[发明专利]硅基介电膜的沉积在审
| 申请号： | 202280019935.7 | 申请日： | 2022-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN116964714A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 吉蒂卡·巴贾;普雷纳·桑塔利亚·戈拉迪亚;赛沙德利·甘古利;斯里尼瓦·甘迪科塔;罗伯特·詹·维瑟;舒瑞基·雷格瑞简 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;吴启超 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种处理方法，包括：将基板定位在处理腔室中并将所述基板的温度设定为50℃至500℃的范围；在所述基板上进行原子层沉积(ALD)循环；以及重复所述ALD循环以形成硅氧化物膜。所述ALD循环包括：通过脉冲氨基硅烷前驱物的流来在所述处理腔室中将所述基板暴露于所述氨基硅烷前驱物；从所述处理腔室净化所述氨基硅烷前驱物；在大于或等于100毫秒至小于或等于3秒的范围内的持续时间内通过脉冲氧化剂的流来将所述基板暴露于所述氧化剂；以及从所述处理腔室净化所述氧化剂。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基介电膜 沉积 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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