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[实用新型]一种无铝的高效五结太阳能电池-CN201821870540.5有效
发明人：黄珊珊;张小宾;潘旭;黄辉廉;张露;刘建庆 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无铝的高效五结太阳能电池，包括Ge衬底，Ge衬底为p型Ge单晶片；在Ge衬底上表面按照层状叠加结构由下至上依次设置有GaInAs/GaInP缓冲层、GaInNAs子电池、GaInAs子电池、第一钙钛矿子电池、第二钙钛矿子电池；GaInAs/GaInP缓冲层和GaInNAs子电池之间通过第一隧道结连接，GaInNAs子电池和GaInAs子电池之间通过第二隧道结连接，所述GaInAs子电池和第一钙钛矿子电池之间通过第三隧道结连接，第一钙钛矿子电池和第二钙钛矿子电池之间通过第四隧道结连接。本实用新型可以提高宽带隙材料的子电池收集效率，增加短路电流，节约生产成本，最终发挥五结电池的优势，提高电池整体光电转换效率。
子电池钙钛矿隧道结本实用新型太阳能电池缓冲层衬底电池光电转换效率节约生产成本衬底上表面宽带隙材料层状叠加短路电流收集效率依次设置单晶片

[实用新型]一种高电流密度晶格失配太阳能电池-CN201821861334.8有效
发明人：高熙隆;刘建庆;刘雪珍;宋欣慰;刘恒昌 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高电流密度晶格失配太阳能电池，采用外延生长技术，在最接近衬底的那个子电池的基区与发射区之间生长具有一定带隙组合的应变补偿量子阱结构。该量子阱所采用的材料光学带隙低于与其毗邻的基区和发射区材料光学带隙，势阱材料和势垒材料厚度均小于临界厚度，同时，与毗邻材料晶格常数失配度不超过10％。此设计方案可以将电子或空穴存储于量子阱内，提高少数载流子收集效率，进而提高光电转换效率；同时，采用应变补偿结构的量子阱，可有效释放应力；另外，利用GaInNAs材料的特有性质，发挥位错阻挡层的作用，降低后续生长的材料中的穿透位错密度，提高材料晶体质量，最终提升电池转换效率。
量子阱太阳能电池晶格失配带隙基区毗邻应变补偿量子阱电池转换效率光电转换效率外延生长技术本实用新型发射区材料少数载流子位错阻挡层材料光学材料晶格材料晶体穿透位错光学带隙空穴存储势垒材料收集效率应变补偿有效释放生长发射区失配度子电池衬底势阱

[实用新型]一种含多个双异质结子电池的五结太阳能电池-CN201821961685.6有效
发明人：黄辉廉;潘旭;黄珊珊;张小宾;张露 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种含多个双异质结子电池的五结太阳能电池，采用金属有机物化学气相沉积技术，以双面抛光的n型GaAs单晶片为衬底，在GaAs衬底的上表面自下而上依次设置有GaAs缓冲层、GaAs子电池、GaInAsP双异质结子电池和AlGaInP子电池；在GaAs衬底的下表面自上而下依次设置有Ga_mIn_1‑mP渐变层、第一Ga_xIn_1‑_xAs双异质结子电池、Ga_nIn_1‑nP渐变层和第二Ga_yIn_1‑yAs双异质结子电池，各子电池之间通过隧道结连接。该五结太阳电池带隙组合为2.06eV、1.7eV、1.4eV、1.0eV、0.75eV，各个子电池的电流失配小，减少光电转换过程中的热能损失，且双异质结子电池可有效的增大电池的开路电压，提高光电转换效率。
结子双异质电池子电池衬底太阳能电池依次设置渐变层金属有机物化学气相沉积光电转换过程光电转换效率本实用新型电流失配开路电压热能损失双面抛光单晶片上表面隧道结下表面带隙

[发明专利]采用电解抛光工艺制作GaN HEMT背面通孔的方法-CN201611006441.8有效
发明人：刘振奇;张杨;毛明明;李煜炜;崔敬峰 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用电解抛光工艺制作GaN HEMT背面通孔的方法，该方法采用MOCVD得到Si衬底AlGaN/GaN异质结实验片；通过台面隔离、正面电极、欧姆接触等，完成GaN HEMT正面工艺；接着对GaN HEMT正面工艺进行涂胶保护；采用化学腐蚀的方式减薄Si衬底背面，并通过电解抛光方式得到较光滑的背面；进行背面光刻并利用金属Ni做刻蚀阻挡层；采用RIE‑ICP刻蚀形成背面通孔；再次采用电解抛光处理被刻蚀表面，最后得到一个光滑的通孔内壁，完成背面通孔制作。通过本发明不仅可以减少抛光时的成本，而且操作简单，容易获得较平滑的刻蚀表面。
采用电解抛光工艺制作 ganhemt 背面方法

[发明专利]一种无铝的高效五结太阳能电池-CN201811344086.4在审
发明人：黄珊珊;张小宾;潘旭;黄辉廉;张露;刘建庆 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铝的高效五结太阳能电池，包括Ge衬底，Ge衬底为p型Ge单晶片；在Ge衬底上表面按照层状叠加结构由下至上依次设置有GaInAs/GaInP缓冲层、GaInNAs子电池、GaInAs子电池、第一钙钛矿子电池、第二钙钛矿子电池；GaInAs/GaInP缓冲层和GaInNAs子电池之间通过第一隧道结连接，GaInNAs子电池和GaInAs子电池之间通过第二隧道结连接，所述GaInAs子电池和第一钙钛矿子电池之间通过第三隧道结连接，第一钙钛矿子电池和第二钙钛矿子电池之间通过第四隧道结连接。本发明可以提高宽带隙材料的子电池收集效率，增加短路电流，节约生产成本，最终发挥五结电池的优势，提高电池整体光电转换效率。
子电池钙钛矿隧道结太阳能电池缓冲层衬底电池光电转换效率节约生产成本衬底上表面宽带隙材料层状叠加短路电流收集效率依次设置单晶片

[发明专利]含多个双异质结子电池的五结太阳能电池及其制备方法-CN201811423445.5在审
发明人：黄辉廉;潘旭;黄珊珊;张小宾;张露 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明公开了一种含多个双异质结子电池的五结太阳能电池及其制备方法，采用金属有机物化学气相沉积技术，以双面抛光的n型GaAs单晶片为衬底，在GaAs衬底的上表面自下而上依次设置有GaAs缓冲层、GaAs子电池、GaInAsP双异质结子电池和AlGaInP子电池；在GaAs衬底的下表面自上而下依次设置有Ga_mIn_1‑mP渐变层、第一Ga_xIn_1‑xAs双异质结子电池、Ga_nIn_1‑nP渐变层和第二Ga_yIn_1‑yAs双异质结子电池，各子电池之间通过隧道结连接。该五结太阳电池带隙组合为2.06eV、1.7eV、1.4eV、1.0eV、0.75eV，各个子电池的电流失配小，减少光电转换过程中的热能损失，且双异质结子电池可有效的增大电池的开路电压，提高光电转换效率。
结子双异质电池子电池衬底太阳能电池依次设置渐变层制备金属有机物化学气相沉积光电转换过程光电转换效率电流失配开路电压热能损失双面抛光单晶片上表面隧道结下表面带隙

[发明专利]一种高电流密度晶格失配太阳能电池及其制备方法-CN201811343894.9在审
发明人：高熙隆;刘建庆;刘雪珍;宋欣慰;刘恒昌 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电流密度晶格失配太阳能电池及其制备方法，采用外延生长技术，在最接近衬底的那个子电池的基区与发射区之间生长具有一定带隙组合的应变补偿量子阱结构。该量子阱所采用的材料光学带隙低于与其毗邻的基区和发射区材料光学带隙，势阱材料和势垒材料厚度均小于临界厚度，同时，与毗邻材料晶格常数失配度不超过10％。此设计方案可以将电子或空穴存储于量子阱内，提高少数载流子收集效率，进而提高光电转换效率；同时，采用应变补偿结构的量子阱，可有效释放应力；另外，利用GaInNAs材料的特有性质，发挥位错阻挡层的作用，降低后续生长的材料中的穿透位错密度，提高材料晶体质量，最终提升电池转换效率。
量子阱太阳能电池晶格失配带隙基区制备毗邻应变补偿量子阱电池转换效率光电转换效率外延生长技术发射区材料少数载流子位错阻挡层材料光学材料晶格材料晶体穿透位错光学带隙空穴存储势垒材料收集效率应变补偿有效释放生长发射区失配度子电池衬底势阱

[发明专利]一种应用于晶格失配多结太阳能电池的新型DBR结构-CN201811344102.X在审
发明人：高熙隆;刘建庆;刘雪珍;宋欣慰;刘恒昌 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于晶格失配多结太阳能电池的新型DBR结构，为叠置于晶格渐变缓冲层之上的GaInNAs/AlGaInAs周期结构，由GaInNAs、AlGaInAs两种合金材料组成，GaInAs子电池叠置于该GaInNAs/AlGaInAs周期结构之上，GaInNAs/AlGaInAs周期结构的GaInNAs折射率较AlGaInAs折射率高，且GaInNAs与AlGaInAs之间及GaInNAs与GaInAs子电池的基区材料GaInAs之间存在晶格失配，失配度不超过3％，这种应变补偿结构有助于应力的释放和位错滑移。本发明可以降低失配引入的外延层中的缺陷密度，提高材料质量，可以提升GaInAs子电池抗辐照性能，增加电池的整体短路电流、开路电压、填充因子等技术指标，提高电池整体光电转换效率。
晶格失配周期结构子电池多结太阳能电池折射率电池晶格渐变缓冲层光电转换效率抗辐照性能短路电流合金材料基区材料技术指标开路电压填充因子应变补偿失配度外延层滑移失配位错应用释放引入

[发明专利]一种应用于晶格失配结构外延生长的石墨盘-CN201811423174.3在审
发明人：刘建庆;高熙隆;刘雪珍;丁杰;刘恒昌;宋欣慰 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于晶格失配结构外延生长的石墨盘，所述石墨盘上形成有若干个用于放置衬底的衬底凹槽，其中，所述衬底凹槽的槽底形成有按1～20个/cm²密度均匀分布的细孔，且所述细孔竖直贯穿石墨盘底部，利用反应室自上而下的压力差，使衬底两面在外延生长过程中始终保持有压力差，即使衬底发生翘曲，亦能被此压力差下压吸附在石墨盘表面。本发明可极大提高半导体外延片均匀性，同时，提高外延生长过程中的温度控制可靠性。
石墨盘衬底晶格失配结构外延生长过程外延生长压力差细孔半导体外延片密度均匀反应室均匀性有压力翘曲竖直吸附下压应用贯穿

[发明专利]一种应用于半导体材料外延生长的石墨盘-CN201811423173.9在审
发明人：刘建庆;文宏;刘雪珍;高熙隆;肖林林;丁杰;杨溢 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于半导体材料外延生长的石墨盘，所述石墨盘上形成有若干个带有一平边的衬底凹槽，用于放置衬底，其中，所述衬底凹槽的槽底上设置有一个平行靠近于平边的长条形凸条，所述长条形凸条的高度低于衬底凹槽深度，长度要求不大于衬底凹槽的平边长度，与衬底的平边长度相匹配，放置在衬底凹槽中的衬底的平边与长条形凸条对齐，通过长条形凸条对衬底起到限位固定的作用。本发明可极大提高半导体外延制造过程的可控性，提高外延生长过程中的产品良率。
衬底长条形平边凸条石墨盘半导体材料外延外延生长过程半导体外延产品良率长度要求限位固定制造过程对齐生长可控性边长匹配平行应用

[发明专利]一种复合结构SiC衬底的隐切实验测试方法-CN201610481195.5有效
发明人：蔡仙清;张杨;王青;郑贵忠;杨翠柏 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合结构SiC衬底的隐切实验测试方法，包括步骤：1)提供一片复合结构SiC衬底，该衬底的表面已长完GaN层，并能够后续做电极形成微波器件；2)将衬底通过完整工艺制做成芯片，形成表面器件图形，背面有划切道；3)将芯片移至激光划切机台内部，采用激光隐切的方式对划切道进行激光扫描切割，扫描方式分为：不同区域扫描，分别扫描1/2/3/4/5/6次，即对同一片子的不同区域进行激光扫描；4)将激光扫描后的芯片进行裂片扩膜，分别取出6个区域的芯粒，应用检测设备对芯片的侧壁形貌进行检测，以分析激光切割侧壁区域的形貌特征。本发明采用接近激光破坏阈值的小功率对晶圆进行多次扫描，从而获得切割剖面平整垂直的SiC衬底芯片。
一种复合结构 sic 衬底切实测试方法

[发明专利]一种双面用高效太阳能电池及其制备方法-CN201810927131.2在审
发明人：黄珊珊;黄辉廉;张小宾;潘旭;刘建庆;彭娜 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面用高效太阳能电池及其制备方法，采用金属有机化学气相沉积技术或分子束外延生长技术在GaAs衬底的上表面依次生长第一GaAs缓冲层、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、GaInP子电池和高掺杂浓度的n型GaAs盖帽层，在GaAs衬底的下表面依次生长第二GaAs缓冲层、GaInNAs子电池和高掺杂浓度的n型GaAs盖帽层，得到GaInP/GaAs/GaInNAs三结电池，在GaInP/GaAs/GaInNAs三结电池上、下表面进行光刻、沉积减反射膜、制备电极及后续电池芯片制作即可；本发明可以使电池的带隙结构与太阳光谱更加匹配，提高GaAs多结电池的整体开路电压，同时电池背面的入射光也能被吸收利用，最终提高电池的光电转换效率。
电池子电池制备高效太阳能电池高掺杂隧道结下表面衬底生长金属有机化学气相沉积光电转换效率分子束外延带隙结构电池芯片减反射膜开路电压太阳光谱入射光上表面电极多结光刻沉积匹配吸收制作

[发明专利]采用电化学工艺制作GaAs MMIC背面通孔的方法-CN201610451557.6有效
发明人：郑贵忠;张杨;彭娜;王青;杨翠柏 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用电化学工艺制作GaAs MMIC背面通孔的方法，该方法采用MOCVD在半绝缘的GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs MMIC异质外延结构；通过台面隔离、正面电极制作、欧姆接触(肖特基势垒制作)、电镀等工艺完成器件的正面工艺；采用高腐蚀速率的化学腐蚀液将背面GaAs减薄，通过电化学抛光形成较光滑的背面；经背面光刻并蒸发金属Ni作为刻蚀阻挡层，采用RIE‑ICP刻蚀形成背面通孔。再次采用电化学抛光处理被刻蚀表面，使通孔内壁光滑，采用磁控溅射和电镀方法淀积金属Au，完成背面通孔制作。通过本发明方法可获得较平滑的蚀刻表面，为后续金属淀积提供了良好的接触表面，大大减小了接触阻抗，提高器件高频工作时的接地特性，同时大大减小了器件制作成本。
采用电化学工艺制作 gaas mmic 背面方法

[发明专利]一种应用于晶圆片涂胶清洗设备的除水雾装置-CN201610634414.9有效
发明人：刘向平;方聪;靳恺;冯钊俊;张露 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于晶圆片涂胶清洗设备的除水雾装置，晶圆片涂胶清洗设备具有密闭的工作空间，为带上盖的箱体；除水雾装置包括置于箱体内的主动辊轴、从动辊轴、传送带、挤压辊，主动辊轴和从动辊轴通过轴承座平行安装在上盖上，传送带的外表面粘结有吸水层形成为复合带，复合带外缠在主、从动辊轴上，由主、从动辊轴紧绷，构成类皮带输送线结构；挤压辊通过轴承座安装在上盖上，并平行置于从动辊轴的旁边，该挤压辊与从动辊轴之间保持有挤压间隙，挤压间隙的宽度小于复合带厚度，经挤压间隙挤压出来的水不会滴落在晶圆片上。本发明可吸附上升的水雾及上盖滴落下来的水滴，并在吸水层未达到饱和前将水挤压出去，避免污染晶圆片表面。
一种应用于晶圆片涂胶清洗设备水雾装置

[发明专利]一种利用常规光刻技术实现深亚微米T型栅的制备方法-CN201610458124.3有效
发明人：毛明明;张杨;黄鸿;王青;马涤非;杨翠柏 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用常规光刻技术实现深亚微米T型栅的制备方法，该方法主要是利用传统步进光刻机，采用涂胶曝光显影步骤，形成图形，并借助PECVD薄膜淀积技术和ICP刻蚀技术，将深亚微米侧壁图形保留，并进行转移，形成栅脚；而后采用传统光刻工艺方法，形成栅帽，制备出深亚微米级的T型栅。通过本发明方法可以有效克服电子束光刻产能低，而步进光刻机传统制备工艺线宽受限，不能加工深亚微米图形的不足与缺点，同时兼顾栅长及产能。
一种利用常规光刻技术实现微米制备方法