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[发明专利]存储单元及具有其的3D存储器装置-CN202110918232.5在审
发明人：杨志祥;龙翔澜;简维志;郑政玮;布莱斯凯·马修 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种存储单元，形成在第一电极与第二电极之间的柱体结构中，包含叠层封装结构。在一示例中，该柱体包含电性串联于第一电极与第二电极之间的双向阈值开关材料的一主体、多个碳系中间层、多个金属层、和相变化存储器材料的一主体。叠层封装结构环绕该柱体。叠层介电封装结构包括至少三个共形层，包含一第一层材料、不同于第一层材料的一第二层材料的一第二共形层、和不同于第二层材料的一第三层材料的一第三共形层。
存储单元具有存储器装置

[发明专利]一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器及其制备方法-CN202211347114.4在审
发明人：王玉婵;许楠楠;袁一鸣;曾福嘉;陈光昊;冉倩;张文霞 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器制备技术领域。本发明公开了一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器，自下而上依次由衬底、底电极、阻变层、顶电极层叠组成，其中阻变层为掺杂Cs2AgSbBr6纳米晶体的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合薄膜。该阻变存储器通过改变掺入Cs2AgSbBr6纳米晶体的质量比能够实现对存储性能的调控，具有双极性非易失存储的特点。
一种基于复合薄膜性能可调存储器及其制备方法

[发明专利]一种物理瞬态的可重构型忆阻器及制备方法-CN202211038115.0在审
发明人：孙静;马晓华;王宏;王湛;杨眉 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种物理瞬态的可重构型忆阻器及制备方法，可重构型忆阻器包括：衬底、底电极、阻变功能层和若干顶电极，底电极位于衬底上，底电极的材料采用水溶性金属材料；阻变功能层包括第一水溶性介质层和第二水溶性介质层，第一水溶性介质层位于底电极上，第二水溶性介质层位于第一水溶性介质层上，第一水溶性介质层的材料包括第一水溶性介质材料，第二水溶性介质层的材料包括第二水溶性介质材料；若干顶电极阵列分布在第二水溶性介质层上。该可重构型忆阻器可溶于水溶液中，当存内计算芯片的应用环境受到威胁，只需将其暴露在水溶液的触发式环境中就可保障存储在忆阻器阵列中的信息不被泄漏，赋予其特定环境中的应变能力从而保障信息安全。
一种物理瞬态构型忆阻器制备方法

[发明专利]一种基于磁相变逻辑信号源的运算器-CN202110429987.9有效
发明人：张雪峰;任文玲;陈文潮;刘先国 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及信息技术逻辑器件技术领域，尤其涉及一种基于磁相变逻辑信号源的运算器。所述运算器以二维材料的磁相变作为逻辑信号源，用于执行算术运算或逻辑运算。所述二维材料选自石墨烯、第四主族石墨烯类似物和第四主族元素的蜂窝状二元化合物中的一种或几种。本发明以能发生磁相变的石墨烯等二维材料为基础，极大的缩小了器件的尺寸；原料来源广泛，成本低。
一种基于相变逻辑信号源运算器

[发明专利]一种兼容于铜互连工艺的阻变存储器工艺集成方法-CN202211156913.3在审
发明人：赵伟;刘国柱;魏敬和;魏应强;魏轶聃;隋志远;刘美杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种兼容于铜互连工艺的阻变存储器工艺集成方法，属于半导体器件及制造领域。采用大马士革工艺在衬底上制作底电极金属连接层；采用大马士革工艺在底电极金属连接层上制作底电极；在底电极上淀积固体电解质层，并在固体电解质层上制作顶电极；采用大马士革工艺在顶电极上制备浅金属孔，采用大马士革工艺在底电极金属连接层上制备深金属孔；采用大马士革工艺在浅金属孔与深金属孔上分别制备顶部金属连接层。本发明采用浅金属孔与深金属孔搭配的方式实现阻变存储器底电极与顶电极互连引出，实现阻变存储器的工艺集成，兼容于铜互连工艺，可用于实现存储阵列、可编程逻辑阵列、存内计算电路、神经形态计算等电路的大规模集成制造。
一种兼容互连工艺存储器集成方法

[发明专利]具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法-CN202211295383.0在审
发明人：张亦舒;凡雪蒙 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法。本发明的具有dropout功能的忆阻器件包括逐层依次设置的第一电极、铁电材料层、二维石墨烯材料层、易失性器件电介质层和银电极所形成的垂直异质结构，其中二维石墨烯材料层充当银离子的阻挡层，在二维石墨烯材料层的帮助下，本发明实施例的忆阻器件实现易失性和非易失性动态行为的结合。易失性的银导电丝在易失性器件电介质层中的随机动态生长过程能够抑制潜行电流的同时实现dropout功能，而非易失性的铁电材料层通过铁电极化翻转能够实现高性能的突触可塑性行为。
具有 dropout 功能器件阵列制造方法

[发明专利]存储装置以及其制作方法-CN202110651873.9在审
发明人：郭致玮;邱崇益 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种存储装置以及其制作方法，其中该存储装置包括基底、存储单元以及第一间隙壁层。存储单元设置在基底上，且存储单元包括第一电极、第二电极以及存储材料层。第二电极在垂直方向上设置在第一电极之上，且存储材料层在垂直方向上设置在第一电极与第二电极之间。第一间隙壁层设置在存储单元的侧壁上。第一间隙壁层包括第一部分与第二部分。第一部分设置在第一电极的侧壁上，第二部分设置在第二电极的侧壁上，且第二部分在水平方向上的厚度大于第一部分在水平方向上的厚度。
存储装置及其制作方法

[发明专利]相变存储单元、相变存储器、电子设备及制备方法-CN202110655982.8在审
发明人：陈鑫;李响 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请公开了相变存储单元、相变存储器、电子设备及制备方法，属于半导体存储技术领域。该相变存储单元包括：相变薄膜，该相变薄膜包括：一层相变材料层和一层异质结层，所述相变材料层与所述异质结层相接触；所述相变材料层采用相变材料形成，所述异质结层采用异质结材料形成；所述异质结材料与所述相变材料的晶格失配度小于或等于20％；所述异质结材料与所述相变材料的接触晶面具有相同的晶格夹角；以及，所述异质结材料的熔点大于所述相变材料的熔点。该相变存储单元具有结构简单，操作可靠性强，稳定性强，读写速度快，使用寿命长等优点。
相变存储单元存储器电子设备制备方法

[发明专利]存储单元、集成电路以及存储单元的制造方法-CN202210174803.3在审
发明人：林毓超;李东颖;邱大秦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种存储单元包括底部电极、第一介电层、可变电阻层以及顶部电极。第一介电层在侧向上环绕底部电极。底部电极的顶表面位于比第一介电层的顶表面的水平高度低的水平高度处。可变电阻层设置在底部电极以及第一介电层上。可变电阻层与底部电极的顶表面以及第一介电层的顶表面接触。顶部电极设置在可变电阻层上。
存储单元集成电路以及制造方法

[发明专利]电子器件及其制造方法-CN201810442143.6有效
发明人：金孝俊;金治皓;曺祥薰;黄应林 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：在用于制造包括半导体存储器的电子器件的方法中，该方法包括：形成层叠结构，层叠结构中的每个层叠结构包括可变电阻图案；在层叠结构上形成覆盖层，覆盖层包括杂质；在层叠结构之间形成间隙填充层；以及通过用紫外光照射覆盖层和间隙填充层来去除覆盖层中的杂质并且使间隙填充层致密化。
电子器件及其制造方法

[发明专利]一种缺陷可控的单层非晶氧化镓的单双极共存阻变存储器及制备方法-CN202211138415.6在审
发明人：林珍华;常晶晶;崔东升;亢梦洋;苏杰;魏葳;郭兴;赵雪;胡赵胜;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种缺陷可控的单层非晶氧化镓的单双极共存阻变存储器及制备方法，装置包括从下到上依次设置的下电极、阻变材料层和上电极；下电极、阻变材料层、上电极均为单层结构，下电极采用Pt衬底，阻变材料层采用非晶氧化镓薄膜，上电极采用活性电极Ag；其中阻变材料层采用磁控溅射的方法制备，通过改变磁控溅射过程中氩氧气流量的比例可以实现非晶氧化镓薄膜中氧缺陷浓度的调控，使得器件同时具备单极性和双极性模式，而且在单双极可逆转变中仅使用同一限流，相同的限流条件可以简化集成阻变存储器外围的电路设计，以此来减小集成电路面积并降低电路功耗。最后，使用真空蒸镀设备进行100‑200nm上电极Ag的制备。本发明简化了工艺流程，且具有结构简单、功耗低以及器件性能高等优点。
一种缺陷可控单层氧化单双极共存存储器制备方法

[发明专利]光子忆阻器及其制备方法-CN202211139617.2在审
发明人：张启明;栾海涛;顾敏 -专利权人：张启明;栾海涛;顾敏
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了光子忆阻器及其制备方法，属于半导体领域。本发明的光子忆阻器由衬底和法布里‑珀罗谐振腔构成，通过第一反射膜、氧化石墨烯非线性介质层和第二反射膜组合形成法布里‑珀罗谐振腔，能够实现光交换中的光空间并行传播和互连，从而更好的进行信息高密度存储，提高处理速度，能耗低，并且相对于现有的忆阻器而言，尺寸更小便于集成、制造，可大规模生产。
光子忆阻器及其制备方法

[发明专利]可变电阻式存储器装置及其形成方法-CN202110641056.5在审
发明人：王温壬;郑钧鸿;王泉富 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种可变电阻式存储器装置及其形成方法，其中该可变电阻式存储器(resistive random‑access memory,RRAM)装置，包含有一底电极、一电阻材料层、一高功函数层、一顶电极、一硬掩模以及高功函数侧壁部分。底电极、电阻材料层、高功函数层、顶电极以及硬掩模依序堆叠于一基底上。高功函数侧壁部分覆盖顶电极的侧壁，以及硬掩模的侧壁，因而构成一可变电阻式存储器单元。
可变电阻存储器装置及其形成方法

[发明专利]一种忆阻器交叉阵列-CN202110044218.7有效
发明人：梁峰;张洁;李冰;张国和 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种忆阻器交叉阵列，包括：忆阻器基本单元，控制导线；所述忆阻器基本单元包括：忆阻器、MOS管；所述控制导线包括：横向的字线、纵向的位线、MOS管栅极控制线；所述字线作为所述忆阻器交叉阵列的激励电压输入端；其中，奇数行的字线输入的激励电压从所述忆阻器交叉阵列的一侧输入，偶数行的字线输入的激励电压从所述忆阻器交叉阵列的另一侧输入，在每一列忆阻器的电导相同的条件下，所述忆阻器交叉阵列每一列位线最终输出的电流相等或相近。本发明实施例提供的忆阻器交叉阵列，使每一列受到的线寄生电阻影响相似，避免了线寄生电阻影响的累加，各列位线最终输出的电流更加接近，减少了线寄生电阻对阵列的计算准确度的影响。
一种忆阻器交叉阵列

[发明专利]一种高分辨率的低温柔性应变电阻开关及其制备方法-CN202010664699.7有效
发明人：马春蕊;花文涛 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及功能氧化物薄膜材料领域，具体涉及到一种高分辨率的低温柔性应变电阻开关及其制备方法，本发明的高分辨率的低温柔性应变电阻开关，包括基片、设置于基片表面的SrTiO3缓冲层和设置于SrTiO3缓冲层表面的La2/3Ca1/3MnO3薄膜，所述基片采用二维层状结构的基片。制备过程为：在二维层状结构的基片上表面通过激光脉冲沉积制备SrTiO3缓冲层，在SrTiO3缓冲层上表面通过激光脉冲沉积制备La2/3Ca1/3MnO3薄膜，通过机械剥离的二维层状结构的基片从下表面进行厚度减薄，使二维层状结构的基片达到预设厚度。本发明高分辨率的低温柔性应变电阻开关分辨率可达105级别，柔性化操作简单实用，适合超低温的环境，在柔性化微型化电子器件、阻变存储器和传感器领域有广阔的应用前景。
一种高分辨率低温柔性应变电阻开关及其制备方法