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[发明专利]用于化学机械研磨的装置与方法-CN202010773447.8在审
发明人：黄正吉;彭禾辉;吴健立;杨棋铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明实施例涉及用于化学机械研磨的装置与方法。本发明实施例涉及一种用于化学机械研磨CMP的设备，其包含：晶片载体，其在研磨操作期间保持半导体晶片；浆料分配器，其分配磨粒浆料；及浆料温度控制装置，其耦合到所述浆料分配器且经配置以控制所述磨粒浆料的温度。所述浆料温度控制装置包含包围所述浆料分配器的一部分的传热部分及耦合到所述传热部分且经配置以控制所述磨粒浆料的所述温度的热电TE芯片。
用于化学机械研磨装置方法

[发明专利]椭圆偏振仪及估计膜厚度的方法-CN201910644012.0在审
发明人：徐丰源;杨棋铭;许青翔;陈其贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明实施例涉及椭圆偏振仪及估计膜厚度的方法。本发明实施例涉及一种椭圆偏振仪，其包括光源、偏振器、非对称波长延迟器、分析仪及光学检测组件。所述光源经配置以提供入射到样本的具有多个波长的光束。所述偏振器安置于所述光源与所述样本之间，且经配置以使所述光束偏振。所述非对称波长延迟器经配置以提供对波长可变的所述光束的可变延迟效果。所述分析仪经配置以分析由所述样本反射的所述光束的偏振状态。所述光学检测组件经配置以检测来自所述分析仪的所述光束。
椭圆偏振估计厚度方法

[发明专利]制造半导体结构的方法-CN201910683401.4在审
发明人：许志修;杨棋铭;徐子正 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种制造半导体结构的方法，其包含：将衬底从第一加载锁腔室加载到第一处理腔室中；在所述第一处理腔室中在所述衬底上方安置导电层；将所述衬底从所述第一处理腔室加载到所述第一加载锁腔室中；将所述衬底从所述第一加载锁腔室加载到封壳中，所述封壳填充有惰性气体且安置于所述第一加载锁腔室与第二加载锁腔室之间；将所述衬底从所述封壳加载到所述第二加载锁腔室中；将所述衬底从所述第二加载锁腔室加载到第二处理腔室中；在所述第二处理腔室中在所述导电层上方安置导电部件；将所述衬底从所述第二处理腔室加载到所述第二加载锁腔室中；以及将所述衬底从所述第二加载锁腔室加载到第二加载端口中。
加载锁腔衬底处理腔室封壳导电层安置半导体结构导电部件惰性气体加载端填充制造

[发明专利]将金属非金属化合物用作前驱物的光产生系统及方法-CN201910690318.X在审
发明人：许青翔;徐丰源;张旭凯;杨棋铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明实施例涉及将金属非金属化合物用作前驱物的光产生系统及相关的光产生方法。本发明实施例提供一种光产生系统。所述光产生系统包含汽化装置、激光装置及透镜结构。所述汽化装置经配置以汽化金属非金属化合物以产生金属非金属前驱气体。所述激光装置经配置以提供激光，且用所述激光照射从所述汽化装置释放的所述金属非金属前驱气体以发射光信号。所述透镜结构经配置以朝向用于光刻工艺的光掩模引导所述光信号。
金属非金属光产生系统汽化装置激光装置前驱气体透镜结构配置汽化光刻工艺激光照射发射光光产生光掩模前驱物激光释放

[发明专利]化学机械抛光设备和方法-CN201910703081.4在审
发明人：黄正吉;吴健立;彭禾辉;杨棋铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明实施例涉及化学机械抛光设备和方法。一种CMP设备包含压板、在抛光操作期间保持半导体晶片的晶片载体、在所述抛光操作期间保持被配置成修复安置于所述压板上的抛光垫的修整机，以及被配置成在所述抛光操作期间检测振动的振动监视系统。所述振动监视系统包含被配置成产生多个第一振动信号的第一振动传感器。当所述多个振动信号之间的改变达到某一值时，触发针对所述抛光的终点。
抛光操作振动监视系统振动信号压板配置化学机械抛光设备半导体晶片振动传感器检测振动晶片载体抛光垫修整机抛光触发修复安置

[发明专利]用于局部轮廓控制的化学机械抛光(CMP)平台-CN201510776938.7有效
发明人：吴健立;杨棋铭;黄正吉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明提供了一种局部轮廓控制的化学机械抛光(CMP)平台。工作台被配置为支撑具有将被抛光的表面的工件。抛光垫与工作台隔开的宽度小于约工作台的宽度的一半。抛光垫被配置为分别抛光将被抛光的表面上的凸部或凹部的粗糙区域。抛光液分配系统被配置为向抛光垫和工件之间的界面施加抛光液。清洁系统被配置为在工作台上原位清洁工件。干燥系统被配置为在工作台上原位干燥工件。还提供了用于具有局部轮廓控制的CMP的方法和具有局部轮廓控制的系统。
用于局部轮廓控制化学机械抛光 cmp 平台

[发明专利]高生产量CMP平台-CN201910801813.3在审
发明人：吴健立;沈宪聪;黄循康;黄正吉;杨棋铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-05-06 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：一种化学机械抛光系统，具有：第一抛光装置，被配置成对工件实施第一化学机械抛光；以及第二抛光装置，被配置成对工件实施第二化学机械抛光。一种再加工抛光装置包括再加工抛光盘和再加工CMP头，并且被配置成当工件被放置在再加工抛光盘上时，对工件实施辅助化学机械抛光。测量装置测量工件的一个或多个参数，以及传送装置在第一抛光装置、第二抛光装置、再加工抛光装置、以及测量装置之间传送工件。仅当一个或多个参数不符合要求时，控制器确定通过传送装置将工件选择传送到再加工抛光装置。本发明还提供了高生产量CMP平台。
抛光装置再加工化学机械抛光测量装置传送装置抛光盘成对配置化学机械抛光系统测量工件传送工件辅助化学机械抛光控制器

[发明专利]产生电磁辐射的机台及方法-CN201910279012.5在审
发明人：李中杰;徐丰源;陈其贤;杨棋铭;吴小真;张钧琳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明实施例涉及产生电磁辐射的机台及方法，所述方法包括以下操作。将目标材料引入于腔室中。将光束照射于所述腔室中的所述目标材料上，以产生等离子体及电磁辐射。用光学装置收集所述电磁辐射。将气体混合物引入于所述腔室中。所述气体混合物包括与所述目标材料起反应的第一缓冲气体，及用于减缓所述目标材料的碎屑及/或等离子体副产物以增加所述目标材料与所述第一缓冲气体的反应效率且减少所述目标材料的所述碎屑及/或所述等离子体副产物在所述光学装置上的沉积的第二缓冲气体。
目标材料电磁辐射缓冲气体腔室等离子体副产物气体混合物光学装置碎屑等离子体机台反应效率光束照射引入沉积

[发明专利]选择性地去除氮化硅的方法及其单晶圆蚀刻装置-CN201410119996.8有效
发明人：张简瑛雪;李佑茗;杨棋铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种选择性地去除氮化硅的方法。该方法包括：提供在该晶圆的表面上具有氮化硅的晶圆；提供磷酸和含硅材料的混合物；以及将混合物传送至晶圆的表面以去除氮化硅。还提供了选择性地去除氮化硅的单晶圆蚀刻装置。
选择性去除氮化方法及其单晶圆蚀刻装置

[发明专利]3D IC凸块高度计量APC-CN201510793909.1有效
发明人：郑迺汉;杨棋铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本发明涉及依赖于先进的工艺控制(APC)的凸块计量的方法，以向凸块计量模块提供描述衬底的翘曲的衬底翘曲参数，从而改善凸块计量模块的聚焦。在一些实施例中，方法测量半导体衬底的一个或多个衬底翘曲参数。基于测量的衬底翘曲参数来计算凸块计量模块的透镜的初始焦点高度。然后将凸块计量模块的透镜放置在初始焦点高度处，并且随后使用透镜来测量半导体衬底上的多个凸块的高度和关键尺寸。通过对凸块计量模块提供衬底翘曲参数，凸块计量模块可以使用实时工艺控制来计算晶圆翘曲，从而提高产量和收益。本发明还提供了3D IC凸块高度计量APC。
dic 高度计量 apc

[发明专利]识别气态分子污染源的方法-CN201810163704.9在审
发明人：庄子寿;黄正吉;周政隆;杨棋铭;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种识别车间中的气态分子污染(AMC)泄露源的方法。该方法包括在车间中分布传感器，进行车间中的正向气流的计算流体动力学(CFD)仿真，设定车间中的正向气流的CFD仿真的反演模型，利用车间中的AMC测量数据建立传感器的空间响应概率分布矩阵的数据库，以及利用传感器的空间响应概率分布矩阵的数据库识别AMC泄露源。
车间概率分布矩阵空间响应气态分子传感器正向泄露计算流体动力学分布传感器数据库识别测量数据反演模型污染源数据库污染

[发明专利]离子注入工艺和装置的离子束尺寸控制以及先进工艺控制-CN201310097345.9有效
发明人：黃至鸿;张钧琳;郑迺汉;杨棋铭;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：提供了一种用于离子注入方法和装置的工艺控制方法以在衬底上提供诸如可以补偿明显非均匀性的高剂量区域。在离子注入工具中，提供单独可控电极作为设置于离子束外部的多组相对电极。离子束阻挡件可定位在离子束中。电极和离子束阻挡件都可控制地减少入射在衬底上的离子束的区域。电极和离子束阻挡件也改变入射在表面上的区域减小的离子束的位置。衬底扫描穿过离子束的速度可以在注入工艺期间动态改变以在衬底中生成各种剂量浓度。本发明还提供了离子注入工艺和装置的离子束尺寸控制以及先进工艺控制。
离子注入工艺装置离子束尺寸控制以及先进

[发明专利]用于粒子清理的设备-CN201710435771.7在审
发明人：张简瑛雪;黄正吉;杨棋铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本揭露提供一种用于粒子清理的设备。所述用于粒子清理的设备包括声波产生器，所述声波产生器经配置以施加声波到所述声波产生器外部的多个粒子。所述用于粒子清理的设备还包含去除模块，所述去除模块经配置以去除所述被施加的粒子。本揭露提供的粒子清理设备，能够使位于抛光台或工件的表面上的粒子通过施加在所述表面上的声波而震动或因而移动。
用于粒子清理设备

[发明专利]汽相沉积工艺的气体前体产生系统和固体前体传输的方法-CN201610916026.X在审
发明人：李中杰;杨棋铭;吴林荣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及汽相沉积工艺的气体前体产生系统和固体前体传输的方法。在一些实施例中，气体前体产生系统包括前体安瓿，前体安瓿包括与载气源耦接的入口和与汽相沉积室耦接的出口。液体前体布置在前体安瓿内，其包括具有一种或多种离子液体并且配置为溶解固体前体的化学物质的溶剂。通过液体前体的蒸发在前体安瓿的上部区域处产生气体前体并通过前体安瓿的出口由载气携带至汽相沉积室。固体前体的化学物质传输入汽相沉积室中并且沉积在衬底的表面上。
沉积工艺气体产生系统固体传输方法

[发明专利]用于去除聚合物和清洁工件的活性自由基处理-CN201710190268.X在审
发明人：李中杰;曾鸿辉;杨棋铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种去除聚合物的方法。施加水溶液到在其上设置有聚合物的半导体工件上。水溶液包括被构造为响应于能量而生成活性自由基的能量接收器。施加能量到水溶液上以在水溶液中生成活性自由基并去除聚合物。本发明还提供了一种生成所述活性自由基的处理工具。本发明实施例涉及用于去除聚合物和清洁工件的活性自由基处理。
用于去除聚合物清洁工件活性自由基处理