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[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201611139558.3有效
发明人：周仲彦;谢静佩;刘世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体结构，其包含第N金属层，位于第N金属层上方并与其接触的平面底部阻挡层，位于平面底部阻挡层上方的数据存储层，位于数据存储层上方的电极，和位于电极上方的第(N+1)金属层。N是正整数。本发明实施例还提供了半导体结构的制造方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]用于相关电子开关的可编程电流-CN201680058993.5有效
发明人：巴尔·S·桑德胡;乔治·麦克尼尔·拉蒂摩尔;罗伯特·坎贝尔·艾特肯 -专利权人： ARM有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本技术总地涉及用于为相关电子开关提供可编程电流的装置和方法。
用于相关电子开关可编程电流

[发明专利]包含基本上用介电材料封装的存储材料的半导体装置，以及相关的系统和方法-CN201810994834.7有效
发明人： P·凡蒂尼;A·皮罗瓦诺 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请案涉及包含基本上用介电材料封装的存储材料的半导体结构，以及相关的系统和方法。一种半导体结构包含堆叠结构。所述堆叠结构中的每一者包括：第一导电材料；硫属化物材料，其在所述第一导电材料上方；第二导电材料，其在所述硫属化物材料上方；以及第一介电材料，其介于所述硫属化物材料与所述第一导电材料之间且介于所述硫属化物材料与所述第二导电材料之间。所述半导体结构进一步包括在所述硫属化物材料的至少侧壁上的第二介电材料。所述硫属化物材料可基本上由一或多个介电材料封装。本发明揭示相关的半导体结构及相关方法。
包含基本上用介电材料封装存储半导体装置以及相关系统方法

[实用新型]一种多功能相变单元及多功能超表面-CN202220995497.5有效
发明人：郝成龙;谭凤泽;朱瑞;朱健 -专利权人：深圳迈塔兰斯科技有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种多功能相变单元及多功能超表面，其中，该多功能相变单元包括：纳米结构、氧化钒层、第一电极层、第二电极层、第三电极层和加热电阻；第二电极层与第三电极层用于对加热电阻施加电压；加热电阻能够改变氧化钒层的温度，使氧化钒层在不同温度下呈现导体态或者半导体态；第一电极层与第二电极层用于对纳米结构施加电压，纳米结构由相变材料构成，且纳米结构根据所施加的电压实现晶态与非晶态的转换。通过本实用新型实施例提供的多功能相变单元，不仅可以通过改变该氧化钒层的状态以实现将入射光进行反射与透射的两种不同功能的切换，还可以改变纳米结构的状态对出射光的出射角度进行高自由度的调控。
一种多功能相变单元表面

[发明专利]存储单元及其制造方法、具有存储单元的半导体器件-CN202210396003.6在审
发明人：林毓超;陈佑升;卡罗斯·H·迪亚兹;邱大秦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例是有关于一种存储单元、具有存储单元的半导体器件及制造存储单元的方法。一种存储单元包括底部电极、存储元件层、第一缓冲层以及顶部电极。存储元件层设置在底部电极之上。第一缓冲层插入在存储元件层与底部电极之间，其中第一缓冲层的热导率小于存储元件层的热导率。顶部电极设置在存储元件层之上，其中存储元件层设置在顶部电极与第一缓冲层之间。
存储单元及其制造方法具有半导体器件

[发明专利]存储单元、其制造方法、及具有存储单元的半导体器件-CN202210015064.3在审
发明人：林毓超;陈佑昇;邱大秦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例是有关于一种存储单元、具有存储单元的半导体器件及制造存储单元的方法。一种存储单元包括介电结构、存储元件结构以及顶部电极。存储元件结构设置在介电结构中，且存储元件结构包括第一部分及第二部分。第一部分包括第一侧及与第一侧相对的第二侧，其中第一侧的宽度小于第二侧的宽度。第二部分连接到第一部分的第二侧，其中第二部分的宽度大于第一侧的宽度。顶部电极设置在存储元件结构上，其中第二部分设置在第一部分与顶部电极之间。
存储单元制造方法具有半导体器件

[发明专利]一种忆阻耦合电容效应高性能忆阻器的制备方法-CN202110544500.1有效
发明人：杨峰;任焕鑫;孙柏;赵勇;张勇 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻耦合电容效应高性能忆阻器的制备方法，具体为：在室温环境下通过将等摩尔比的硫酸铜溶液和硫代硫酸钠溶液按照1:2.6‑3.0体积比例混合，得到一个亮绿色的混合溶液，然后把混合溶液倒入放有下电极基底片的容器中；将混合溶液在室温下静止放置数天，然后从混合溶液中取出放入的下电极基底片，即在下电极基底片上沉积出硫化铜薄膜；将下电极基底片取出、烘干；将银胶滴涂于烘干好的硫化铜薄膜表面作为上电极，最终形成一个具有三明治结构的忆阻器件。本发明制备过程简单可行、成本低，制成的器件结构简单、性能优异、具有明显的忆阻耦合电容效应，为开发新型多功能电子器件奠定了良好基础。
一种耦合电容效应性能忆阻器制备方法

[发明专利]一种基于硫化钨纳米片的阻变存储器及其制备方法-CN201811172693.7有效
发明人：闫小兵;秦翠亚;任德亮 -专利权人：河北大学
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于硫化钨纳米片的阻变存储器及其制备方法，所述忆阻器的结构从下到上依次包括Pt衬底、在所述Pt衬底上形成的第一ZrO2阻变层、在所述第一ZrO2阻变层上形成的WS2纳米片介质层、在所述WS2纳米片介质层上形成的第二ZrO2阻变层以及在所述第二ZrO2阻变层上形成的Ag电极层。本发明提供的阻变存储器通过性能检测证明其具有良好的阻变特性，呈现出较为稳定的阻值变化，高电阻值和低电阻值之间相差较大，不容易造成误读，而且该WS2纳米片阻变存储器在高阻态和低阻态下的抗疲劳特性均比较优异。
一种基于硫化纳米存储器及其制备方法

[发明专利]一种基于天然有机材料的忆阻器及其制备方法-CN201910612588.9有效
发明人：葛军;叶炜勇;刘焕宇;赵宣博;黄昌侨;李冬原 -专利权人：广州大学
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于天然有机材料的忆阻器及其制备方法，其包括，依次层叠的衬底、底电极、阻变功能层以及顶电极，所述阻变功能层包括化学修饰后的卡拉胶薄膜以及包覆于所述化学修饰后的卡拉胶薄膜中的纳米金属颗粒，所述纳米银颗粒与所述化学修饰后的卡拉胶的质量比为1％‑4％。该阻变功能层采用化学修饰后的天然有机材料ι型卡拉胶薄膜和以及包覆于薄膜内部的纳米金属颗粒，该阻变功能层具有更高的离子电导率，用于忆阻器件中实现了更加稳定的电阻翻转行为，卡拉胶薄膜中的银纳米颗粒增强了神经突触的可塑性。该忆阻器成本低廉、生物相容性好，并且具有可降解、柔性等优点。该忆阻器可应用于可植入芯片、电子皮肤和生物诊断和治疗等领域。
一种基于天然有机材料忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种具有高热稳定性、低功耗性能的多层相变薄膜材料-CN201810902452.7有效
发明人：胡益丰;张锐;郭璇;尤海鹏;朱小芹;邹华 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微电子领域的材料，具体涉及一种用于高速相变存储器的ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜材料。ZnSb薄膜和GaSb薄膜交替排列，其中，单层ZnSb薄膜的厚度为1～10nm，单层GaSb薄膜的厚度为1～10nm，所述ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜总厚度为2～100nm。利用类超晶格结构的特殊性，可以减少加热过程中的热量散失，降低薄膜的整体热导率，从而提高相变速度。其次，利用类超晶格结构中多层界面的夹持效应，可以减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间，抑制晶化，在提高热稳定性的同时加快相变速度。
一种具有高热稳定性功耗性能多层相变薄膜材料

[发明专利]一种具有快速转变性能的类超晶格相变薄膜材料-CN201810903430.2有效
发明人：胡益丰;张锐;郭璇;尤海鹏;朱小芹;邹华 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微电子领域的材料，具体涉及一种具有快速转变性能的类超晶格相变薄膜材料，ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜材料主要用于快速相变存储器。ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜材料中ZnSb薄膜和GaSb薄膜交替排列，其中，单层ZnSb薄膜的厚度为1～10nm，单层GaSb薄膜的厚度为1～10nm，所述ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜总厚度为3～150nm。通过交替溅射沉积ZnSb层和GaSb层，在纳米量级复合而成。具有减少热量散失，降低薄膜的整体热导率，提高加热效率、降低功耗，在提高热稳定性的同时加快相变速度，最终使相变存储器具有更快的操作速度以及更低的操作功耗。
一种具有快速转变性能晶格相变薄膜材料

[发明专利]半导体存储器器件-CN202111419999.X在审
发明人：黎佳俊;卓荣发;陈学深 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本文的实施例涉及半导体存储器器件及其形成方法。提供了一种半导体存储器器件。该半导体存储器器件包括具有第一电极、第二电极、切换层和过孔结构的存储器基元。第二电极邻近第一电极的一侧，并且切换层覆盖第一电极和第二电极的最上表面。过孔结构位于第二电极的最上表面上方。
半导体存储器器件

[发明专利]一种双极选通忆阻器的制备方法及双极选通忆阻器-CN202110639876.0有效
发明人：李祎;何毓辉;付瑶瑶;黄晓弟;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种双极选通忆阻器的制备方法及双极选通忆阻器，包括：制备下电极；在下电极上沉积阻变材料层；在阻变材料层上沉积上电极：采用磁控溅射方式沉积上电极，通过控制溅射功率以控制上电极金属粒子具备合适的动能，并控制上电极和阻变材料层所处区域的真空度，以使得在上电极沉积的过程中上电极与阻变材料层自发发生氧化还原反应，形成内建双极选通层，并继续在内建双极选通层上沉积上电极；或选用相比阻变材料层金属元素活性高的材料作为上电极的金属材料，使得在上电极沉积的过程中上电极与阻变材料层自发发生氧化还原反应，形成内建双极选通层，并继续在内建双极选通层上沉积出上电极。本发明提高了双极选通器件的性能。
一种双极选通忆阻器制备方法

[发明专利]相变存储器及其控制方法和制作方法-CN202210363693.5在审
发明人：彭文林;刘峻;杨海波;付志成;刘广宇 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种相变存储器及其控制方法和制作方法，其中，所述相变存储器，包括：相变存储单元，所述相变存储单元至少包括依次堆叠设置的第一电极、第一半导体层、相变存储层、第二半导体层、第二电极；其中，在所述第一电极和第二电极接收电压时，所述第一电极与所述第二电极之间形成第一电场，且所述第一半导体层与所述第二半导体层之间形成第二电场，所述第二电场的方向与所述第一电场的方向相反，所述第二电场用于限制所述相变存储层中的离子向所述第一电极和所述第二电极的方向扩散。
相变存储器及其控制方法制作方法

[发明专利]一种基于叠层结构的氧化石墨烯忆阻器及其制备方法-CN202210421804.3在审
发明人：李阳;凌松涛;张程;施智明;何瑞钰;朱成才;毕冉 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于数据存储技术领域，具体涉及一种基于叠层结构的氧化石墨烯忆阻器及其制备方法。基于叠层结构的氧化石墨烯忆阻器包括依次设置的导电基底层、第一氧化石墨烯层、吡啶盐薄膜层、第二氧化石墨烯层和金属电极层。本发明借助叠层结构功能层的巧妙设计，通过将吡啶盐薄膜作为缓冲层插入氧化石墨烯薄膜层中间，有效抑制了金属离子的不规则迁移和导电细丝的杂乱生长，诱导了氧化石墨烯忆阻器的稳定双向调谐和快速响应性能，实现了高性能人工突触的制备，在仿生和神经形态计算领域中具有极高的应用价值。
一种基于结构氧化石墨烯忆阻器及其制备方法