离子注入方法-CN200910033893.9有效
发明人： 周祖源;汤舍予 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-06-01 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明揭示一种离子注入方法，其包括提供离子源的步骤，对离子进行一次加速的步骤，使加速后的离子通过偏转磁场以筛选出符合能量要求、质量要求和电荷要求的离子的步骤，使筛选后的离子通过校正磁场，调整束流的形状、角度和平行度的步骤，对离子进行一次减速，使离子能量降低到所需注入能量的步骤，以及对半导体硅片进行轰击注入离子的步骤。本发明的离子注入方法，只对离子进行一次加速，一次减速来完成整个离子注入过程，注入过程中束流稳定性较高，而且可降低整个注入过程中的能量污染。
一种离子注入方法

[发明专利]退火的检测方法-CN200910045897.9有效
发明人：何永根;周祖源 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种退火的检测方法，包括步骤：提供至少两个具有牺牲层的半导体基底；对至少两个半导体基底进行离子注入；对离子注入后的半导体基底进行退火；测量退火后的所述半导体基底的电学参数。从而使得检测的过程更精确，测量到的退火对离子注入后的半导体基底的影响的稳定性和一致性更好。
退火检测方法

[发明专利]PLDD掺杂区的形成方法及PMOS器件的制造方法-CN200810205395.3有效
发明人：何永根;周祖源;刘佑铭 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种PLDD掺杂区的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上具有栅极，所述半导体衬底具有初始温度；对所述栅极周围的衬底区域执行轻掺杂工艺，掺入的杂质为硼；执行所述轻掺杂工艺之后，升高所述半导体衬底温度至第一温度，并保持所述半导体衬底于所述第一温度至少1秒；将所述半导体衬底温度由所述第一温度升高至峰值温度；将所述半导体衬底由峰值温度降温至初始温度；其中，所述第一温度小于或等于550℃。本发明还提供一种PMOS器件的制造方法。
pldd 掺杂形成方法 pmos 器件制造

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