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[实用新型]汽车空调调速模块用MOSFET器件-CN202223453155.X有效
发明人： 易琼红;左勇强;龚利汀 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种汽车空调调速模块用MOSFET器件，在N‑型衬底的背面有N+型外延层，在N+型外延层的背面有背面金属层；在N‑型衬底的正面最外围有N+型电场截止环，在对应N+型电场截止环内侧的N‑型衬底的正面有正六边形的P+型阱区，在P+型阱区的正面有N+型源区，在部分P+型阱区的正面、部分N+型源区的正面以及P+型阱区与N+型电场截止环之间的N‑型衬底的正面有栅氧化层，在栅氧化层的正面有多晶硅层，在多晶硅层的正面有钝化层，在部分P+型阱区的正面、部分N+型源区的正面以及部分钝化层的正面有正面金属层。本实用新型具有阈值电压低、导通电阻小、雪崩耐量大、开关速度快、损耗低、可靠性高且工艺简单等优点。
汽车空调调速模块 mosfet 器件

[实用新型]金封管器件引脚矫正装置-CN202121756832.8有效
发明人：左勇强;易琼红;龚利汀 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： B21F1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种金封管器件引脚矫正装置，它包括产品定位模以及位于产品定位模前侧的前侧矫正模具机构、位于产品定位模后侧的后侧矫正模具机构、位于产品定位模左侧的左侧矫正模具机构与位于产品定位模右侧的右侧矫正模具机构，产品定位模固定在前侧矫正模具机构内，在产品定位模上开设有产品定位槽口，产品定位槽口朝向左侧矫正模具机构或者右侧矫正模具机构。本实用新型实现了设备取代人工，矫直效率和一致性得到大幅提升。
金封管器件引脚矫正装置

[实用新型]高频晶体管-CN202121728286.7有效
发明人： 易琼红;左勇强;凌慢慢;龚利汀 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高频晶体管，包括表面保护阻挡层、背面金属上层、背面金属中层、背面金属下层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型基区、重掺杂第一导电类型发射区、发射区金属层、绝缘上层、绝缘下层、重掺杂第一导电类型增阻环与基区金属层。本实用新型具有频率高、饱和压降低、快速开关、可靠性高与放大倍数一致性好等特点。
高频晶体管

[发明专利]半导体大功率器件封装用高温轨道机构-CN202110081068.7在审
发明人：左勇强;易琼红;吴凌涛;龚利汀 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种所述半导体大功率器件封装用高温轨道机构，在主轨道上固定有内、外两条副轨道，在主轨道上设有主轨道盖板，在主轨道的中段以及后段上开设有加热棒安装孔与热电偶安装孔，在主轨道的前段、中段以及后段上均开设有保护气体主通道，加热棒安装孔与热电偶安装孔呈间隔设置，在加热棒安装孔内插装有加热棒，在热电偶安装孔内插装有热电偶，在副轨道上开设有贯穿其上、下表面的保护气体副通道；在主轨道盖板的前段开设有搬运孔，在主轨道盖板的中段从前往后依次开设有装片缺口、压锡孔、点锡孔与搬运孔，在主轨道盖板的后段开设有搬运孔。本发明结构简单、能充分加热管座并能通过通入保护气体以充分保护芯片。
半导体大功率器件封装高温轨道机构

[发明专利]一种达林顿晶体管参数的测试方法-CN201910071848.6有效
发明人：龚利汀;易琼红;左勇强 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明属于达林顿晶体管技术领域，涉及一种达林顿晶体管参数的测试方法，包括如下步骤：在测试BVCEO参数过程中，通过示波器观测是否有自激震荡；在达林顿晶体管的基极B、集电极C间并入300P/2KV阻尼电容；在偏置电流IC的回路中串联10KΩ电阻来消除自激震荡；在测试饱和压降VCES参数时，通过降低集电极电流IB的输入值，得出最终测试饱和压降VCES的值，有效避免了因Ib电流过大，导致的产品烧坏；本发明的测试方法可以有效的消除达林顿管BVCEO误测的问题，同时通过减小IB电流值来避免产品被烧坏，提高了达林顿管的质量及可靠性。
一种达林顿晶体管参数测试方法

[实用新型]激光打标机的刷灰装置-CN202021262143.7有效
发明人：左勇强;易琼红;龚利汀 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： B08B1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种激光打标机的刷灰装置，包括斜坡台面、固定板、旋转毛刷、导向支架、旋转毛刷驱动机构、固定板平移机构与固定板平移导向机构；在斜坡台面上固定有导向支架，在斜坡台面上安装有固定板平移机构，固定板平移机构上安装有固定板，在固定板上安装有旋转毛刷驱动机构，在旋转毛刷驱动机构上安装有旋转毛刷，在固定板上安装有固定板平移导向机构，固定板平移导向机构与导向支架配合对固定板在平移时进行导向。本实用新型在自动化的流水线上方便安装，拼装结构使维护简单，维护成本低，可通过调节刷灰气缸气流量来调整刷灰速度和刷灰稳定性；采用可调节的设计，安装调试方便快捷；能解决打标过程中产品表面上的灰尘无法有效去除干净的问题。
激光打标机装置

[实用新型]智能电声用PNP型功率晶体管-CN202021526796.1有效
发明人： 易琼红;左勇强;龚利汀 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种智能电声用PNP型功率晶体管，在重掺杂N+型下衬底层的下表面设有集电极金属，在下衬底层的上表面设有轻掺杂N‑型上衬底层，在上衬底层的上表面设有P型基区，在P型基区的上表面设有N+型发射区，在上衬底层的上表面边缘设有N+型增阻环，在上衬底层、P型基区与N+型发射区的上表面设有场氧层，在场氧层的上表面设有表面保护阻挡层，在N+型发射区位置设有发射极金属，在N+型发射区外围设有基极金属，在表面保护阻挡层的上表面设有钝化层。本实用新型既满足了智能电声的音质要求，同时做到安全工作区宽、开关速度快、可靠性高等要求，大大降低了生产厂家的故障率及维修成本。
智能电声 pnp 功率晶体管

[发明专利]一种硅NPN型功率晶体管的封装制作方法-CN201711490822.2有效
发明人：龚利汀;左勇强;易琼红 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件封装技术领域，涉及一种硅NPN型功率晶体管的封装制作方法，具体步骤为：装片‑键合‑塑封‑后固化‑去溢料‑电镀锡‑切筋‑测试‑包装出库；本发明通过采用多点点锡技术和多点装片拔高技术，提升了芯片与引线框架的欧姆接触，使芯片下面无空洞，保证了功率晶体管二次击穿耐量及极高的可靠性。
一种 npn 功率晶体管封装制作方法

[实用新型]一种用于高温粘片机的治具-CN201920973002.7有效
发明人：龚利汀;左勇强;易琼红 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于高温粘片机的治具，治具为一体式结构，其包括产品装载区，产品装载区由多个均匀间隔排布的装载孔组成，方形孔的相对内角为圆弧过渡端，相邻方形孔之间开设有搬送孔，装载孔上位于圆弧过渡端内向内凹陷设置有下沉台阶，所述下沉台阶一端沿着圆弧过渡端结构下沉设置，外端面呈与治具长度方向齐平的结构。加强筋用来保证治具强度；下沉设计能使管座直接接触到高温轨道，从而实现管座快速升温加热到高温软钎焊料的熔融温度，实现粘片机全自动作业。
治具圆弧过渡产品装载下沉台阶粘片机装载孔管座下沉均匀间隔排布本实用新型一体式结构快速升温软钎焊料相邻方形方形孔加强筋内凹陷内角齐平熔融外端加热轨道保证

[实用新型]一种NPN型高压大电流超高功率晶体管-CN201920128650.2有效
发明人：龚利汀;易琼红;左勇强 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体晶体管技术领域，涉及一种NPN型高压大电流超高功率晶体管，包括有源区和环绕在所述有源区外围的终端保护区，所述有源区包括若干个相互并联的晶体管单元，所述晶体管单元包括N‑外延层、位于N‑外延层内的P‑基区及位于所述P‑基区两侧的P+基区，在所述P+基区间设有N+发射区及环绕在所述N+发射区四周的N+环，所述N+发射区和N+环的结深相同，且均小于P‑基区的结深；本实用新型N+发射区下方形成低浓度的窄基区结构，能够提高二次击穿容量，同时器件版图设计为两个发射极电极、两个基极电极的结构，且上下两侧的图形完全对称，使得当电流很大时，电流发散为两组通道，减小了热点集中的问题，提高了器件的可靠性和稳定性。
发射区基区源区本实用新型高压大电流晶体管单元超高功率外延层晶体管结深环绕半导体晶体管发射极电极终端保护区二次击穿基极电极器件版图上下两侧并联发散减小两组窄基对称外围

[实用新型]一种用于点火器的高压达林顿晶体管-CN201820056116.0有效
发明人：龚利汀;左勇强;易琼红 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种用于点火器的高压达林顿晶体管，在晶体管俯视平面上，晶体管元胞单元包括后级晶体管T2和分布在后级晶体管T2的右上部的前级晶体管T1，两者间通过V型隔离槽隔离，且周围包裹钝化层；在晶体管剖视截面上，在N‑型第二衬底子层内设有前级P型基区和后级P型基区，在前级P型基区内形成前级N+型发射区，在前级P型基区上方设有前级基极金属层和连接金属层；在后级P型基区内形成后级N+型发射区，在后级P型基区上方设有后级基极金属层和后级发射极金属层；本实用新型制造方便，具有热稳定性好，压降小，放大倍数大，可靠性高等特点。
前级晶体管点火器达林顿晶体管本实用新型后级晶体管基极金属发射区发射极金属层半导体器件连接金属层前级晶体管热稳定性底子层钝化层压降元胞俯视制造放大隔离

[实用新型]平面高压MOSFET功率晶体管-CN201721921704.8有效
发明人：龚利汀;易琼红;左勇强 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供一种平面高压MOSFET功率晶体管，包括N+型衬底，在N+型衬底上形成有N‑型外延层；N‑型外延层上部形成有多个元胞的P型阱区；P型阱区的掺杂浓度由中央向两侧由浓到淡；在N‑型外延层的正面最外围形成有N+型电场截止环；在P型阱区内两侧各形成N+型源区；在P型阱区和N+型源区上方的表面形成有栅氧化层，栅氧化层上形成有多晶硅层；在多晶硅层上方设有磷硅玻璃层；在N+型源区顶部磷硅玻璃层未覆盖区域设有源区金属；源区金属层覆盖在N‑型外延层正面，并连接源区金属；在栅氧化层下，N+型源区与N‑型外延层之间的P型阱区顶部形成沟道；在N+型衬底背面设有背面金属层。该MOSFET耐压高，可靠性高。
源区外延层栅氧化层高压MOSFET 功率晶体管磷硅玻璃层多晶硅层衬底金属背面金属层本实用新型电场截止环未覆盖区域表面形成衬底背面金属层连接源沟道耐压元胞掺杂外围覆盖

[实用新型]一种测试分选机的自动引脚整形装置-CN201721924999.4有效
发明人：龚利汀;左勇强;易琼红 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： B21F1/02 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体封装技术领域，涉及一种测试分选机的自动引脚整形装置，包括直线轨道及分布在直线轨道两侧的引脚整形装置，其特征在于，引脚整形装置包括左侧齿型整形部分和右侧平型整形部分，左侧齿型整形部分包括左侧气缸、左侧气缸前端的左侧气缸伸缩杆及与左侧气缸伸缩杆顶端连接的左侧长方体滑块，左侧长方体滑块插在左侧方形滑槽内；右侧平型整形部分包括右侧气缸、右侧气缸前端的右侧气缸伸缩杆及与右侧气缸伸缩杆顶端连接的右侧长方体滑块，右侧长方体滑块插在右侧方形槽内；本实用新型可把不规则的弯曲引脚整形成笔直形状，再进行测试，降低因产品管脚弯曲造成的测试错误、测试不顺畅、卡伤引脚等问题。
引脚长方体滑块气缸伸缩杆整形装置整形气缸本实用新型测试分选机顶端连接直线轨道测试齿型平型半导体封装技术方形滑槽不规则产品管方形槽卡伤

[实用新型]一种半自动晶体管沾锡机-CN201721925030.9有效
发明人：龚利汀;左勇强;易琼红 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： B23K3/08 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体封装技术领域，涉及一种半自动晶体管沾锡机，包括沾锡槽、废锡存储盒、工作台面、活动支架、凹槽架和气缸其特征在于，所述工作台面中心焊接有低于工作台面的沾锡槽及位于焊锡槽侧面的废锡存储盒，所述焊锡槽上方设有活动支架，所述活动支架安装在工作台面上，且能够上下浮动，所述活动支架下方焊接有凹槽架，上方设有气缸，所述气缸安装在气缸支架上，所述气缸支架焊接在工作台面上，且气缸伸缩杆穿通气缸支架与活动支架的中心位置焊接；本实用新型采用气缸配合光杆和光杆轴套的方式，使沾锡更加平稳，被沾锡器件管脚的沾锡高度一致性高，质量稳定可靠，大大提高了生产效率。
活动支架沾锡气缸气缸支架工作台焊接本实用新型工作台面凹槽架存储盒焊锡槽沾锡机晶体管废锡光杆半导体封装技术高度一致性气缸伸缩杆器件管脚上下浮动生产效率质量稳定中心焊接穿通轴套侧面配合

[实用新型]一种可编程阶段升温双保护烘箱-CN201721924889.8有效
发明人：龚利汀;左勇强;易琼红 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： G05D23/22 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体封装技术领域，涉及一种可编程阶段升温双保护烘箱，控制盒内安装有时间继电器、多段可编程温控器和接触器，烘箱内安装有二次温控器、接触器、和鼓风机；时间继电器输入端与电源开关连接，输出端接入多段可编程温控器输入端，同时通过烘箱电源开关与二次温控器输入端连接，多段可编程温控器输出端与第一接触器输入端连接，第一接触器输出端与接线排的进线端连接，接线排出线端分别与第二、第三接触器输入端、鼓风机连接，第二和第三接触器输入端均通过加热开关与二次温控器输出端连接；本实用新型采用可编程和双控技术，通过对不同温度不同时间的控制，达到不同产品的预热、固化、高温老化等要求，还可实现恒温双控制功能。
接触器输入端烘箱可编程温控器可编程输出端多段鼓风机本实用新型时间继电器输入端连接电源开关阶段升温接线排温控器半导体封装技术温控器输出端高温老化加热开关出线端进线端控制盒双控制预热双控固化

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