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[发明专利]多结太阳能电池外延结构-CN201410360867.8有效
发明人：李华;颜建;吴文俊;王伟明;杨军 -专利权人：江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：公开了一种多结太阳能电池外延结构，包括下层子电池；缓冲层；和上层子电池，所述上层子电池的晶格常数与下层子电池的晶格常数不匹配，并且所述上层子电池以所述下层子电池为基底进行生长；其中，缓冲层位于下层子电池和上层子电池之间，被配置用于减小由下层子电池和上层子电池之间的晶格失配引起的缺陷；其中，所述缓冲层包括靠近下层子电池设置的反向缓冲区，所述反向缓冲区的晶格常数与下层子电池的晶格常数相匹配。本发明的多结太阳能电池外延结构能够减小在多结太阳能电池中由于上下层子电池之间晶格不匹配引起的在下层子电池中的缺陷，从而提高整个电池的效率。
太阳能电池外延结构

[实用新型]多结太阳能电池外延结构-CN201420416573.8有效
发明人：李华;颜建;吴文俊;王伟明 -专利权人：李华;杨军;王伟明;国电科技环保集团股份有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：公开了一种多结太阳能电池外延结构，包括：下层子电池；缓冲层；和上层子电池，所述上层子电池的晶格常数与下层子电池的晶格常数不匹配，并且所述上层子电池以所述下层子电池为基底进行生长；其中，缓冲层位于下层子电池和上层子电池之间，被配置用于减小由下层子电池和上层子电池之间的晶格失配引起的缺陷；其中，所述缓冲层包括靠近下层子电池设置的反向缓冲区，所述反向缓冲区的晶格常数与下层子电池的晶格常数相匹配。本实用新型的多结太阳能电池外延结构能够减小在多结太阳能电池中由于上下层子电池之间晶格不匹配引起的在下层子电池中的缺陷，从而提高整个电池的效率。
太阳能电池外延结构

[发明专利]具有两结锗子电池的四结太阳能电池及其制备方法-CN201210283318.6有效
发明人：陈松岩;李欣;刘蕊;刘晶晶;孙钦钦 -专利权人：厦门大学
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：具有两结锗子电池的四结太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。所述电池设有第一结Ge子电池、第二结Ge子电池、第三结InGaAs子电池、第四结InGaP子电池和接触层；第一结Ge子电池构建在Ge衬底上，Ge衬底作为第一结Ge子电池的基区，第二结Ge子电池与第一结Ge子电池之间由第一隧穿结连接，第三结InGaAs子电池与第二结Ge子电池之间由第二隧穿结连接，第四结InGaP子电池与第三结InGaAs子电池之间由第三隧穿结连接，接触层设在第四结InGaP子电池上。将Ge电池分作两结串联的Ge子电池，实现电池的电流匹配和晶格匹配，解决电流不匹配的问题，还有效提高电池的开路电压和电池的转换效率。
具有两结锗子电池太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种晶格匹配的五结太阳能电池及其制作方法-CN201610318854.3在审
发明人：张小宾;马涤非;王雷;吴波;刘雪珍;黄珊珊;张杨;杨翠柏 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶格匹配的五结太阳能电池及其制作方法，以p型Ge单晶片为衬底，在所述衬底上面按照层状叠加结构由下至上依次设置有GaInP成核层、GaInAs缓冲层、AlGaAs/GaInAs DBR反射层、GaInNAs子电池、GaInAs子电池、AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池；AlGaAs/GaInAs DBR反射层和GaInNAs子电池之间通过第一隧道结连接，GaInNAs子电池和GaInAs子电池之间通过第二隧道结连接，GaInAs子电池和AlGaInAs子电池通过第三隧道结连接，AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池通过第四隧道结连接。本发明可以提高GaInNAs子电池收集效率，增加五结电池的整体短路电流，而且可以减少GaInNAs子电池厚度，节约生产成本，最终发挥五结电池的优势，提高电池整体光电转换效率。
一种晶格匹配太阳能电池及其制作方法

[实用新型]一种晶格匹配的五结太阳能电池-CN201620437416.4有效
发明人：张小宾;马涤非;王雷;吴波;刘雪珍;黄珊珊;张杨;杨翠柏 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶格匹配的五结太阳能电池，以p型Ge单晶片为衬底，在所述衬底上面由下至上依次设置有GaInP成核层、GaInAs缓冲层、AlGaAs/GaInAs DBR反射层、GaInNAs子电池、GaInAs子电池、AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池；AlGaAs/GaInAs DBR反射层和GaInNAs子电池之间通过第一隧道结连接，GaInNAs子电池和GaInAs子电池之间通过第二隧道结连接，GaInAs子电池和AlGaInAs子电池通过第三隧道结连接，AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池通过第四隧道结连接。本实用新型可以提高GaInNAs子电池收集效率，增加五结电池的整体短路电流，而且可以减少GaInNAs子电池厚度，节约生产成本，最终发挥五结电池的优势，提高电池整体光电转换效率。
一种晶格匹配太阳能电池

[发明专利]一种双面生长的InP五结太阳电池-CN201510956796.2有效
发明人：张恒;孙强;刘如彬;张启明;唐悦 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L31/0735 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面生长的InP五结太阳电池，包括双面抛光的InP衬底，InP衬底上表面设置有(AlxGa1‑x)yIn1‑yP子电池，AlzGa1‑zAs子电池，GamIn1‑mP组分渐变缓冲层，InP子电池窗口层和InP子电池发射区层，InP衬底下表面设置有InP子电池背场层，GaInAsP子电池和GaInAs子电池。(AlxGa1‑x)yIn1‑yP子电池和AlzGa1‑zAs子电池通过第四隧道结连接，GamIn1‑mP组分渐变缓冲层和InP子电池窗口层通过第三隧道结连接，InP子电池背场层和GaInAsP子电池通过第二隧道结连接，GaInAsP子电池和GaInAs子电池通过第一隧道结连接。
一种双面生长 inp 太阳电池

[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法-CN201911251295.9有效
发明人：吴真龙;何胜;邢永禄;郭文辉;李俊承 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制作方法，太阳能电池包括：依次层叠设置的第一子电池、第二子电池和第三子电池；位于第一子电池与第二子电池之间的第一隧穿结；位于第一隧穿结与第二子电池之间的变质缓冲层；位于第二子电池与第三子电池之间的第二隧穿结；变质缓冲层包括至少一层窗口层、一层过冲层和至少一层第一子缓冲层；每层子缓冲层均位于第一子电池和过冲层之间，沿第一子电池至第二子电池的方向，每层子缓冲层的晶格常数递增；过冲层位于最接近第二子电池的子缓冲层和最接近第一子电池的窗口层之间，过冲层的晶格常数大于第二子电池的晶格常数；每层窗口层均位于过冲层和第二子电池之间。
一种太阳能电池及其制作方法

[发明专利]单片的变质的多结太阳能电池-CN202110783595.2有效
发明人： M·莫伊泽尔;A·贝格;P·施罗特;S·施赖埃尔 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：一种单片的变质的多结太阳能电池，包括：第一III‑V族子电池，第二III‑V族子电池，第三III‑V族子电池，第四Ge子电池，其中，所述子电池以所说明的顺序彼此相继堆叠，所述第一子电池构造最上方的子电池，在所述第三子电池和所述第四子电池之间构造变质缓冲层，所有子电池分别具有n掺杂的发射极层和p掺杂的基极层，在所述第二子电池中，所述发射极层的厚度大于所述基极层的厚度。
单片变质太阳能电池

[发明专利]单片的变质的多结太阳能电池-CN202110793599.9在审
发明人： M·莫伊泽尔;A·贝格;P·施罗特 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：一种单片的变质的多结太阳能电池，其包括第一III‑V族子电池和第二III‑V族子电池和第三III‑V族子电池和第四Ge子电池，其中，所述子电池以所说明的顺序彼此上下堆叠，并且所述第一子电池构造最上方的子电池，并且在所述第三子电池与所述第四子电池之间构造有变质缓冲层，并且所有子电池都分别具有n掺杂的发射极层和p掺杂的基极层，并且在所述第二子电池中发射极掺杂小于基极掺杂。
单片变质太阳能电池

[发明专利]单片的变质的多结太阳能电池-CN202110781830.2在审
发明人： M·莫伊泽尔;D·富尔曼 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：一种单片的变质的多结太阳能电池，其包括第一III‑V族子电池和第二III‑V族子电池和第三III‑V族子电池和第四Ge子电池，其中，所述子电池以所说明的顺序彼此上下堆叠，并且所述第一子电池构造最上方的子电池，并且在所述第三子电池与所述第四子电池之间构造有变质缓冲层，并且所有子电池都分别具有n掺杂的发射极层和p掺杂的基极层，并且在所述第二子电池中发射极掺杂大于基极层。
单片变质太阳能电池

[发明专利]一种无铝的高效五结太阳能电池-CN201811344086.4在审
发明人：黄珊珊;张小宾;潘旭;黄辉廉;张露;刘建庆 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铝的高效五结太阳能电池，包括Ge衬底，Ge衬底为p型Ge单晶片；在Ge衬底上表面按照层状叠加结构由下至上依次设置有GaInAs/GaInP缓冲层、GaInNAs子电池、GaInAs子电池、第一钙钛矿子电池、第二钙钛矿子电池；GaInAs/GaInP缓冲层和GaInNAs子电池之间通过第一隧道结连接，GaInNAs子电池和GaInAs子电池之间通过第二隧道结连接，所述GaInAs子电池和第一钙钛矿子电池之间通过第三隧道结连接，第一钙钛矿子电池和第二钙钛矿子电池之间通过第四隧道结连接。本发明可以提高宽带隙材料的子电池收集效率，增加短路电流，节约生产成本，最终发挥五结电池的优势，提高电池整体光电转换效率。
子电池钙钛矿隧道结太阳能电池缓冲层衬底电池光电转换效率节约生产成本衬底上表面宽带隙材料层状叠加短路电流收集效率依次设置单晶片

[实用新型]一种无铝的高效五结太阳能电池-CN201821870540.5有效
发明人：黄珊珊;张小宾;潘旭;黄辉廉;张露;刘建庆 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无铝的高效五结太阳能电池，包括Ge衬底，Ge衬底为p型Ge单晶片；在Ge衬底上表面按照层状叠加结构由下至上依次设置有GaInAs/GaInP缓冲层、GaInNAs子电池、GaInAs子电池、第一钙钛矿子电池、第二钙钛矿子电池；GaInAs/GaInP缓冲层和GaInNAs子电池之间通过第一隧道结连接，GaInNAs子电池和GaInAs子电池之间通过第二隧道结连接，所述GaInAs子电池和第一钙钛矿子电池之间通过第三隧道结连接，第一钙钛矿子电池和第二钙钛矿子电池之间通过第四隧道结连接。本实用新型可以提高宽带隙材料的子电池收集效率，增加短路电流，节约生产成本，最终发挥五结电池的优势，提高电池整体光电转换效率。
子电池钙钛矿隧道结本实用新型太阳能电池缓冲层衬底电池光电转换效率节约生产成本衬底上表面宽带隙材料层状叠加短路电流收集效率依次设置单晶片

[发明专利]四结级联的太阳能电池及其制备方法-CN201410016801.7有效
发明人：何洋;董建荣;李奎龙;孙玉润 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供的一种四结级联的太阳能电池，包括依次设置的GaInP子电池、GaAs子电池、InGaAlAs子电池以及InGaAs子电池，其中，所述GaAs子电池和InGaAlAs子电池之间设有一由InxGa1‑x‑yAlyAs材料形成的渐变过渡层，所述渐变过渡层的带隙大于GaAs子电池的带隙。该四结级联的太阳能电池，通过分别具有1.90eV、1.42eV、1.00eV和0.73eV带隙的GaInP子电池、GaAs子电池、InGaAlAs子电池和InGaAs子电池，降低各子电池之间的电流失配，从而减小光电转换过程中的热能损失，提高太阳能电池的转换效率；同时，该太阳能电池通过一次生长并与第二衬底键合的方式形成，不仅降低了太阳能电池的制备难度，同时也降低了该太阳能电池的制备成本。
级联太阳能电池及其制备方法

[发明专利]包含具有分级掺杂的稀释氮化物子电池的多结太阳能电池-CN201180052889.2有效
发明人：普拉诺·米萨;丽贝卡·伊丽莎白·琼斯艾伯特斯;刘楟;伊欧雅·富士曼;侯曼·伯纳德·禺恩 -专利权人：太阳结公司
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：具有基于稀释氮化物的子电池的晶格匹配的太阳能电池具有指数掺杂以控制太阳能电池的载流容量。具体地，公开了具有至少一个稀释氮化物子电池的太阳能电池，该至少一个稀释氮化物子电池具有可变掺杂的基极或射极。在一个实施方式中，晶格匹配的多结太阳能电池具有上部子电池、中间子电池和下部稀释氮化物子电池，该下部稀释氮化物子电池在基极和/或射极中具有至少部分指数掺杂以改善太阳能电池性能特性的掺杂。相比之下，稀释氮化物子电池可具有最小的带隙并且与基底晶格匹配，中间电池通常具有比稀释氮化物子电池更大的带隙，同时还与稀释氮化物子电池晶格匹配。上部子电池通常具有最大带隙并且与相邻子电池晶格匹配。
包含具有分级掺杂稀释氮化物电池太阳能电池

[发明专利]一种高效倒装五结太阳能电池及其制备方法-CN201210297864.5无效
发明人：毕京锋;林桂江;刘建庆;丁杰 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效倒装五结太阳能电池及其制备方法，该结构至上而下包括下面各子电池：倒装生长的(Al)GaInP第一子电池；倒装生长的AlGaAs(P)第二子电池，晶格常数与第一子电池匹配；倒装生长的Ga(In)As(P)第三子电池，晶格常数与第二子电池匹配；倒装生长的Ga1-XInXAs第四子电池，晶格常数大于第三子电池；倒装生长的Ga1-yInyAs第五子电池，晶格常数大于第二子电池；第一渐变缓冲层，位于所述第三、第四子电池之间，组分渐变；第二渐变缓冲层，位于所述第四、第五子电池之间，组分渐变。此太阳能电池结构合理配置了各子电池的带隙，在拓宽太阳能吸收范围的同时能够实现各结电池电流匹配，运用此方法能够制备出高晶格质量、低位错密度、电流匹配的高效倒装五结太阳能电池。
一种高效倒装太阳能电池及其制备方法

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