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[发明专利]一种漂移区非均匀掺杂的氧化镓基TMBS器件-CN202310996455.2在审
发明人： 贾仁需;程怡;元磊;王正华;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种漂移区非均匀掺杂的氧化镓基TMBS器件，包括：衬底层；N‑漂移区，N‑漂移区包括第一N‑漂移子区和第二N‑漂移子区，第一N‑漂移子区设置于衬底层上，第二N‑漂移子区设置于部分第一N‑漂移子区上；介质层，设置于第二N‑漂移子区两侧的第一N‑漂移子区的上表面和第二N‑漂移子区的两侧面；阳极，设置于介质层和第二N‑漂移子区上，阳极与第二N‑漂移子区的界面为肖特基接触；阴极，设置于衬底层中远离N‑漂移区的下表面，阴极与衬底层的界面为欧姆接触；N‑漂移区的掺杂浓度从阳极与第二N‑漂移子区的界面至第一N‑漂移子区与衬底层的界面线性增加。本发明通过优化漂移区的掺杂以获得均匀垂直的电场，可以最大化电场分布的面积，从而得到给定沟槽深度下的电压。
一种漂移均匀掺杂氧化 tmbs 器件

[发明专利]基于碳化硅衬底的半导体结构制备方法及半导体结构-CN201910975090.9有效
发明人： 贾仁需;于淼;余建刚;王卓 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碳化硅衬底的半导体结构制备方法，包括：选取碳化硅衬底层；在所述碳化硅衬底层表面上制备(InxGa1‑x)2O3缓冲层；在所述(InxGa1‑x)2O3缓冲层表面上制备Ga2O3薄膜层。本发明所提供的基于碳化硅衬底的半导体结构制备方法首先在碳化硅衬底层表面形成(InxGa1‑x)2O3缓冲层，从而减少了由于晶格失配引起的位错缺陷，然后又在(InxGa1‑x)2O3缓冲层表面形成Ga2O3薄膜层，从而提高后续生长的Ga2O3薄膜层的结晶度，最终实现了在碳化硅衬底层上制备高结晶的Ga2O3薄膜材料的结构。
基于碳化硅衬底半导体结构制备方法

[发明专利]碳化硅外延氧化镓薄膜方法及碳化硅外延氧化镓薄膜结构-CN201910974289.X有效
发明人： 贾仁需;于淼;余建刚;王卓 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅外延氧化镓薄膜的方法，包括：选取碳化硅衬底层；在所述碳化硅衬底层表面上制备(AlxGa1‑x)2O3缓冲层；在所述(AlxGa1‑x)2O3缓冲层表面上制备Ga2O3薄膜层。本发明所提供的碳化硅外延氧化镓薄膜的制备方法首先在碳化硅衬底层表面形成(AlxGa1‑x)2O3缓冲层，从而减少了由于晶格失配引起的位错缺陷，然后又在(AlxGa1‑x)2O3缓冲层表面形成Ga2O3薄膜层，从而提高后续生长的Ga2O3薄膜层的结晶度，最终实现了在碳化硅衬底层上制备高结晶的Ga2O3薄膜材料的结构。
碳化硅外延氧化薄膜方法结构

[发明专利]一种MEMS麦克风结构及其制备方法-CN202210153476.3有效
发明人： 贾仁需;胡磊;元磊;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS麦克风结构及其制备方法，包括：麦克风本体；麦克风本体上设有第一电极通孔、第一电极安装槽、第二电极通孔和第二电极安装槽；第一电极通孔、第一电极安装槽和第二电极安装槽的侧壁上均覆盖有二氧化硅连接层；二氧化硅连接层表面平滑且为背向侧壁凸起的弧面。本发明的麦克风结构及其制备方法通过在第一电极通孔、第一电极安装槽和第二电极安装槽的侧壁上均覆盖有表面平滑的二氧化硅连接层，金属电极与二氧化硅连接层的接触面较为平滑，金属电极覆盖性较佳，避免金属电极连接发生断裂造成的器件失效，提升了器件制造良率。
一种 mems 麦克风结构及其制备方法

[发明专利]提升屏蔽栅沟槽MOS器件安全工作区能力的结构及制备方法-CN202310074492.8在审
发明人： 贾仁需;王宝剑;元磊;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升屏蔽栅沟槽MOS器件安全工作区能力的结构及制备方法，方法包括：在外延层上刻蚀若干深沟槽；在每个深沟槽内沉积氧化层；其中，在每个深沟槽内沉积的氧化层呈U型结构；在每个U型结构内沉积多晶硅源极；刻蚀氧化层和多晶硅源极，使每个深沟槽内氧化层的厚度低于多晶硅源极且多晶硅源极的厚度低于外延层；在多晶硅源极的周围沉积一层薄薄的氧化层；在每个深沟槽的氧化层上沉积多晶硅栅极；对深沟槽外的外延层进行P型离子注入形成低浓度体区；根据SOA能力需求，选择性对低浓度体区进行P型离子注入形成高浓度体区；在整个器件表面进行N型离子注入形成N型有源区。本发明可以应用于更高SOA需求的场景。
提升屏蔽沟槽 mos 器件安全工作能力结构制备方法

[发明专利]一种异质结沟槽T型栅功率MOSFET器件及其制备方法-CN202210143112.7在审
发明人： 贾仁需;赵淑婷;元磊;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结沟槽T型栅功率MOSFET器件及其制备方法，包括：衬底、异质外延缓冲层、外延沟道层、源区重掺杂欧姆接触区、漏电极和栅电极；异质外延缓冲层的材料为β‑Ga2O3；异质外延缓冲层内分别设有源区电流阻挡层；异质外延缓冲层内设有外延沟道层；外延沟道层的材料为掺杂的β‑Ga2O3；外延沟道层上开设有沟槽；外延沟道层上和沟槽的内壁上设有第一栅氧化层；第一栅氧化层的表面设有第二栅氧化层，第二栅氧化层的表面设有第三栅氧化层；异质外延缓冲层上设有钝化层；栅电极的两侧分别设有源电极；述源电极下端连接有源区重掺杂欧姆接触区。本发明提高了β‑Ga2O3MOSFET击穿电压，减少栅漏电流，改善器件高温可靠性，实现增强型MOSFET。
一种异质结沟槽功率 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种基于CH3-CN201910470603.0有效
发明人： 贾仁需;刘晶煌;李欢;庞体强;汪钰成;杜永琪 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3和Al2O3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法。其中，该制备方法包括步骤：在衬底的第一面生长Al2O3材料，形成栅介质层；在所述栅介质层上生长CH3NH3PbI3材料，形成光吸收层；在所述光吸收层上生长第一电极；在所述衬底的第二面生长第二电极。本发明实施例MOS电容光敏器件采用Al2O3材料作为栅介质层，Al2O3材料为高K栅介质材料，高K栅介质材料使器件在暗态条件下几乎不导通，从而暗态下第一电极与第二电极之间的电流极小，大幅度减少了栅泄漏电流，降低了器件的功耗，提高了器件的光敏特性，有利于减小MOS器件的特征尺寸，实现MOS器件的小型化设计。
一种基于 ch base sub

[发明专利]一种基于电容电流反馈控制的BUCK电路-CN201910181485.1有效
发明人：张艺蒙;王茂林;贾仁需;宋庆文;汤晓燕;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于电容电流反馈控制的BUCK电路，包括基本BUCK电路模块用于直流到直流的降压变换；电容电流检测模块连接基本BUCK电路模块，用于检测基本BUCK电路模块的支路电流；控制信号生成模块连接电容电流检测模块、基本BUCK电路模块和负载响应控制模块，用于产生控制信号；负载响应控制模块连接死区时间产生模块，用于根据所述控制信号实现基本BUCK电路模块的快速负载响应；死区时间产生模块连接基本BUCK电路模块，用于产生预设时间，以适应基本BUCK电路模块的延时响应。本发明的BUCK电路采用的电容电流检测模块，可以获得精确的输出电容支路的电流信号，而且电容电流作为控制信号获得更好的负载切换瞬态响应。
一种基于电容电流反馈控制 buck 电路

[发明专利]一种双异质结钙钛矿光电器件及其制备方法-CN201810466984.0有效
发明人： 贾仁需;李欢;汪钰成;庞体强 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种双异质结钙钛矿光电器件及其制备方法，所述制备方法包括：选取Si衬底；在Si衬底的一侧表面沉积金属Al形成下电极；在Si衬底的另一侧表面沉积金属氧化物形成界面缓冲层；在界面缓冲层上沉积CH3NH3PbI3形成光吸收层；在光吸收层上沉积金属Au形成上电极，形成双异质结钙钛矿光电器件。该双异质结钙钛矿光电器件依次包括上电极、CH3NH3PbI3光吸收层、界面缓冲层、Si衬底和下电极。所述双异质结钙钛矿光电器件在Si衬底与CH3NH3PbI3之间包括界面缓冲层，降低Si衬底与CH3NH3PbI3光吸收层之间的能量失配，减少光生电子与光生空穴的复合，提高光电器件的灵敏度。
一种双异质结钙钛矿光电器件及其制备方法

[发明专利]一种SiC MOSFET栅氧化层退火方法-CN201811288681.0有效
发明人：邵锦文;侯同晓;孙致祥;贾仁需;元磊;张秋洁;刘学松 -专利权人：秦皇岛京河科学技术研究院有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC MOSFET栅氧化层退火方法，包括：制备SiC外延片；在所述SiC外延片上生长SiO2栅氧化层；在惰性气体与Cl2混合气体环境条件下，对所述SiO2栅氧化层进行退火处理。本发明使用惰性气体与Cl2混合气体退火SiC MOSFET器件的SiO2栅氧化层，提高了SiC MOSFET器件中SiO2栅氧化层的临界击穿电场能力。
一种 sic mosfet 氧化退火方法

[发明专利]基于CH3-CN201810592160.8有效
发明人： 贾仁需;李欢;汪钰成;庞体强 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3和MoSe2材料的光敏器件及其制备方法，包括以下步骤：选取Si衬底；在Si衬底上表面生长绝缘层；在绝缘层表面制备MoSe2材料形成导通层；在导通层表面溅射Au材料形成叉指电极层；在叉指电极层上生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层，从而形成所述基于CH3NH3PbI3和MoSe2材料的光敏器件。利用CH3NH3PbI3材料和MoSe2材料的特性来制备光敏器件，使其具有高光灵敏度、高电子迁移率的特点。
基于 ch base sub

[发明专利]一种基于CH3-CN201810592174.X有效
发明人： 贾仁需;李欢;汪钰成;庞体强 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3和Y2O3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法，包括以下步骤：选取Si衬底；在Si衬底上表面生长Y2O3材料形成栅介质层；在栅介质层上表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；在光吸收层上表面溅射Au材料形成第一电极；在Si衬底下表面溅射Al材料形成第二电极，从而形成基于CH3NH3PbI3材料和Y2O3材料的MOS电容光敏器件。利用CH3NH3PbI3材料作为光吸收层和Y2O3材料作为栅介质层来制备光敏器件，对改善现有光敏器件的性能具有很大的作用，本发明的光敏器件具有低功耗、高灵敏度的特点。
一种基于 ch base sub

[发明专利]基于(Inx-CN201810900497.0有效
发明人： 贾仁需;余建刚;元磊;张弘鹏 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于(InxGa1‑x)2O3的双波段紫外光电器件及其制备方法，所述方法包括：选取衬底；在所述衬底上表面生长(InxGa1‑x)2O3材料形成紫外光吸收层；在所述紫外光吸收层的上表面生长Au和In形成叉指电极。所述器件包括衬底层、(InxGa1‑x)2O3紫外光吸收层以及叉指电极，其中，所述叉指电极为非对称结构，包括具有不同指宽的Au电极部分和In电极部分。该基于(InxGa1‑x)2O3的双波段紫外光电器件在高In组份的情况下，(InxGa1‑x)2O3会发生相的分离，产生两个光学带隙，从而对两个紫外光谱范围产生感应，并且具有自供电特性。
基于 in base sub

[发明专利]高电子迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法-CN201710852545.9有效
发明人： 贾仁需;杨宇;元磊;张玉明;彭博 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种高电子迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法，所述制备方法包括：选取4H‑SiC衬底；在所述4H‑SiC衬底上生长N型Ga2O3外延层；在所述N型Ga2O3外延层中制作源区和漏区；在所述源区与所述漏区的表面制作电极以完成源极与漏极的制备；在所述N型Ga2O3外延层上制作栅极以完成所述晶体管的制备。本发明提供的高电子迁移率自旋场效应晶体管，采用N型Ga2O3材料作为源极、漏极以及沟道材料，极大地提高了自旋注入和接收的效率，从而提高了器件的性能。
电子迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]Mn掺杂异质结自旋场效应晶体管的制备方法-CN201710421218.8有效
发明人： 贾仁需;杨宇;元磊;张玉明;彭博 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种Mn掺杂异质结自旋场效应晶体管的制备方法，该方法包括：选取蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底表面生长Ga2O3外延层；在Ga2O3外延层注入Mn离子形成源区和漏区；对Ga2O3外延层进行涂胶、显影，在源区和漏区表面制作欧姆接触源极和漏极；利用等离子体增强化学气相淀积法在Ga2O3外延层表面生长隔离层；在Ga2O3外延层表面制作肖特基接触栅电极；通过本发明制备的晶体管，可通过调节离子注入的剂量和退火时间改变源漏材料中的掺杂浓度和缺陷浓度，从而优化室温下材料的自旋极化率。
mn 掺杂异质结自旋场效应晶体管制备方法

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