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[发明专利]一种基于CH3-CN201910470603.0有效
发明人：贾仁需;刘晶煌;李欢;庞体强;汪钰成;杜永琪 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3和Al2O3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法。其中，该制备方法包括步骤：在衬底的第一面生长Al2O3材料，形成栅介质层；在所述栅介质层上生长CH3NH3PbI3材料，形成光吸收层；在所述光吸收层上生长第一电极；在所述衬底的第二面生长第二电极。本发明实施例MOS电容光敏器件采用Al2O3材料作为栅介质层，Al2O3材料为高K栅介质材料，高K栅介质材料使器件在暗态条件下几乎不导通，从而暗态下第一电极与第二电极之间的电流极小，大幅度减少了栅泄漏电流，降低了器件的功耗，提高了器件的光敏特性，有利于减小MOS器件的特征尺寸，实现MOS器件的小型化设计。
一种基于 ch base sub

[发明专利]一种双异质结钙钛矿光电器件及其制备方法-CN201810466984.0有效
发明人：贾仁需;李欢;汪钰成;庞体强 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种双异质结钙钛矿光电器件及其制备方法，所述制备方法包括：选取Si衬底；在Si衬底的一侧表面沉积金属Al形成下电极；在Si衬底的另一侧表面沉积金属氧化物形成界面缓冲层；在界面缓冲层上沉积CH3NH3PbI3形成光吸收层；在光吸收层上沉积金属Au形成上电极，形成双异质结钙钛矿光电器件。该双异质结钙钛矿光电器件依次包括上电极、CH3NH3PbI3光吸收层、界面缓冲层、Si衬底和下电极。所述双异质结钙钛矿光电器件在Si衬底与CH3NH3PbI3之间包括界面缓冲层，降低Si衬底与CH3NH3PbI3光吸收层之间的能量失配，减少光生电子与光生空穴的复合，提高光电器件的灵敏度。
一种双异质结钙钛矿光电器件及其制备方法

[发明专利]基于CH3-CN201810592160.8有效
发明人：贾仁需;李欢;汪钰成;庞体强 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3和MoSe2材料的光敏器件及其制备方法，包括以下步骤：选取Si衬底；在Si衬底上表面生长绝缘层；在绝缘层表面制备MoSe2材料形成导通层；在导通层表面溅射Au材料形成叉指电极层；在叉指电极层上生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层，从而形成所述基于CH3NH3PbI3和MoSe2材料的光敏器件。利用CH3NH3PbI3材料和MoSe2材料的特性来制备光敏器件，使其具有高光灵敏度、高电子迁移率的特点。
基于 ch base sub

[发明专利]一种基于CH3-CN201810592174.X有效
发明人：贾仁需;李欢;汪钰成;庞体强 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3和Y2O3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法，包括以下步骤：选取Si衬底；在Si衬底上表面生长Y2O3材料形成栅介质层；在栅介质层上表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；在光吸收层上表面溅射Au材料形成第一电极；在Si衬底下表面溅射Al材料形成第二电极，从而形成基于CH3NH3PbI3材料和Y2O3材料的MOS电容光敏器件。利用CH3NH3PbI3材料作为光吸收层和Y2O3材料作为栅介质层来制备光敏器件，对改善现有光敏器件的性能具有很大的作用，本发明的光敏器件具有低功耗、高灵敏度的特点。
一种基于 ch base sub

[发明专利]异质结阻变存储器及其制备方法-CN201710411588.3有效
发明人：贾仁需;董林鹏;栾苏珍;庞体强;张玉明;汪钰成;刘银涛 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结阻变存储器及其制备方法，该方法包括：制备半绝缘衬底；在半绝缘衬底表面依次连续生长粘附层、底电极和Ga2O3薄膜；利用旋涂工艺在Ga2O3薄膜表面生长CH3NH3PbI3薄膜；在CH3NH3PbI3薄膜表面生长点状顶电极，最终形成异质结阻变存储器。本发明由于阻变层采用异质结，易于调制，电阻的记忆与弛豫过程受耗尽层宽度、内建电场强度等因素的调节，增加了忆阻性能调控的灵活性；对材料的选择性较弱，忆阻行为性能稳定，有助于忆阻器件的半定量化研究，为器件设计及进一步发展奠定了基础。
异质结阻变存储器及其制备方法

[发明专利]平面型光电探测器及其制备方法-CN201710848508.0有效
发明人：贾仁需;庞体强;栾苏珍;张玉明;汪钰成;刘银涛 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种平面型光电探测器及其制备方法，所述制备方法包括：选取衬底；在所述衬底表面制作光吸收层；在所述光吸收层表面制作电极以完成所述光电探测器的制备。本发明提供的平面型光电探测器，通过控制MoS2的厚度来调谐其能量带隙值从而降低背景噪声；可以实现增强超快的可见‑近红外宽谱响应；可以降低暗电流和背景载流子浓度。
平面光电探测器及其制备方法

[发明专利]基于Ga2-CN201710412534.9有效
发明人：贾仁需;董林鹏;栾苏珍;庞体强;张玉明;汪钰成;刘银涛 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器的制备方法，包括：选取半绝缘半透明衬底；在所述衬底表面淀积形成底电极；在所述底电极表面淀积Ga2O3层；在所述Ga2O3层表面旋涂钙钛矿层；在所述钙钛矿层表面淀积形成顶电极，以完成所述光电探测器的制备。本发明提供的基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器，可以探测从深紫外到近红外的宽范围光谱；具有较高的响应度和探测率，同时具有低的暗电流密度和高的外量子效率；该探测器结构简单、效率高、响应快、工作稳定、使用寿命长，生产成本低，无需昂贵的仪器设备等优点。
基于 ga base sub

[发明专利]基于隧穿效应的钙钛矿光电器件及其制备方法-CN201810466776.0有效
发明人：贾仁需;李欢;汪钰成;庞体强 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于隧穿效应的钙钛矿光电器件及其制备方法，所述制备方法包括：选取Si衬底；在所述Si衬底的一侧表面沉积金属材料形成下电极；在所述Si衬底的另一侧表面沉积HfO₂形成隧穿层；在所述隧穿层上沉积CH₃NH₃PbI₃形成光吸收层；在所述光吸收层上沉积金属材料形成上电极，形成基于隧穿效应的钙钛矿光电器件。所述钙钛矿光电器件依次包括上电极、CH₃NH₃PbI₃光吸收层、HfO₂隧穿层、Si衬底和下电极。本发明的钙钛矿光电器件在Si衬底与CH₃NH₃PbI₃之间包括HfO₂隧穿层，结构和制备工艺简单，减少光生电子与光生空穴的复合，增大光电流，提高光电器件的灵敏度和效率。
光电器件钙钛矿衬底隧穿层光吸收层隧穿效应制备表面沉积下电极电极沉积金属材料光生电子光生空穴金属材料制备工艺灵敏度光电流沉积复合

[发明专利]双异质结光探测器及其制备方法-CN201710411589.8有效
发明人：贾仁需;庞体强;栾苏珍;张玉明;汪钰成;刘银涛 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种双异质结光探测器的制备方法，包括：(a)对半绝缘半透明衬底进行清洗；(b)在所述衬底上生长底电极层；(c)在所述底电极层上生长第一MoS₂层；(d)在所述第一MoS₂层上生长杂化钙钛矿层；(e)在所述杂化钙钛矿层上生长第二MoS₂层；(f)在所述第二MoS₂层上生长顶电极。本发明杂化钙钛矿双异质结可以使二维材料沟道的背景载流子的完全耗尽，显著降低了器件暗电流，提高器件在弱光下的探测性能；制备工艺简单，生产成本低，无需昂贵的仪器设备等优点；制备的光电探测器可在零栅压、低源漏偏压下工作，具有优异的低功耗特性，且结构简单、效率高、响应快、工作稳定、使用寿命长。
双异质结光探测器及其制备方法

[发明专利]宽谱响应光电探测器及其制备方法-CN201710848505.7有效
发明人：贾仁需;庞体强;栾苏珍;张玉明;汪钰成;刘银涛 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种宽谱响应光电探测器及其制备方法，所述制备方法包括：(a)选取蓝宝石衬底；(b)在所述蓝宝石衬底表面制作底电极；(c)在所述底电极表面制作光吸收层；(d)在所述光吸收层表面制作顶电极以完成所述宽谱响应光电探测器的制备。本发明提供的宽谱响应光电探测器，采用了双异质结结构，从而形成双势垒，可有效降低漏电流，从而大幅提高光电探测器的器件可靠性。
响应光电探测器及其制备方法

[发明专利]垂直型光电探测器及其制备方法-CN201710411754.X有效
发明人：贾仁需;庞体强;栾苏珍;张玉明;汪钰成;刘银涛 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明涉及一种垂直型光电探测器的制备方法，包括：S1：选取衬底；S2：在所述衬底上生长底电极层；S3：在所述底电极层上生长二硫化钼层；S4：在所述二硫化钼层上生长杂化钙钛矿层；S5：在所述杂化钙钛矿层上生长顶电极。本发明可以使光电探测器二维材料沟道的背景载流子的完全耗尽，显著降低了器件暗电流，提高器件在弱光下的探测性能；制备工艺简单，生产成本低，无需昂贵的仪器设备等优点；制备的光电探测器可在零栅压、低源漏偏压下工作，具有优异的低功耗特性，且结构简单、效率高、响应快、工作稳定、使用寿命长。
垂直光电探测器及其制备方法

[发明专利]基于CH₃NH₃PbI₃材料的P型HHMT晶体管及其制备方法-CN201611123706.2有效
发明人：贾仁需;汪钰成;庞体强;刘银涛;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于CH₃NH₃PbI₃材料的P型HHMT晶体管及其制备方法。该方法包括：选取Al₂O₃材料作为衬底材料；采用第一掩膜版在所述衬底材料表面形成源漏电极；在所述衬底材料及所述源漏电极表面生长空穴传输层；采用第二掩膜版在所述空穴传输层表面生长CH₃NH₃PbI₃材料形成光吸收层；采用第三掩膜版在所述光吸收层表面生长形成栅电极材料，以完成所述P型HHMT晶体管的制备。本发明实施例采用空穴传输层传输空穴阻挡电子，并采用CH₃NH₃PbI₃向沟道提供大量的空穴，制备出的P型HHMT晶体管具有迁移率高，开关速度快，光电转换效率大的优点。
基于 ch3nh3pbi3 材料 hhmt 晶体管及其制备方法

[发明专利]基于CH₃NH₃PbI₃材料的互补型HEMT及其制备方法-CN201611125222.1有效
发明人：贾仁需;汪钰成;庞体强;刘银涛;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于CH₃NH₃PbI₃材料的互补型HEMT及其制备方法。该方法包括：选取衬底材料；采用第一掩膜版在所述衬底材料表面生长隔离槽；采用第二掩膜版在所述衬底材料表面形成源漏电极；采用第三掩膜版在所述隔离槽一侧的所述衬底材料表面生长电子传输层；采用第四掩膜版在所述隔离槽另一侧的所述衬底材料表面生长空穴传输层；采用第五掩膜版在整个衬底表面生长CH₃NH₃PbI₃材料作为光吸收层；采用第六掩膜版在整个衬底表面生长形成栅电极材料，以完成所述基于CH₃NH₃PbI₃材料的互补型HEMT的制备。本发明实施例采用电子传输层传输电子阻挡空穴，空穴传输层传输空穴阻挡电子，并采用CH₃NH₃PbI₃向沟道提供大量的电子或空穴，制备的HEMT具有迁移率高，开关速度快，光电转换效率大的优点。
基于 ch3nh3pbi3 材料互补 hemt 及其制备方法

[发明专利]基于CH₃NH₃PbI₃/PCBM材料的反射增强互补型HEMT及其制备方法-CN201611124457.9有效
发明人：贾仁需;刘银涛;汪钰成;庞体强;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于CH₃NH₃PbI₃/PCBM材料的反射增强互补型HEMT及其制备方法。该方法包括：选取蓝宝石衬底；在衬底下表面形成反射层；在衬底上表面形成隔离区；在衬底上表面形成源漏电极；在衬底上表面沿隔离区一侧的生长电子传输层；在衬底上表面沿隔离区另一侧的生长空穴传输层；在整个衬底上表面生长CH₃NH₃PbI₃/PCBM材料形成光吸收层；在整个衬底上表面生长形成栅电极材料。本发明由CH₃NH₃PbI₃向沟道提供大量的电子或空穴，并在衬底上镀银形成反射层增强光的利用率，形成的HEMT具有迁移率高，开关速度快，光电转换效率大的优点。在光吸收层加入了PCBM材料形成了异质结，能对孔洞和空位的填充，从而产生更大的晶粒和更少的晶界，产生光生载流子，增强器件性能。
基于 ch3nh3pbi3 pcbm 材料反射增强互补 hemt 及其制备方法

[发明专利]基于CH3NH3PbI3材料的N型双向HEMT器件及其制备方法-CN201611125225.5有效
发明人：贾仁需;刘银涛;汪钰成;庞体强;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于CH₃NH₃PbI₃材料的N型双向HEMT器件及其制备方法。该方法包括：选取衬底；形成FTO薄膜；制备CH₃NH₃PbI₃材料以形成第一光吸收层；在第一光吸收层表面形成第一电子传输层；在第一电子传输层表面形成源漏电极；在源漏电极及未被源漏电极覆盖的第一电子传输层表面形成第二电子传输层；在第二电子传输层表面制备CH₃NH₃PbI₃材料以形成第二光吸收层；在第二光吸收层表面形成栅电极，最终形成双向HEMT器件。本发明通过采用对称的光吸收层，能吸收更多的光产生光生载流子，并采用在透明的蓝宝石生长透明的导电玻璃作为底部栅电极，能实现上下光照都能照射到光吸收层，且采用由CH₃NH₃PbI₃向沟道提供大量的电子，提高迁移率高，增强传输特性和增加光电转换效率。
基于 ch3nh3pbi3 材料双向 hemt 器件及其制备方法

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