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[发明专利]在硅基绝缘层上生长大面积高性能空穴导电二硒化钨单晶的方法-CN202210358854.1在审
发明人： 吴燕庆;王欣;史新航 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅基绝缘层上生长大面积高性能空穴导电二硒化钨单晶的方法。该方法是利用熔融盐与钨源反应生成更低熔点更高蒸气压的中间产物，使得硅基底上的氧化硅或高介电常数绝缘层上更易基于化学气相沉积的原理生长二硒化钨单晶，同时通过改变衬底放置方式实现二硒化钨的大面积生长。本发明方法能够有效控制大面积多层二硒化钨单晶的生长，得到硅基兼容的高迁移率的空穴导电二维材料，且操作简单，无需转移，材料质量更高。
绝缘生长大面积性能空穴导电二硒化钨单晶方法

[发明专利]基于单晶二硒化钨的垂直异质外延高定向金属铂的方法-CN202210359112.0在审
发明人： 吴燕庆;王欣;刘视远 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B28/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单晶二硒化钨的垂直异质外延高定向金属铂的方法，得到的金属铂和二硒化钨的间隙小于范德华间距，从而形成更好的二维材料和金属接触。二硒化钨位于底层，金属铂位于上层，二者垂直堆叠，通过采用氧气退火纵向诱导形成高定向金属铂外延，从而降低了异质结的接触电阻。本发明提出的方法，解决了高定向金属薄膜制备困难、薄膜尺寸受限制、成本高的问题。二硒化钨场效应晶体管为PMOS，通过本发明方法实现了半导体二维材料与金属的高质量接触，有利于降低接触电阻，与NMOS场效应晶体管形成互补，有利于提高纳米片CMOS器件的性能。
基于单晶二硒化钨垂直外延定向金属方法

[发明专利]低温CVD生长二维半导体材料的方法-CN202310054707.X在审
发明人：颜泽毅;吴燕庆;黄春晖;胡城伟 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明提供一种低温CVD生长二维半导体材料的方法，采用直接在热受限目标衬底上低温生长二维半导体材料的方式，通过在钼源中混合低熔点稀散金属，使前驱体通过稀散金属共熔体的形式在较低的温度下蒸发，达到降低前驱体蒸发温度的目的，避免高温导致的介电层结晶漏电，同时避免因转移带来的褶皱、残胶以及试剂污染的引入。
低温 cvd 生长二维半导体材料方法

[发明专利]模拟神经网络中突触可塑性的光突触器件及其制备方法-CN202210301403.4在审
发明人：范斌斌;吴燕庆;李晟曼;邓香香;颜泽毅;黄春晖;胡城伟 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及半导体传感器技术领域，提供一种模拟神经网络中突触可塑性的光突触器件，包括：衬底；位于衬底上方的第一介电层；位于第一介电层上方的、由硫化钼薄膜构成的沟道层，并且所述硫化钼薄膜为单原子层厚度；位于沟道层上方两侧、并间隔开的源极电极层以及漏极电极层；以及位于沟道层上方、并形成于源极电极层与漏极电极层之间的空间范围内的第二介电层。其中，所述由硫化钼薄膜构成的沟道层具有1.2～1.9eV的可见光学带隙，在对栅极电极层施加栅极电压，并对器件施加可见光波段的光脉冲时，基于源漏极电极层施加读出电压，实现光突触器件对光刺激后的兴奋性突触后的电位模拟。
模拟神经网络突触可塑性器件及其制备方法

[发明专利]二维半导体材料的转移方法-CN202210274087.6在审
发明人：邓香香;黄春晖;颜泽毅;范斌斌;胡城伟;李晟曼;吴燕庆 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-03-20 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种二维半导体材料的转移方法，包括：在生长衬底上制备二维半导体材料，得到二维半导体材料/生长衬底结构；旋涂PMMA并加热固化得到PMMA固化胶层/二维半导体材料/生长衬底的三层结构；保持转移环境湿度大于50％RH，将目标区域的PMMA固化胶层/二维半导体材料两层结构夹起贴附到目标衬底上，得到PMMA固化胶层/二维半导体材料/目标衬底三层结构，经室温静置、丙酮浸和去丙酮处理后，用氮气枪吹干，得到二维半导体材料/目标衬底的双层结构。本发明提出的高湿度环境下进行二维半导体材料的干法转移，既保证二硫化钼的转移效率，还避免褶皱和污染的引入，有效提升转移后单层二硫化钼半导体晶体管的电学性能。
二维半导体材料转移方法

[发明专利]一种柔性横向肖特基整流二极管、制备方法及系统-CN202010054657.1有效
发明人：李学飞;童安泽;吴燕庆 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性横向肖特基整流二极管、制备方法及系统，属于半导体器件技术领域，所述方法包括：在刚性衬底上生长二维过渡金属硫化物材料；控制二维过渡金属硫化物材料的生长过程的温度，使生长过程结束后，产生包含金属相和半导体相的二维材料；将二维材料转移至柔性衬底上；分别在所述二维材料的金属相和半导体相上生长金属电极，得到横向的肖特基整流二极管。本发明通过使同种二维过渡金属硫化物材料之间形成半导体相与金属相的横向异质结，并分别在二维材料的金属相和半导体相上生长金属电极，使得生成的横向肖特基整流二极管具有非常小的寄生电容，截止频率高，能够在高频下工作。
一种柔性横向肖特基整流二极管制备方法系统

[发明专利]氧化铟锡垂直型环栅场效应晶体管及其制备方法-CN202111571065.8在审
发明人： 吴燕庆;胡倩澜;熊雄;童安宇 -专利权人：北京超弦存储器研究院;北京大学
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铟锡垂直型环栅场效应晶体管及其制备方法。所述场效应晶体管为垂直型环栅结构，包括绝缘衬底，在绝缘衬底上由下至上依次层叠漏电极、大高宽比的氧化铟锡沟道层和源电极，其中氧化铟锡沟道层被高κ栅介质层和栅电极环绕包覆，形成环栅结构。氧化铟锡沟道由环栅包围，栅控能力增强，能更好地抑制短沟道效应，进一步推进工艺节点，并且相比于平面型环栅在栅长及源漏接触面积上的限制更小，其整体工艺热预算在300℃以内，可进行三维堆叠，因此有效提升了集成密度。
氧化垂直型环栅场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种基于氧化铟锡的全透明薄膜晶体管及其制备方法-CN202111561524.4在审
发明人： 吴燕庆;熊雄;胡倩澜;童安宇 -专利权人：北京超弦存储器研究院;北京大学
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氧化铟锡的全透明薄膜晶体管及其制备方法。所述晶体管包括衬底、缓冲层、栅电极、栅介质层、沟道层和源漏电极，其中，所述栅电极和源漏电极的材料为金属性ITO，所述沟道层的材料为半导体性ITO。ITO的半导体性和金属性可通过调节磁控溅射生长厚度与氧分压来实现。这种基于ITO电极的场效应晶体管器件能实现更好的透光性。此外，相较于传统其他氧化物半导体器件，该设计可大幅减少金属材料的使用，进一步降低制备难度和成本；通过使用高迁移率半导体沟道ITO，相较于其他传统氧化物半导体，器件能提供更优异的驱动能力。
一种基于氧化透明薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种垂直堆叠互补场效应晶体管及其制备方法-CN202111562428.1在审
发明人： 吴燕庆;熊雄;胡倩澜;童安宇 -专利权人：北京超弦存储器研究院;北京大学
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直堆叠互补场效应晶体管及其制备方法。本发明将n型的氧化铟锡场效应晶体管(ITO FET)位于底层，p型的二维材料场效应晶体管位于上层，二者垂直堆叠形成互补场效应晶体管，从而获得一种功耗低、单元面积占用小、寄生效应小、工作速度快的CMOS器件。
一种垂直堆叠互补场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓MIS-HEMT钝化设计及其制备方法-CN202010752951.X有效
发明人： 吴燕庆;詹丹;李学飞 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种氮化镓MIS‑HEMT钝化设计及其制备方法，其中，钝化结构包括两次叠层的掺硅氧化铪HfSiO材料以及P型CuO。优选的，MIS‑HEMT器件采用凹槽栅结构；栅介质采用高介电常数掺硅氧化铪材料；源漏电极制备采用低温无金接触工艺。本发明通过对钝化结构的关键组成、具体构造，配合氮化镓MIS‑HEMT器件的栅介质材料进行改进，利用两次叠层高介电常数材料(HfSiO)与低介电常数P型氧化物材料(CuO)构建钝化结构，本发明与现有技术相比能够实现更好的电学性能。
一种氮化 mis hemt 钝化设计及其制备方法

[发明专利]一种低噪声放大器-CN202010671333.2有效
发明人： 吴燕庆;张誉宝;李学飞 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结双极晶体管HBT及包括HBT的低噪声放大器，所述HBT包括：从下到上依次分布的衬底、介质层、发射极主体、基极主体、集电极主体；所述发射极主体和所述集电极主体为以MoS2为代表的n型二维过渡金属硫化物，所述基极主体为p型单层石墨烯Gr；还包括：发射极电极、基极电极、集电极电极；其中，所述发射极电极和所述基极主体在所述发射极主体上，且二者互不接触；所述基极电极和所述集电极主体在所述基极主体上，且二者互不接触；所述集电极电极在所述集电极主体上。本发明中HBT器件部分采用二维材料，减小渡越时间；具有肖特基势垒拥有更小的正向压降和更快的恢复速度；无源器件部分采用共面波导结构，可避免打孔，简化了工艺。
一种低噪声放大器

[发明专利]一种石墨烯晶体管的制备方法-CN201780072495.0有效
发明人：梁晨;吴燕庆;张臣雄 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种石墨烯晶体管的制备方法，以简化制备石墨烯晶体管的工艺过程。方法包括：在衬底上覆盖石墨烯层形成第一样品；在第一样品中的石墨烯层上制备源极电极和漏极电极，形成第二样品；在第二样品上沉积第一栅介质，形成第三样品，第一栅介质覆盖源极电极、漏极电极和石墨烯层；对第三样品进行自对准刻蚀，形成第四样品，第四样品包含衬底、源极电极、漏极电极、沟道区域以及第二栅介质，沟道区域为石墨烯层经过自对准刻蚀后形成的用于连接源极电极和漏极电极的导电区域，第二栅介质为第一栅介质经过自对准刻蚀后形成的覆盖源极电极、漏极电极和沟道区域的栅介质；在第四样品中的第二栅介质上制备栅极电极，形成石墨烯晶体管。
一种石墨晶体管制备方法

[发明专利]一种大尺寸三层硫化钼单晶的化学气相沉积制备方法-CN201910491868.9有效
发明人：李学飞;徐晓乐;吴燕庆 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明属于二维材料制备领域，公开了一种大尺寸三层硫化钼单晶的化学气相沉积制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：分别准备清洁且干燥的钼箔和钠钙玻璃，并分别称量硫粉和三氧化钼作为前驱体；S2：在CVD沉积管内放置装有钼箔、钠钙玻璃及三氧化钼的第一载物舟以及装有硫粉的第二载物舟；S3：对所述CVD沉积管进行双温区温度控制的化学气相沉积，从而在钠钙玻璃上实现三层硫化钼单晶的沉积。本发明通过对制备方法中关键CVD工艺所采用的衬底材料、双温区温度设置等进行改进，与现有技术相比，提供了一种制备大尺寸三层二硫化钼单晶的新方法，得到的三层硫化钼单晶其内部最长长度可达90μm，并且制备的三层二硫化钼单晶质量好。
一种尺寸三层硫化钼单晶化学沉积制备方法

[发明专利]熔融盐辅助化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶的方法-CN202010181843.1在审
发明人： 吴燕庆;宋健;李学飞 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明属于二维材料领域，公开了一种熔融盐辅助化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶的方法，该方法是利用预先设定的温度条件，在小反应室处于预先设定的温度条件下时，卤化物能够熔融与钨源材料反应生成熔点低于钨源材料的中间产物，载气气流则能够携带硒源材料产生的气态硒元素与中间产物产生的气态钨元素在衬底上基于化学气相沉积的原理生长多层二硒化钨单晶。本发明通过对制备方法关键的反应参与物和反应腔室进行改进，使用卤化物与钨源材料混合参与反应，利用卤化物熔融盐与钨源材料反应生成熔点低于钨源材料的中间产物，能够有效控制化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶，可控性好且能够制得较大尺寸的多层二硒化钨单晶。
熔融辅助化学沉积生长多层二硒化钨单晶方法

[发明专利]一种碳化硅MOS器件及其制备方法-CN201910437440.6在审
发明人： 吴燕庆;王欣;李学飞 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅MOS器件及其制备方法，包括：对碳化硅外延片的上表面进行第一次氧化处理，得到第一氧化层，并在所述第一氧化层的上表面沉积高介电常数介质层；对由碳化硅外延片和高介电常数介质层构成的层叠结构进行退火处理；在退火处理之后的高介电常数介质层的上表面制备栅电极，得到碳化硅MOS器件。本发明引入高介电常数材料作为介质层，高介电常数材料通过沉积的方式层叠在碳化硅外延片上，得到的介质层的厚度比较均匀，同时避免了氧化碳化硅时碳残余导致的碳化硅和介质层界面处的界面态较大的问题。另外，通过在高介电常数介质层和碳化硅外延片之间增加一层氧化硅，进一步有效提高了碳化硅和介质层之间的界面质量。
碳化硅高介电常数介质层碳化硅外延介质层上表面高介电常数材料退火处理氧化层沉积制备氧化碳化硅制备栅电极层叠结构厚度比较氧化处理界面处界面态氧化硅引入

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