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[发明专利]半导体晶体管-CN202210259974.6在审
发明人：刘家麟;黄昱甄;黄永立 -专利权人：瀚宇彩晶股份有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶体管，包括基板、通道层、缓冲层、源极与漏极、主动层、栅绝缘层以及栅极结构。栅极结构进一步包括栅极、第一栅极场板以及第二栅极场板。通道层设置在基板上，缓冲层设置在基板与通道层之间。
半导体晶体管

[发明专利]半导体晶体管-CN200910137570.4无效
发明人：吴国成 -专利权人：吴国成
申请日： 2009-05-14 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明有关于一种半导体晶体管组件，其包括一个或多个导电基极区、第一半导体能阻区、第二半导体能阻区、导电射极区及导电集极区。第一半导体能阻区或第二半导体能阻区的尺寸小于100第一肖特基能阻接合形成于第一半导体能阻区与导电基极区的界面。第二肖特基能阻接合形成于第二半导体能阻区与导电基极区的界面。第三肖特基能阻接合形成于导电射极区与第一半导体能阻区的界面。第四肖特基能阻接合形成于导电集极区与第二半导体能阻区的界面。
半导体晶体管

[发明专利]半导体晶体管-CN201180011856.3有效
发明人：神林宏;上野胜典;野村刚彦;佐藤义浩;寺本章伸;大见忠弘 -专利权人：先进动力设备技术研究协会;国立大学法人东北大学
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的半导体晶体管具备：由GaN系的半导体构成的活性层、以及形成于活性层上的栅极绝缘膜。
半导体晶体管

[发明专利]显示装置和用于修复显示装置的方法-CN202111488948.2在审
发明人：全映宰;李禹根;崔宰凡;金钟仁;李进元 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：显示装置包括：驱动晶体管的半导体层；开关晶体管的半导体层；初始化晶体管的半导体层；驱动晶体管的栅极电极，与驱动晶体管的半导体层重叠；下存储电极，连接到开关晶体管的半导体层；上存储电极，连接到驱动晶体管的半导体层、光阻挡图案和初始化晶体管的半导体层，并且与下存储电极重叠；第一辅助晶体管的半导体层，与开关晶体管的半导体层和/或初始化晶体管的半导体层相邻；第一辅助晶体管的第一电极，连接到第一辅助晶体管的半导体层；以及第一辅助晶体管的第二电极，连接到第一辅助晶体管的半导体层。
显示装置用于修复方法

[发明专利]互补金属氧化物半导体器件-CN202111402444.4在审
发明人：金尚昱;南胜杰;文泰欢;李光熙;许镇盛;裵鹤烈;李润姓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，包括具有半导体沟道层和金属氧化物半导体沟道层的第一半导体晶体管，并且具有其中第二半导体晶体管堆叠在第一半导体晶体管的顶部上的结构。第二半导体晶体管的栅极堆叠和第一半导体晶体管的栅极堆叠的顶部可以重叠大于或等于90％。第一半导体晶体管和第二半导体晶体管可以具有相似水平的操作特性。
互补金属氧化物半导体器件

[发明专利]显示装置和制造显示装置的方法-CN202110182204.1在审
发明人：金埈焕;金兑映;朴钟宇;林基主;文知浩;黄贤澈 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：实施例提供了一种显示装置和制造显示装置的方法，所述显示装置包括：有机发光二极管；第一晶体管，所述第一晶体管驱动所述有机发光二极管；第二晶体管，所述第二晶体管将数据信号传输到所述第一晶体管；第三晶体管，所述第三晶体管将第一电源电压传输到所述第一晶体管，其中，所述第一晶体管的半导体图案设置在所述第二晶体管的半导体图案上方，所述第三晶体管的半导体图案设置在所述第一晶体管的所述半导体图案上方，下晶体管绝缘膜设置在所述第一晶体管的所述半导体图案与所述第二晶体管的所述半导体图案之间，并且上晶体管绝缘膜设置在所述第一晶体管的所述半导体图案与所述第三晶体管的所述半导体图案之间。
显示装置制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310333531.1在审
发明人：李永亮;刘昊炎;罗军;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于简化三维叠层互补晶体管的制造过程，降低三维叠层互补晶体管的制造难度，进而利于提升三维叠层互补晶体管的工作性能。所述半导体器件包括：半导体基底、第一环栅晶体管和第二环栅晶体管。上述第一环栅晶体管形成在半导体基底上。第一环栅晶体管包括的沟道区的材料为单晶半导体材料。第二环栅晶体管形成在第一环栅晶体管的上方、且与第一环栅晶体管间隔设置。第二环栅晶体管包括的沟道区的材料为多晶半导体材料。第二环栅晶体管和第一环栅晶体管构成三维叠层互补晶体管。所述半导体器件的制造方法用于制造所述半导体器件。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体PCM结构及其制作方法-CN201810381995.9在审
发明人：郑玉宁;方绍明 -专利权人：厦门元顺微电子技术有限公司;深圳元顺微电子技术有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体PCM结构及其制作方法。所述半导体PCM结构包括：位于半导体衬底的第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管和所述第二晶体管相邻，相邻的所述第一晶体管和所述第二晶体管作为一个整体，所述整体孤立地位于所述半导体衬底；或者，所述第一晶体管和所述第二晶体管各自孤立地位于所述半导体衬底；在所述半导体衬底的俯视平面上，所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极相互垂直。所述半导体PCM结构能够对注入阴影效应进行有效监控。
晶体管半导体衬底孤立阴影效应有效监控制作俯视垂直

[实用新型]半导体PCM结构-CN201820602538.3有效
发明人：郑玉宁;方绍明 -专利权人：厦门元顺微电子技术有限公司;深圳元顺微电子技术有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体PCM结构。所述半导体PCM结构包括：位于半导体衬底的第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管和所述第二晶体管相邻，相邻的所述第一晶体管和所述第二晶体管作为一个整体，所述整体孤立地位于所述半导体衬底；或者，所述第一晶体管和所述第二晶体管各自孤立地位于所述半导体衬底；在所述半导体衬底的俯视平面上，所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极相互垂直。所述半导体PCM结构能够对注入阴影效应进行有效监控。
晶体管半导体衬底孤立阴影效应有效监控俯视垂直

[发明专利]基于级联电路的半导体封装结构-CN201510991622.X有效
发明人：赵树峰 -专利权人：苏州捷芯威半导体有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于级联电路的半导体封装结构，包括：高压耗尽型半导体晶体管；低压增强型半导体晶体管；导电支撑片，高压耗尽型半导体晶体管和所述低压增强型半导体晶体管固定于导电支撑片上；管壳，管壳上设有高压端子、第一低压端子及第二低压端子；级联电路，高压耗尽型半导体晶体管、低压增强型半导体晶体管及管壳间通过级联电路电连接，其中，高压耗尽型半导体晶体管的源极与低压增强型半导体晶体管的漏极直接固定于导电支撑片上并导电支撑片电连接本发明的半导体封装结构中，高压耗尽型半导体晶体管的源极与低压增强型半导体晶体管的漏极通过导电支撑片电连接，可有效减少引入的寄生电感和寄生电阻，提高器件的工作性能。
基于级联电路半导体封装结构

[发明专利]高效能驱动电路-CN201110271989.6有效
发明人：徐光宇 -专利权人：笙科电子股份有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：该高效能驱动电路包含第一P型金属氧化物半导体晶体管、第二P型金属氧化物半导体晶体管、第一N型金属氧化物半导体晶体管、第二N型金属氧化物半导体晶体管、电流源、第三N型金属氧化物半导体晶体管、第四N型金属氧化物半导体晶体管、第五N型金属氧化物半导体晶体管、第一电阻及第二电阻。该第一P型金属氧化物半导体晶体管根据第一控制信号以及该第一N型金属氧化物半导体晶体管根据第二控制信号，分别对该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端充电和放电。因此，本发明不仅可通过该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端的电位快速开启与关闭一第三P型金属氧化物半导体晶体管，且具有较高的效能。
高效能驱动电路

[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法-CN200710185194.7无效
发明人：野田刚史;贺茂尚广;新本秀明 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2007-11-12 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置，形成在基板的第一区域的第一MIS晶体管和形成在与所述第一区域不同的第二区域的第二MIS晶体管分别在所述基板和所述半导体层之间具有栅电极，所述第一MIS晶体管的所述半导体层只由非晶半导体构成，所述第二MIS晶体管的所述半导体层包括多晶半导体，所述第二MIS晶体管的栅电极比所述第一MIS晶体管的栅电极薄。在形成有半导体层为非晶半导体的MIS晶体管和半导体层包括多晶半导体的MIS晶体管的显示装置中，在各MIS晶体管采用底栅结构时，能使由多晶半导体构成的半导体层的结晶性良好。
显示装置制造方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法-CN202110334233.5有效
发明人：张魁;应战 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构包括：衬底；第一晶体管，第一晶体管位于衬底上；第二晶体管，第二晶体管位于第一晶体管的上方；栅极结构，栅极结构包括相连接的第一栅极层和第二栅极层，第一栅极层环绕第一晶体管设置，第二栅极层环绕第二晶体管设置；其中，第一晶体管的延伸方向和第二晶体管的延伸方向均垂直于衬底。第一晶体管和第二晶体管在竖直方向堆叠，增加了半导体结构的导电通道长度，同时减小了半导体结构的占用面积，以此改善半导体结构的性能。
半导体结构制作方法

[发明专利]散热集成半导体晶体管及其制备方法-CN202010163797.2有效
发明人：刘杰;谷昊周;程知群;刘艳;董志华;严丽平;周涛;刘国华;李世琦 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种散热集成半导体晶体管及其制备方法，该方法包括步骤：在半导体衬底的正面沉积电极层，形成半导体晶体管；对半导体晶体管的表面进行预处理，以增加半导体晶体管表面的形核密度；在半导体晶体管的表面沉积纳米级金刚石层；在纳米级金刚石层的表面沉积微米级金刚石层，形成散热集成半导体晶体管。通过本发明方案，可以有效提升半导体晶体管的散热效率，通过实验表明，相同尺寸下，使用金刚石集成设计的半导体晶体管将拥有更大的功率密度。
散热集成半导体晶体管及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310560859.7在审
发明人：李永亮;刘昊炎;罗军;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以在三维叠层互补晶体管中位于上部的晶体管为P型环栅晶体管、且P型环栅晶体管包括的半导体基底和沟道区内含有锗时，提高三维叠层互补晶体管的工作性能。所述半导体器件包括：第一半导体基底、N型环栅晶体管、第二半导体基底、键合互连层和P型环栅晶体管。N型环栅晶体管形成在第一半导体基底上。第二半导体基底形成在N型环栅晶体管上方。键合互连层位于N型环栅晶体管和第二半导体基底之间。键合互连层的材料包括三氧化二钇，第二半导体基底和N型环栅晶体管通过键合互连层键合。P型环栅晶体管形成在第二半导体基底上。第二半导体基底和P型环栅晶体管包括的沟道区内均含有锗。
一种半导体器件及其制造方法

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