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[发明专利]线性化膜氧化生长方法-CN202280012665.7在审
发明人：克里斯托弗·S·奥尔森;托宾·卡芙曼·奥斯本 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了在半导体基板上形成氧化物层的方法。该方法包含通过在第一温度下将半导体基板暴露于具有第一氧百分比的第一气体混合物，以第一生长速率在该基板上形成氧化物层的第一含氧化物部分。通过在第二温度下将该基板暴露于具有第二氧百分比的第二气体混合物，以第二生长速率在该基板上形成第二含氧化物部分。通过在第三温度下将该基板暴露于具有第三氧百分比的第三气体混合物，以第三生长速率在该基板上形成第三含氧化物部分。第一生长速率慢于每个随后的生长速率，并且第二生长速率之后的每个生长速率彼此在50％以内。
线性化氧化生长方法

[发明专利]利用间歇性空气-水暴露的改良自组装单层阻挡-CN201780019657.4有效
发明人： 托宾·卡芙曼·奥斯本;基思·塔特森·王 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在此所述的实施方式大体上涉及用于制造半导体装置的工艺，其中使用自组装单层(SAM)来实现选择性区域沉积。在此所述的方法涉及交替的SAM分子和羟基部分暴露操作，其可用以形成适于阻挡随后沉积材料的沉积的SAM层。
利用间歇性空气暴露改良组装单层阻挡

[发明专利]用于选择性区域沉积的集成集群工具-CN201710364977.5有效
发明人： 托宾·卡芙曼·奥斯本;斯里维斯·D·内曼尼;卢多维克·葛德特;奇伟·梁;阿迪布·可汗 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文所述实施方式涉及用于处理基板的装置和方法。在一个实施方式中，提供一种集群工具装置，所述集群工具装置具有传递腔室和围绕所述传递腔室设置的预清洁腔室、自组装单层(self‑assembled monolayer；SAM)沉积腔室、原子层沉积(atomic layer deposition；ALD)腔室和后处理腔室。基板可被集群工具处理并在预清洁腔室、SAM沉积腔室、ALD腔室和后处理腔室之间传递。基板在每个所述腔室之间的传递可通过容纳有传递机器人的传递腔室来促进。
用于选择性区域沉积集成集群工具

[发明专利]用于输送气体至工艺腔室的设备及系统-CN202180071341.6在审
发明人：克里斯托弗·S·奥尔森;劳拉·哈夫雷查克;托宾·卡芙曼·奥斯本;张文飞 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文描述的实施方式大体涉及一种气体组件，该气体组件设置在主机门与工艺腔室之间。该气体组件提供进入处理容积的多区域气体交叉流分配。这些区域中的每个区域都是被独立地控制的。这些区域各自包括单个喷嘴，这些区域各自包括与多个喷嘴流体耦接的气室，或其组合。这些喷嘴，诸如与喷嘴一起被包括的气室，设置在该歧管内且在该歧管的第一主表面与第二主表面之间。这些喷嘴的出口与该歧管的第二主表面流体连通，并与该工艺腔室的容积流体连通。多个独立受控的区域为流量敏感的化学工艺提供了质量流量可控性。该气体组件包括适配器板，该适配器板被构造为耦接至真空主机机器人。
用于输送气体工艺设备系统

[发明专利]用于改善自由基浓度的侧面注入设计-CN202210541866.8在审
发明人：庄野贤一;维希瓦·库马尔·帕迪;克里斯托弗·S·奥尔森;汉瑟·劳;阿古斯·索菲安·查德拉;泰万·基姆;托宾·卡芙曼·奥斯本 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：在一个实例中，腔室入口组件包括腔室入口、用于输送管线的外部耦接件以及用于处理腔室的处理区域的内部耦接件。内部耦接件和外部耦接件分别在腔室入口的内端和外端上，其中内部耦接件的横截面面积大于外部耦接件的横截面面积。腔室入口组件还包括纵向剖面，该纵向剖面包含内端和外端以及第一边和第二边，第一边和第二边位于腔室入口的相对侧，其中纵向剖面的形状包括以下各者中的至少一个：三角形、修改式三角形、梯形、修改式梯形、矩形、修改式矩形、菱形和修改式菱形。腔室入口组件还包括盒，该盒包含腔室入口并经配置以设置到处理腔室的侧壁中。
用于改善自由基浓度侧面注入设计

[发明专利]用于自组装单层工艺的化学输送腔室-CN202210470647.5在审
发明人：梁奇伟;阿迪卜·汗;托宾·卡芙曼·奥斯本;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;卢多维克·戈代 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文所述的实施方案涉及用于自组装单层(self‑assembled monolayer,SAM)沉积的设备和方法。本文所述的设备包括处理腔室，具有流体耦合到处理腔室上的各种气相输送设备。SAM前驱物可经由经加热以将前驱物维持在气相中的各种设备而输送到腔室的处理容积。在一个实施方案中，经构造以用于输送SAM前驱物的第一安瓿或蒸发器可流体耦接到处理腔室的处理容积。经构造以输送与SAM前驱物不同的材料的第二安瓿或蒸发器也可流体耦接到处理腔室的处理容积。
用于组装单层工艺化学输送

[发明专利]输送反应物气体的处理系统和方法-CN202080062904.0在审
发明人：维希瓦·库马尔·帕迪;克里斯托弗·奥尔森;雷内·乔治;埃里克·肖诺;劳拉·哈夫雷查克;埃里卡·汉森;托宾·卡芙曼·奥斯本;汉瑟·劳;卡尔蒂克·萨哈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本文描述的实施方式总体涉及输送反应物气体的处理系统和方法。处理系统包括基板支撑系统、注入锥和进口。注入锥包括线性舵。线性舵设置成使得反应物气体通过注入锥的流动造成在基板的特定部分上的膜生长。方法包括以下步骤：使气体流动通过注入锥并且将气体输送到下面的基板上。反应物气体的局部化允许在基板的特定部分上的膜生长。
输送反应物气体处理系统方法

[发明专利]用于改善自由基浓度的侧面注入设计-CN201980009302.6有效
发明人：庄野贤一;维希瓦·库马尔·帕迪;克里斯托弗·S·奥尔森;汉瑟·劳;阿古斯·索菲安·查德拉;泰万·基姆;托宾·卡芙曼·奥斯本 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：在一个实例中，腔室入口组件包括腔室入口、用于输送管线的外部耦接件以及用于处理腔室的处理区域的内部耦接件。内部耦接件和外部耦接件分别在腔室入口的内端和外端上，其中内部耦接件的横截面面积大于外部耦接件的横截面面积。腔室入口组件还包括纵向剖面，该纵向剖面包含内端和外端以及第一边和第二边，第一边和第二边位于腔室入口的相对侧，其中纵向剖面的形状包括以下各者中的至少一个：三角形、修改式三角形、梯形、修改式梯形、矩形、修改式矩形、菱形和修改式菱形。腔室入口组件还包括盒，该盒包含腔室入口并经配置以设置到处理腔室的侧壁中。
用于改善自由基浓度侧面注入设计

[发明专利]用于自组装单层工艺的化学输送腔室-CN201780025455.0有效
发明人：梁奇伟;阿迪卜·汗;托宾·卡芙曼·奥斯本;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;卢多维克·戈代 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文所述的实施方案涉及用于自组装单层(self‑assembled monolayer,SAM)沉积的设备和方法。本文所述的设备包括处理腔室，具有流体耦合到处理腔室上的各种气相输送设备。SAM前驱物可经由经加热以将前驱物维持在气相中的各种设备而输送到腔室的处理容积。在一个实施方案中，经构造以用于输送SAM前驱物的第一安瓿或蒸发器可流体耦接到处理腔室的处理容积。经构造以输送与SAM前驱物不同的材料的第二安瓿或蒸发器也可流体耦接到处理腔室的处理容积。
用于组装单层工艺化学输送

[发明专利]用于较佳的晶片均匀性的不对称的注射-CN202080011807.9在审
发明人：庄野贤一;维希瓦·库马尔·帕迪;克里斯托弗·S·奥尔森;卡尔蒂克·萨哈;汉瑟·劳;托宾·卡芙曼·奥斯本;雷内·乔治;劳拉·哈夫雷查克;埃里卡·汉森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-01-30 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于处理基板的气体注射器包含：主体，所述主体具有能连接至气体源的入口，所述气体源被配置为当处理在设置于处理腔室的处理容积内的基板支撑件上的基板时，在第一方向上提供气流至所述入口；及气体注射通道，所述气体注射通道形成在所述主体中。所述气体注射通道与所述入口流体连通且被配置为将所述气流输送至所述处理腔室的入口。所述气体注射通道具有平行于第二方向和第三方向的第一内表面和第二内表面。所述第二方向和所述第三方向不与所述基板的中心相交，并朝向所述基板支撑件的第一边缘而与所述第一方向成一角度。
用于晶片均匀不对称注射

[发明专利]用于供应改良的气流至处理腔室的处理空间的方法和设备-CN201980082954.2在审
发明人：维希瓦·库马尔·帕迪;庄野贤一;卡尔蒂克·萨哈;克里斯托弗·S·奥尔森;阿古斯·索菲安·查德拉;托宾·卡芙曼·奥斯本;泰万·基姆;汉瑟·劳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开内容一般提供在电子装置制造处理期间向处理腔室的处理空间提供至少为亚稳态的自由基分子物质和/或自由基原子物质的方法及其相关设备。在一个具体实施方式中，设备是设置在远程等离子体源和处理腔室之间的气体注入组件。气体注入组件包括：主体；设置在主体中的介电衬垫，介电衬垫限定了气体混合空间；将气体注入组件耦接至处理腔室的第一凸缘；以及将气体注入组件耦接至远程等离子体源的第二凸缘。气体注入组件还包括穿过主体和衬垫形成的一个或多个气体注入口。
用于供应改良气流处理空间方法设备

[发明专利]低蒸汽压化学物质的输送-CN201880058055.4在审
发明人：阿迪卜·汗;梁奇伟;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;托宾·卡芙曼·奥斯本 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文提供一种用于输送气体至半导体处理系统的方法和设备。在一些实施方式中，该设备包含：气体入口管线，该气体入口管线具有入口阀；气体出口管线，该气体出口管线具有出口阀；气体流量控制器，该气体流量控制器经布置以控制通过该入口阀的流量；孔口，该孔口被包含在该气体出口管线、该出口阀、化学安瓿出口阀或出口隔离阀的至少一个内；化学安瓿，该化学安瓿流体耦接至该气体入口管线和该气体出口管线中的至少一个；和处理腔室。在一些实施方式中，该设备进一步包含：止回阀、一个或多个孔口和/或加热的转向管线。
蒸汽化学物质输送

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