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[发明专利]一种转移石墨烯薄膜的方法-CN201410307294.2有效
发明人：左青云;康晓旭;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种转移石墨烯薄膜的方法，包括四个步骤：在初始衬底上制备石墨烯薄膜；目标衬底与制备好的石墨烯薄膜直接贴合对准；通过电化学或金属腐蚀方法将石墨烯薄膜从初始衬底上剥离，粘附到目标衬底上，最后对附着有石墨烯薄膜的目标衬底进行清洗处理以完成石墨烯薄膜的转移。本发明通过直接贴合对准的方式实现石墨烯薄膜的转移，避免了在转移过程中引入起过渡作用的支撑体，杜绝了支撑体残留对石墨烯薄膜造成的沾污，并有效降低了转移工艺中石墨烯薄膜的破损、褶皱。本发明操作简单，便于在不同的石墨烯领域使用。
一种转移石墨薄膜方法

[实用新型]一种耐火材料三级筛分装置-CN201620083781.X有效
发明人：康少涛;康晓旭 -专利权人：巩义市宏宇耐火材料有限公司
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： B07B1/28 文献下载
摘要：本实用新型属于耐火材料生产设备领域，具体涉及一种耐火材料三级筛分装置，包括机架、振动仓、原料仓和成品仓，振动仓通过弹簧可上下震动的安装在机架上，在振动仓的上部一侧设置有原料仓，振动仓底部的一侧设置有一定数量的成品仓，在振动仓的底部外侧安装有震动电机，所述振动仓内部从上到下依次分层的设置有一级滤网、二级滤网和三级滤网；振动仓的上方开口处覆盖有集气罩，集气罩的上端连接有除尘器。本实用新型结构简单、实施方便，在震动仓内设置分层的三级筛选滤网，能够分层把不同品质的颗粒筛分到不同的成品仓，大大提高了生产效率，较少了生产工序，节省了电力资源，对企业和社会都有突出的经济效益。
一种耐火材料三级筛分装置

[实用新型]一种便捷装卸推料车-CN201620083792.8有效
发明人： 康晓旭;康少涛 -专利权人：巩义市宏宇耐火材料有限公司
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： B62B1/22 文献下载
摘要：本实用新型属于耐火材料生产辅助工具领域,具体的涉及一种便捷装卸推料车，包括车架、车把和车轮，车架为矩形，采用圆柱形管材或者方形管材焊接而成，在车架的一端设置有车把，在远离车把的一端的车架底部设置有车轮，车轮通过支座安装在车架上，所述支座位于车架底部，支座距离车把的距离为车架整体长度的4/5～3/5处,车架的另一端铰接有一个托料板，托料板与车架成一个角度a，托料板向上能够收起。本实用新型结构简单、实施方便，该推料车用于搬移码垛的袋装物料，使用时将托料板推入袋装料的底部，向后搬动车把，即可轻松把1‑5袋袋装料放在推料车上，轻松移至所需位置。本实用新型的托料板能够方便的向上收起，方便不用的时候存储，车架的两侧还能够设置向内收敛的弧形挡板，防止物料左右脱落，能够有效地保证使用的安全性。
一种便捷装卸推料车

[实用新型]一种带有扬料机构的滚筒筛选机-CN201620083785.8有效
发明人： 康晓旭;康少涛 -专利权人：巩义市宏宇耐火材料有限公司
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： B07B1/24 文献下载
摘要：本实用新型属于耐火材料生产辅助工具领域，具体的涉及一种带有扬料机构的滚筒筛选机，包括筛选机机架和滚筒，所述机架包括前门形支架和后门形支架，前门形支架和后门形支架的支撑立柱上分别连接有加固纵杆，所述门形支架包括两根支撑立柱和固定连接在支撑立柱顶端的横梁，支撑立柱下端设置有行走轮，滚筒通过转轴和轴套安装在两个门形支架的横梁上，所述滚筒包括位于滚筒两端的圆环，两个圆环之间连接有一定数量的纵向支撑杆，在纵向支撑杆和圆环外侧包裹有金属滤网，位于滚筒两端设置有连接滚筒和转轴的辐条支架。本实用新型结构简单、实施方便，在滚筒的内壁上设置有扬料机构，扬料机构能够有效的把耐火材料在滚筒内翻开，使得颗粒小的物料更容易的筛选出去，同时能够有效地防止滤网堵塞，大大提高了筛选的效率。
一种带有机构滚筒筛选

[发明专利]一种硅溶胶结合刚玉浇注料及其制备方法-CN201610061988.1在审
发明人：康少涛;康晓旭 -专利权人：巩义市宏宇耐火材料有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅溶胶刚玉结合浇注料及其制备方法，该浇注料由以下原料组成：棕刚玉0~1mm、棕刚玉1~3mm、棕刚玉3~5mm、棕刚玉5~8mm、棕刚玉8~12mm、白刚玉325目、97SiC、氧化铝粉，外加硅溶胶。本发明首先将上述原料中的固体原料粉碎、筛选、搅拌均匀，备用；然后在现场使用时根据需要加入硅溶胶进行搅拌，送入炉内模具、自然养生、烘烤即可。本发明制备浇注料时，硅溶胶在现场使用时加入，然后搅拌制备出流动性较好的浇注料，既保证了硅溶胶本身较好的粘接性能，也增加了浇注料的流动性、提高了产品强度，无需为了保证最终浇注料的流动性，在制备过程中加入其他试剂，降低了生产成本。
一种硅溶胶结合刚玉浇注料及制备方法

[发明专利]炼铁高炉造衬喷涂料-CN201610064402.7在审
发明人：康少涛;康晓旭 -专利权人：巩义市宏宇耐火材料有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种炼铁高炉造衬喷涂料，以重量百分含量表示，所述炼铁高炉造衬喷涂料的原料组成为：粒度为0-1mm的铝矾土14％-16％、粒度为1-3mm的铝矾土18％-22％、粒度为180目的铝矾土3％-6％、粒度为180目的刚玉粉18％-20％、莫来石粉18％-22％、氧化铝粉3％-5％、硅微粉3％-5％、Secar71 17％-19％、防爆纤维0.1％-0.3％、金属铝粉0.2％-0.5％、三聚磷酸钠0.1％-0.3％和六偏磷酸纳0.2％-0.5％。该炼铁高炉造衬喷涂料具有优良的耐高温、耐腐蚀性能，具有较高的耐压强度和抗折强度，线变化率小，使用寿命长，能够完全满足高炉造衬对喷涂料的要求。
炼铁高炉喷涂

[发明专利]一种与CMOS工艺兼容的湿度传感器制造方法-CN201510697842.1在审
发明人：左青云;康晓旭;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种与CMOS工艺兼容的湿度传感器制造方法，通过先在下电极上形成牺牲层，并在牺牲层上形成上电极，然后再去除牺牲层并填充湿敏材料，避免了现有技术中直接在湿敏材料上制备上电极时发生湿敏材料漏气的问题，因此可以采用与CMOS工艺兼容的普通机台制作上电极，而无需采用专用的金属淀积设备，从而降低了生产设备成本以及湿度传感器的制造成本。
一种 cmos 工艺兼容湿度传感器制造方法

[发明专利]一种石墨烯薄膜的制备方法-CN201410822933.9在审
发明人：左青云;曾绍海;康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2014-12-22 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯薄膜的制备方法，其包括：提供一基底；在基底上控制形成厚度均匀的碳源层；加热碳源层，使碳源层发生化学反应而转变为石墨烯薄膜层。这样，通过精确控制碳源层的均匀性和厚度，可以精确控制石墨烯薄膜均匀性和厚度；同时，本发明的石墨烯的制备方法可以得到高质量的石墨烯薄膜，其能够与现有的CMOS工艺相兼容，适于大规模生产。
一种石墨薄膜制备方法

[实用新型]一种LED灯具的散热结构-CN201420560306.8有效
发明人：左青云;康晓旭;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： F21V29/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED灯具的散热结构，通过在LED灯具的基板与散热器表面之间设置相密合的石墨烯膜，以及在基板上表面和散热器的全部散热表面设置相密合的石墨烯膜，利用高热导率石墨烯膜具有的更好的导热和散热效果，可将基板热点处的热量在平行于基板的平面迅速传递散开，使得基板的温度更加均匀，从而可有效地降低基板热点处的温度，并快速将基板的热量通过石墨烯膜传递至散热器进行散热，因而可明显降低LED芯片的PN结结温，有效提高LED的发光效率，延长LED的使用寿命，提升LED灯具的质量。
一种 led 灯具散热结构

[发明专利]具有凹凸结构振动膜的电容式硅麦克风及其制备方法-CN201310312453.3在审
发明人：左青云;康晓旭;袁超 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种电容式硅麦克风，形成于半导体衬底一电路区域上，包括：一钝化层，其为电路区域表面层；一介质层，设置于钝化层与衬底之间；一器件组，埋设于钝化层底部，其包括第一器件和第二器件；一空气隙，位于钝化层上方；一气腔，形成于衬底内；以及至少一通气孔，其自未铺设器件组的电路区域向下贯通钝化层与介质层，分别与气腔、空气隙导通；一金属层，包括相互连接的第一部与第二部，第一部从上方包覆空气隙，第二部贯通钝化层与第二器件相连，第一部上表面包括：至少一释放孔；至少一凹部，与通气孔的位置一一对应。本发明能够有效改善硅麦克风振动膜内应力的均匀性，并能够提升硅麦克风的灵敏度。
具有凹凸结构振动电容麦克风及其制备方法

[发明专利]薄膜图形化方法-CN201310103325.8有效
发明人：孙秋娟;王浩敏;左青云;康晓旭;谢红;邓联文;谢晓明;江绵恒 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜图形化方法，该方法至少包括以下步骤：提供一非金属衬底，并在该非金属衬底上形成光刻胶；进行光学曝光，将预设图形转移至该光刻胶上；在步骤2）之后获得的结构上沉积金属层；然后去除光刻胶并剥离，获得所需金属图形结构；在上述金属图形结构表面沉积薄膜材料，形成薄膜；最后去除剩余金属层得到图形化薄膜。本发明利用通常的图形化技术，实现金属的图形化，再以金属为掩膜板，在衬底上直接沉积高温生长的薄膜材料，该发明即沿用了传统的图形化技术，又克服了光刻胶在高温下无法做掩膜板使用的弊端；与离子束刻蚀方法相比，本发明工艺简单，易于操作，且花费较低。
薄膜图形方法

[发明专利]一种制备特定边缘的石墨烯图形的方法-CN201210496825.8在审
发明人：左青云;康晓旭;曾绍海 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制备特定边缘的石墨烯图形的方法，其包括：制备石墨烯薄膜；在石墨烯薄膜上形成人工缺陷；利用含H等离子体对石墨烯薄膜进行各向异性刻蚀，沿着人工缺陷处形成石墨烯晶向标记图形；将带有石墨烯晶向标记图形的石墨烯薄膜与目标衬底对准并转移至目标衬底；依次采用光刻和氧等离子刻蚀工艺对石墨烯薄膜进行图形化，得到具有特定边缘的石墨烯图形。本发明提供的一种制备特定边缘的石墨烯图形的方法，能够制备出特定边缘的图形，从而获得具有不同性能的石墨烯薄膜，有利于石墨烯应用于不同的应用领域，并且方法简单，可以与传统CMOS工艺相兼容，有利于推广应用。
一种制备特定边缘石墨图形方法

[发明专利]微桥结构红外探测器的制造方法-CN201210430966.X有效
发明人： 康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-11-01 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微桥结构红外探测器的制造方法，属于半导体技术领域。该方法包括：在硅衬底上形成金属功能层，所述金属功能层至少包括用于形成凹凸状梁体的凹凸状假金属图形；依次在所述凹凸状假金属图形之上形成部分呈凹凸状的牺牲层、梁体和微桥桥面，以形成红外探测器中的探测结构。本发明实施例中，在不增加工艺步骤和不增加面积的情况下，使用凹凸状的假金属图形来实现凹凸状梁体结构，简化了微桥结构的形成过程，降低红外探测器的制造成本。
结构红外探测器制造方法

[发明专利]一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法-CN201210461745.9有效
发明人：王浩敏;谢红;孙秋娟;康晓旭;刘晓宇;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法，该石墨烯场效应器件包括：具有栅电极沟槽的衬底；形成于所述栅电极沟槽中的栅电极；Al2O3介电薄膜层，位于所述栅电极沟槽中的栅电极表面，且Al2O3介电薄膜层表面与衬底表面齐平；覆盖于所述Al2O3介电薄膜层和衬底表面的BN薄膜层；形成于所述BN薄膜层上方的石墨烯；设置在所述石墨烯上方的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别与石墨烯电性连接。本发明制备的BN薄膜层与Al2O3介电薄膜层共同构成新型的栅介质结构，有效保持了石墨烯中固有载流子的高迁移率，增强栅极的场效应作用，适用于石墨烯基高射频器件及碳基大规模集成电路制造领域。
一种基于介质结构石墨场效应器件及其制备方法

[发明专利]红外探测器及其制造方法-CN201210378837.0有效
发明人： 康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外探测器及其制造方法，属于半导体器件领域。该红外探测器包括：微桥结构单元、设置在微桥结构单元上的探测结构单元，探测结构单元包括从下到上依次设置在微桥结构单元之上的第一释放保护和第二释放保护层，以及设置在第一释放保护层和第二释放保护层之间的二极管；二极管包括电极层和半导体层，电极层包括正极、负极，正极和负极位于同一层，半导体层包括对应于电极层中正极的正极半导体层、对应于电极层中负极的负极半导体层。在微桥结构单元上形成二级管单元，该二极管中电极层的正极和负极位于同一层，利用二极管的阈值电压在吸收红外光后下降，使得二极管的开启较为快速提高灵敏度，降低成本。
红外探测器及其制造方法