[发明专利]基于单晶二硒化钨的垂直异质外延高定向金属铂的方法在审
| 申请号： | 202210359112.0 | 申请日： | 2022-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN116926672A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 吴燕庆;王欣;刘视远 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B28/12 | 分类号： | C30B28/12;C30B29/02;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于单晶二硒化钨的垂直异质外延高定向金属铂的方法，得到的金属铂和二硒化钨的间隙小于范德华间距，从而形成更好的二维材料和金属接触。二硒化钨位于底层，金属铂位于上层，二者垂直堆叠，通过采用氧气退火纵向诱导形成高定向金属铂外延，从而降低了异质结的接触电阻。本发明提出的方法，解决了高定向金属薄膜制备困难、薄膜尺寸受限制、成本高的问题。二硒化钨场效应晶体管为PMOS，通过本发明方法实现了半导体二维材料与金属的高质量接触，有利于降低接触电阻，与NMOS场效应晶体管形成互补，有利于提高纳米片CMOS器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 单晶二硒化钨 垂直 外延 定向 金属 方法 | ||
【主权项】：
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