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[发明专利]沉积含钇膜的方法及设备-CN202310837902.X在审
发明人：拉克马尔·C·卡拉塔拉格;马克·沙丽;托马斯·奈斯利;本杰明·施密格;大卫·汤普森 -专利权人： 应用材料公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：兹描述用于经由原子层沉积工艺来沉积含钇膜的方法。本公开内容的某些实施方式利用等离子体增强的原子层沉积工艺。亦描述用于执行含钇膜的原子层沉积的设备。
沉积含钇膜方法设备

[发明专利]外壳系统结构-CN202280019608.1在审
发明人： J·C·孟克;R·S·斯托兹曼;D·R·麦考利斯特 -专利权人： 应用材料公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：一种外壳系统包括壁，所述壁包括侧壁和底壁。外壳系统进一步包括被配置成可移除地附接到侧壁中的一个或多个侧壁的外壳盖。壁和外壳盖至少部分包封外壳系统的内部体积。外壳系统进一步包括设置在外壳盖中的上窗。上窗被配置成用于设置在内部体积中的对象的定向验证。外壳系统进一步包括耦接到后壁的射频识别(RFID)固持器。RFID固持器被配置成固定RFID部件。外壳系统进一步包括设置在内部体积中的架。架中的每一者被配置成支撑对象中的对应对象。
外壳系统结构

[发明专利]用于实现RPS净化的气体混合器-CN202180079522.3在审
发明人：阮芳;D·凯德拉亚;A·班塞尔;V·S·C·帕里米;R·纳拉亚南;B·N·拉马穆尔蒂;S·L·明斯;J·G·K·约瑟夫;R·乔德里 -专利权人： 应用材料公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种半导体处理系统包括远程等离子体源(RPS)、面板，以及定位在RPS与面板之间的输出歧管。输出歧管由与净化气源流体耦接的多个净化出口和与沉积气源流体耦接的多个沉积出口表征。输送管在RPS与面板之间延伸且流体耦接RPS和面板。输送管由大体圆柱形的侧壁，所述大体圆柱形的侧壁限定以径向图案布置的上部多个孔隙。上部孔隙中的每一者与净化出口中的一者流体耦接。大体圆柱形的侧壁限定下部多个孔隙，所述下部多个孔隙以径向图案布置且在上部多个孔隙下方。下部孔隙中的每一者与沉积出口中的一者流体耦接。
用于实现 rps 净化气体混合器

[发明专利]线性化膜氧化生长方法-CN202280012665.7在审
发明人：克里斯托弗·S·奥尔森;托宾·卡芙曼·奥斯本 -专利权人： 应用材料公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了在半导体基板上形成氧化物层的方法。该方法包含通过在第一温度下将半导体基板暴露于具有第一氧百分比的第一气体混合物，以第一生长速率在该基板上形成氧化物层的第一含氧化物部分。通过在第二温度下将该基板暴露于具有第二氧百分比的第二气体混合物，以第二生长速率在该基板上形成第二含氧化物部分。通过在第三温度下将该基板暴露于具有第三氧百分比的第三气体混合物，以第三生长速率在该基板上形成第三含氧化物部分。第一生长速率慢于每个随后的生长速率，并且第二生长速率之后的每个生长速率彼此在50％以内。
线性化氧化生长方法

[发明专利]生成用于模型性能调谐的虚拟旋钮的方法和机制-CN202310447693.8在审
发明人：林瑞哲;陈宴珠;李照贤;庄少特;韩鹏宇;王雲玄 -专利权人： 应用材料公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F9/451 文献下载
摘要：一种电子装置制造系统，被配置为由处理器接收反映与基板的制造工艺相关的特征的输入数据。制造系统还被配置为基于反映特征的输入数据来训练机器学习模型。制造系统还被配置为鉴于特征的虚拟旋钮来修改机器学习模型。
生成用于模型性能调谐虚拟旋钮方法机制

[发明专利]用于固化印刷在基板上的油墨的设备、系统和方法-CN202180093895.6在审
发明人：乔治•塞莱尔;瓦伦蒂娜•富林;胡•T•额;安德烈亚•贝茨尼;安德烈亚·马卡里 -专利权人： 应用材料公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：提供了一种设备(100)，该设备包括可光密封的壳体(105)，该可光密封的壳体用于固化印刷在具有发光二极管(LED)的基板(10)上的可光固化的油墨。该设备包括基板支撑件(130)；接口(110)，该接口用于向所述LED供应电力；和传送装置(120)，该传送装置被配置为改变该接口和该基板支撑件(130)的相对位置。该传送装置(120)被配置为使该接口(110)与该基板(10)接触以向所述LED提供电力，以便照射所述LED以固化该可光固化的油墨。
用于固化印刷基板上油墨设备系统方法

[发明专利]用于形成图像传感器的方法-CN202180088903.8在审
发明人：陈泰舟 -专利权人： 应用材料公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：用于形成利用空腔轮廓和所引起的应力的图像传感器的方法。在一些实施方式中，方法包括以下步骤：在基板中形成空腔，其中空腔具有配置为接受用于图像传感器的传感器像素结构的空腔轮廓；在空腔中形成至少一个钝化层；及在至少一个钝化层之一的至少一部分上的空腔中形成至少一个光学层。至少一个光学层配置为提供传感器像素结构的至少像素到像素的光学隔离。方法进一步包括以下步骤：在传感器像素结构的至少一个光学层上的空腔中形成传感器像素结构，其中空腔轮廓配置为控制传感器像素结构上的应力。
用于形成图像传感器方法

[发明专利]用于外延和CVD腔室的气体注射器-CN202280015106.1在审
发明人：石川哲也;斯瓦米纳坦·T·斯里尼瓦桑;马蒂亚斯·鲍尔;阿拉·莫拉迪亚;曼朱纳特·苏班纳;卡蒂克·布彭德拉·仙;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;苏拉布·佐凯;迈克尔·R·赖斯;彼得·赖默 -专利权人： 应用材料公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本公开内容大致涉及用于处理半导体基板的处理腔室的气体注射装置。该气体注射装置包括一个或多个气体注射器，该一个或多个气体注射器被配置为与该处理腔室耦接。这些气体注射器中的每一者被配置为接收处理气体并且将该处理气体分配到一个或多个气体出口。这些气体注射器包括多个路径、鳍片阵列和挡板阵列。这些气体注射器被单独加热。也利用了气体混合组件，以控制从这些气体注射器中的每一者流动到处理容积中的处理气体的浓度。该气体混合组件使处理气体的浓度以及流率能够被控制。
用于外延 cvd 气体注射器

[发明专利]减少等离子体引起的损坏的工艺-CN202310845581.8在审
发明人：李建恒;赵来;翟羽佳;崔寿永 -专利权人： 应用材料公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本文所描述的实施方式提供了薄膜晶体管(TFT)和工艺以减少在TFT中的等离子体引起的损坏。在一个实施方式中，缓冲层设置在衬底上方，并且半导体层设置在所述缓冲层上方。栅介质层设置在所述半导体层上方。所述栅介质层在界面处接触所述半导体层。栅电极204设置在所述栅介质层上方。所述栅介质层具有约5e10cm‑2eV‑1至约5e11cm‑2eV‑1的Dit和约0.10V至约0.30V的磁滞以改善所述TFT的性能能力，同时具有在约6MV/cm与约10MV/cm之间的击穿场。
减少等离子体引起损坏工艺

[发明专利]用于使用虚拟模型进行处理腔室健康监测和诊断的系统和方法-CN202280019044.1在审
发明人：德莫特·坎特维尔 -专利权人： 应用材料公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种方法包括由处理器获得与根据配方在处理腔室中执行以在基板的表面上沉积膜的沉积处理相关联的多个传感器值。所述方法进一步包括将机器学习模型应用于多个传感器值，所述机器学习模型是基于处理腔室的子系统的历史传感器数据以及与用于沉积膜的配方相关联的任务数据进行训练的。所述方法进一步包括产生机器学习模型的输出，其中所述输出指示子系统的健康状况。
用于使用虚拟模型进行处理健康监测诊断系统方法

[发明专利]硅基介电膜的沉积-CN202280019935.7在审
发明人：吉蒂卡·巴贾;普雷纳·桑塔利亚·戈拉迪亚;赛沙德利·甘古利;斯里尼瓦·甘迪科塔;罗伯特·詹·维瑟;舒瑞基·雷格瑞简 -专利权人： 应用材料公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种处理方法，包括：将基板定位在处理腔室中并将所述基板的温度设定为50℃至500℃的范围；在所述基板上进行原子层沉积(ALD)循环；以及重复所述ALD循环以形成硅氧化物膜。所述ALD循环包括：通过脉冲氨基硅烷前驱物的流来在所述处理腔室中将所述基板暴露于所述氨基硅烷前驱物；从所述处理腔室净化所述氨基硅烷前驱物；在大于或等于100毫秒至小于或等于3秒的范围内的持续时间内通过脉冲氧化剂的流来将所述基板暴露于所述氧化剂；以及从所述处理腔室净化所述氧化剂。
硅基介电膜沉积

[发明专利]升降销组件-CN202280020626.1在审
发明人： A·苏莱曼;A·侯赛因;T·J·富兰克林;C·黄;常雪杨 -专利权人： 应用材料公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：提供了用于基板处理腔室的升降销组件的方法和设备。在一些实施例中，升降销组件包括：升降销，所述升降销包括轴、头部和耦接端，所述头部被配置成抵靠在静电吸盘上；上引导件，所述上引导件包括顶端、底端和第一开口，所述第一开口从顶端延伸到底端，其中所述轴被设置并且可轴向移动穿过第一开口；下引导件，所述下引导件包括顶端、底端、第二开口和第三开口，第二开口和第三开口从顶端延伸至底端，其中第三开口大于第二开口，并且其中轴被设置并且可轴向移动穿过第二开口和第三开口；以及偏置机构，所述偏置机构耦接到轴并且被配置成将升降销偏置朝向静电吸盘。
升降组件

[发明专利]使用应变调谐的压电模板层调谐量子发射装置的发射特性-CN202180093651.8在审
发明人：阿比吉特·拉克斯曼·桑格尔 -专利权人： 应用材料公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N30/50 文献下载
摘要：一种量子装置包括：基板，所述基板包括第一材料且包括所述基板的上表面；第一层，包含设置在所述基板的上表面上的第一材料的化合物；第二层，包含设置在所述第一层上的金属氧化物；第三层，包含设置在所述第二层上的贵金属；第四层，包含设置在所述第三层上的金属氧化物；第五层，包含设置在所述第四层上的压电材料；第六层，包含设置在所述第五层上的贵金属；第七层，包含设置在所述第六层上的能够量子发射的材料；和第八层，包含设置在所述第七层上的贵金属，且所述第八层和所述第七层中的至少一个被调整尺寸以实现来自第七层的量子发射。
使用应变调谐压电模板量子发射装置特性

[发明专利]坩埚、蒸发源、蒸发方法、蒸发系统和制造装置的方法-CN202180093953.5在审
发明人：安治高志;塞巴斯蒂安·弗兰克 -专利权人： 应用材料公司
申请日： 2021-02-16 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：描述了一种蒸发材料的坩埚。坩埚包括被配置以容纳待蒸发材料的第一材料隔室、加热第一材料隔室的第一加热器、被配置以容纳待蒸发材料的第二材料隔室和加热第二材料隔室的第二加热器。提供了一个蒸气引导隔室。蒸气引导隔室具有第一开口，所述第一开口提供在第一材料隔室与蒸气引导隔室之间的第一流体连通路径，并且具有第二开口，所述第二开口提供在第二材料隔室与蒸气引导隔室之间的第二流体连通路径。此外，蒸气引导隔室具有能连接到蒸气分配器的第三开口。坩埚进一步包括用于加热蒸气引导隔室的第三加热器。
坩埚蒸发方法系统制造装置

[发明专利]基板支撑组件的水平度监测和主动调整-CN202280006924.5在审
发明人：詹姆斯·V·圣地亚哥;帕特里夏·M·刘 -专利权人： 应用材料公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式大体而言涉及处理基板的装置及方法。在至少一个实施方式中，装置包括腔室主体、基板支撑组件及设置于腔室主体的外部并耦接至该基板支撑组件的托架组件。托架组件具有用于调整基板支撑组件的水平度的多个调平螺钉。装置包括耦接至多个调平螺钉中的一者的致动器及耦接至基板支撑组件的加速计。加速计被配置为指示基板支撑组件的取向。装置包括与致动器及加速计通信的控制模块。控制模块被配置为基于由加速计指示的取向来确定基板支撑组件的水平度，并使用致动器调整基板支撑组件的水平度。
支撑组件水平监测主动调整

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