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[发明专利]一种红外探测器结构及制造方法-CN202010127788.8在审
发明人： 康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外探测器结构，包括：设于衬底层上的牺牲层，设于所述牺牲层上的红外微桥结构，所述红外微桥结构包括微桥桥面以及支撑结构；其中，所述微桥桥面设于所述牺牲层上，所述支撑结构包括两个设于所述微桥桥面上的支撑孔和两个对应设于所述牺牲层中的金属通孔，所述牺牲层经释放去除后形成空腔，所述微桥桥面通过对应相连的所述支撑孔和所述金属通孔得到支撑及实现与所述衬底层之间的电连接。本发明可降低工艺难度，并提升性能。本发明还公开了一种红外探测器结构制造方法。
一种红外探测器结构制造方法

[发明专利]一种传感器微透镜的制造方法-CN201710499381.6有效
发明人： 康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种传感器微透镜的制造方法，包括：在硅衬底上定义出微透镜形成区域，通过对微透镜形成区域进行离子注入，在微透镜形成区域形成由其中心向边缘以等径方式逐渐扩展的不同掺杂浓度梯度，对微透镜形成区域进行刻蚀，利用高掺杂浓度区域硅衬底的刻蚀速率大于低掺杂浓度区域硅衬底刻蚀速率的特性，在硅衬底上形成具有一定曲率的微透镜结构；本发明利用硅衬底上不同掺杂浓度区域存在不同刻蚀速率的特性，通过离子注入工艺的辅助刻蚀形成微透镜结构，可实现工艺的简化和效率的提高，从而降低了成本。
一种传感器透镜制造方法

[发明专利]一种薄膜残留应力测试结构及其制作方法-CN201810230441.9有效
发明人： 康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜残留应力测试结构，包括：并列设于衬底上的两个第一支撑柱；悬空设于两个第一支撑柱之间的一个第一环形指针结构；两段第一被测薄膜，分别悬空设于第一环形圈两侧，每个第一被测薄膜的一端连接在对应侧的第一支撑柱上，另一端连接在对应侧的第一环形圈上；如第一被测薄膜因残留应力较大而发生翘曲时，会拉动其连接的第一环形指针结构，使之变形，并引起第一环形指针结构发生平移，因而会在第一环形指针结构上设置的位移测量结构上引起量化的变化，从而可以对第一被测薄膜的残留应力进行量化评估。本发明还公开了一种薄膜残留应力测试结构的制作方法。
一种薄膜残留应力测试结构及其制作方法

[发明专利]一种雪崩光敏器件及其制备方法-CN201710523020.0有效
发明人： 康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供了一种雪崩光敏器件及其制备方法，该雪崩光敏器件包括：位于半导体衬底中的P型深沟槽和N型深沟槽；P型深沟槽侧壁和底部周围具有P型扩散过渡层；N型深沟槽侧壁和底部周围具有N型扩散过渡层，使P型深沟槽和N型深沟槽之间的以及P型深沟槽底部的、N型深沟槽底部的半导体衬底中形成过渡区，从而形成P‑I‑N结构，并且，还可以利用离子注入形成P型深沟槽和N型深沟槽。当入射光入射时，入射光在PIN结构之间的距离增大，从而增加对入射光的吸收。
一种雪崩光敏器件及其制备方法

[发明专利]一种红外探测器及其制造方法-CN201711338604.7有效
发明人： 康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明揭示一种红外探测器及其制造方法。红外探测器包括：衬底；敏感材料探测层，设置于所述衬底的入光侧，所述敏感材料探测层包括多个敏感电阻；电极层，至少设置于每个所述敏感电阻的两侧，且与所述敏感电阻的侧壁电接触，电流通过位于所述敏感电阻一侧的所述电极层流向所述敏感电阻同侧的侧壁、并由所述敏感电阻另一侧的侧壁流向位于所述敏感电阻另一侧的所述电极层。该红外探测器可以使电流均匀流入敏感电阻，提高红外探测器的性能。
一种红外探测器及其制造方法

[发明专利]一种红外敏感器件以及红外传感信号放大电路-CN201711337646.9有效
发明人： 康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明揭示一种红外敏感器件以及红外传感信号放大电路。所述红外敏感器件包括：红外吸收层；铁电材料层，设置于所述红外吸收层的出光侧；石墨烯晶体管，设置于所述铁电材料层的出光侧，所述石墨烯晶体管至少包括：第一电极和第二电极，分别设置于所述铁电材料层的出光侧的两端；石墨烯材料层，设置于所述铁电材料层的出光侧，覆盖所述铁电材料层、所述第一电极和所述第二电极；初始化电极，设置于所述铁电材料的入光侧，且与所述第一电极或所述第二电极的位置相对应，对所述铁电材料层进行极化。该红外敏感器件经过红外照射后可以改变电流的大小，并且可应用于放大电路中增强红外传感信号放大电路的信号灵敏度。
一种红外敏感器件以及传感信号放大电路

[发明专利]一种CMOS兼容的温度探测器及其制造方法-CN201710486283.9有效
发明人： 康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS兼容的温度探测器及其制造方法，通过利用PAD层或顶层后道金属互连层同层预设用于制作电极的PAD金属埋层或顶层后道金属埋层，再在其上制作经注入掺杂或在线掺杂处理的热敏电阻形成温度探测器，因此省略了在CMOS后道电路之上设置独立的电极层和热敏电阻层，不但减小了器件厚度(体积)，而且减少了工艺制作的步骤，从而降低了成本。本发明工艺简单，且与CMOS工艺完全兼容，同时利用高灵敏度的热敏电阻，能够形成高性能的传感器。
一种 cmos 兼容温度探测器及其制造方法

[发明专利]一种图像传感器结构及其制备方法-CN201710515230.5有效
发明人： 康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种图像传感器结构及其制备方法，通过设计探测结构层和盲元结构层上下堆叠，进一步探测结构层和盲元结构层均采用离子注入得到，从而将二者有效结合起来，不仅缩小了单个像元的空间占比，提高了芯片集成度和器件灵敏度，还使得盲元阵列和像元阵列所处环境相同，从而进一步提高探测灵敏度，减小探测误差。
一种图像传感器结构及其制备方法

[发明专利]一种石墨烯基传感器的制备方法-CN201710515407.1有效
发明人： 康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： G01D5/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯基传感器的制备方法，包括：在一衬底上依次形成下电极层、底部隔离层和石墨烯薄膜；将含氧等离子体或含氧带电基团注入到石墨烯薄膜内，使石墨烯薄膜转变为氧化石墨烯薄膜，氧化石墨烯薄膜作为敏感材料层；在氧化石墨烯薄膜表面依次形成顶部隔离层和上电极层。本发明利用离子注入使得石墨烯薄膜转变为氧化石墨烯薄膜，并且能够更好的控制石墨烯基敏感材料的均匀性和一致性。
一种石墨传感器制备方法

[发明专利]一种红外传感器结构及其制备方法-CN201710853651.9有效
发明人： 康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种红外传感器结构及其制备方法，通过在互连层顶部的顶部介质层中刻蚀出沟槽，并沟槽之上制备红外探测结构，从而在红外探测结构和互连层直接接触后，使沟槽形成空腔，利用互连层来支撑红外探测结构，解决了传统红外传感器结构中采用支撑孔来支撑红外探测结构的支撑力受到限制的问题；并且，简化了红外传感器的结构和制备工艺，大大减少了工艺成本，有利于大规模生产，还减薄了红外传感器的纵向高度，有利于实现红外传感器结构的轻薄化。
一种红外传感器结构及其制备方法

[发明专利]一种红外探测器及其制造方法-CN201711337658.1有效
发明人： 康晓旭;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明揭示一种红外探测器及其制造方法。所述红外探测器包括：像元阵列区；非像元区，环绕所述像元阵列区；光刻shot间隔区，环绕所述像元阵列区、设置于所述像元阵列区和所述非像元区之间，所述光刻shot间隔区包括：多个电连接区，所述电连接区包括第一金属连接层以及设置于第一金属连接层入光侧的第一反射连接层，其中，位于所述电连接区两侧的所述像元阵列区和所述非像元区之间通过所述第一金属连接层和所述第一反射连接层电连接；多个光刻图形放置区，设置于多个所述电连接区之间。该红外探测器的结构所采用的拼接技术方案，能够满足大阵列成像所使用的红外成像探测器的制造工艺中，解决拼接工艺中拼接边界出现图形畸变等问题，提升产品的性能。
一种红外探测器及其制造方法

[发明专利]一种沟槽式晶体管结构及其制造方法-CN201710487848.5有效
发明人： 康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽式晶体管结构及其制造方法，通过在衬底表面形成条形沟槽，利用沟槽侧壁及底部通过注入形成沟道层，并在沟槽内壁处形成栅电极介质层，在沟槽内填充栅电极材料形成栅电极，同时在沟道层外侧的沟槽条形两侧及底部通过注入形成围绕沟槽的环形源极、漏极，将传统在衬底之上形成栅电极的方式改进为在衬底中形成栅电极，可完全与平面CMOS工艺兼容，从而既能增强晶体管的性能，同时又避免了FINFET制作中复杂的非平面工艺，因此更易于工艺集成的简化和成本的降低。
一种沟槽晶体管结构及其制造方法

[发明专利]一种石墨烯FinFET晶体管及其制造方法-CN201710487149.0有效
发明人： 康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯FinFET晶体管及其制造方法，通过利用金属衬底形成石墨烯Fin薄膜，并通过离子注入工艺对石墨烯Fin薄膜的能带进行调整，形成沟道和源极、漏极，然后分别沉积栅介质、栅电极等层次，再通过沉积和平坦化键合介质(第一介质)来键合另外一衬底，接着去除金属衬底，实现将石墨烯Fin薄膜转移到带有图形的衬底上面应用于鳍式场效应晶体管中作为沟道材料，从而提高了晶体管的电学性能。
一种石墨 finfet 晶体管及其制造方法

[发明专利]一种红外传感器及其制备方法-CN201710516641.6有效
发明人： 康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明提供了一种红外传感器及其制备方法，红外传感器包括：一衬底，衬底上具有敏感层；在敏感层侧壁和顶部覆盖有电极层图案；敏感层顶部与电极层图案底部相接触的表层具有掺杂敏感层；掺杂敏感层是通过离子轰击透过电极层图案进入敏感层中得到的。本发明利用离子注入来改善电极层和敏感层之间的接触，不需要对敏感层和电极层进行高温退火，避免对器件和后道互连的影响。
一种红外传感器及其制备方法

[发明专利]一种红外图像传感器及其制作方法-CN201710492129.2有效
发明人： 康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外图像传感器的制作方法，包括以下步骤：在衬底Ⅰ中进行金属布线，形成金属互连层，在金属互连层上方依次沉积反射层和牺牲层Ⅰ；在衬底Ⅱ上依次沉积热氧化层、敏感层和牺牲层Ⅱ，其中，敏感层采用离子注入工艺形成；将牺牲层Ⅰ和牺牲层Ⅱ键合在一起形成牺牲层，并去除衬底Ⅱ；刻蚀衬底Ⅰ中金属互连层上方的牺牲层、敏感层和热氧化层，并沉积金属层形成PAD和传感器单元；刻蚀掉PAD和传感器单元以外的热氧化层、敏感层和牺牲层，形成一种红外图像传感器。本发明提供的一种红外图像传感器的制作方法，能够提高红外图像传感器的生产效率，同时提升红外图像传感器的性能。
一种红外图像传感器及其制作方法