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[发明专利]阻性器件及其制备方法-CN202210563432.8在审
发明人：李少青;周维亚;王艳春;解思深 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种阻性器件及其制造方法，包括：基于张量的多维模型预测所述阻性器件的阻变材料的相变所引起的相变过程的电阻值；根据预测结果制造所述阻性器件。本发明的上述方法，通过引入张量抽象地描述材料，可大幅减少预测所需的计算量；同时，通过依次改变张量元的值以模拟材料逐渐发生相变过程，并追踪过程中材料整体电阻的变化，预测其行为，解决了依赖相变材料的阻性器件沟道行为复杂、非线性，难以预测的问题。上述方法简单易行，且预测较为有效，具有广阔的应用前景。
性器及其制备方法

[发明专利]一种具有类超晶格结构的选通管及其制备方法-CN202011100542.8有效
发明人：童浩;王伦;王位国;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有类超晶格结构的选通管及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。选通管包括衬底以及依次层叠在衬底上的第一金属电极层、类超晶格层以及第二金属电极层，类超晶格层包括周期性交替层叠的n+1个第一子层和n个第二子层，第一子层的材料包括GeS或GeSe，第二子层的材料包括GeTe、ZnTe、AlTe、SiTe、BTe或CTe中的一种。由于GeS和GeSe材料均具有较高的稳定性，可以阻止由于高温导致的第二子层材料中的Te的扩散分离。同时，类超晶格结构各子层很薄，相邻阱之间的耦合很强，在类超晶格层中形成周期性的量子势阱，原来在各量子阱中的分立的能级扩展成为能带，可以减小带隙宽度，从而降低功耗，并且更好的与存储器件单元集成。
一种具有晶格结构选通管及其制备方法

[发明专利]三端超晶格存算一体器的阈值电压调节方法-CN202011200846.1有效
发明人：程晓敏;冯金龙;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种三端超晶格存算一体器的阈值电压调节方法，分别在下电极层与超晶格薄膜之间、超晶格薄膜与上电极层之间设置逆压电层；利用两个逆压电层在施加不同的电压时所产生的不同拉伸形变，对接触的超晶格薄膜产生不同的拉应力，进而来调节超晶格薄膜中的相变材料发生原子层翻转的能量势垒。本发明还提供一种通过上述阈值电压调节方法实现“与”逻辑运算的方法，当超晶格存算一体器的上电极层与第一逆压电层、第二逆压电层同时施加电压脉冲时，超晶格薄膜才发生阻值的突变，即输出为“1”。
三端超晶格一体阈值电压调节方法

[发明专利]选通管相变存储集成单元及其制备方法、相变存储器件-CN202011447855.0有效
发明人：徐明;徐开朗;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种选通管相变存储集成单元及其制备方法、相变存储器件，属于微纳米电子技术领域。在衬底上形成底电极；在底电极上制备绝缘层，对绝缘层进行图形化得到纳米孔，并通过纳米孔暴露出底电极；在纳米孔中填充选通管材料；在选通管材料远离底电极的一侧进行离子注入，以在纳米孔内远离底电极的一侧形成界面型相变存储单元；在绝缘层上形成顶电极。通过对选通管材料进行表面离子注入处理实现了界面型相变存储单元的制备，并同时实现了界面型相变存储单元与选通管单元的集成，减少了工艺步骤。由于相变存储材料由选通管材料经过表面离子注入而得到，避免了选通管单元和相变存储单元界面的界面问题。
选通管相变存储集成单元及其制备方法器件

[发明专利]选通管相变存储集成单元及其制备方法、相变存储器件-CN202011450322.8有效
发明人：徐明;徐开朗;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种选通管相变存储集成单元及其制备方法、相变存储器件，属于微纳米电子技术领域。在衬底上形成底电极；在底电极上制备绝缘层，对绝缘层进行图形化得到纳米孔，并通过纳米孔暴露出底电极；在纳米孔中填充相变存储材料；在相变存储材料远离底电极的一侧进行离子注入，以在纳米孔内远离底电极的一侧形成界面型选通管单元；在绝缘层上形成顶电极。通过对相变存储材料进行表面离子注入处理实现了界面型选通管单元的制备，并同时实现了界面型选通管单元与相变存储单元的集成，减少了工艺步骤。由于选通管材料由相变存储材料经过表面离子注入而得到，避免了相变存储单元和选通管单元界面的界面问题。
选通管相变存储集成单元及其制备方法器件

[发明专利]一种氧化亚铜-磷化亚铜异质结的制备方法-CN202210529947.6在审
发明人：陈蔓汝;彭雪;郭欣;吕燕飞;席俊华;赵士超 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化亚铜‑磷化亚铜异质结的制备方法，本发明先生成磷化亚铜薄膜，之后，在磷化亚铜表面沉积氧化锌薄膜，然后进行热处理，获得p型氧化亚铜。其次，采用模板法在磷化亚铜表面通过磁控溅射沉积氧化锌薄膜，氧化锌薄膜呈叉指形图案，热处理后，表面沉积有氧化锌的部分转变成p型氧化亚铜，形成p型氧化亚铜与p型磷化亚铜的面内异质结。通过热蒸发法在氧化亚铜和磷化亚铜区沉积金电极，制备成异质结器件。本发明制备的由p型氧化亚铜和p型磷化亚铜形成的异质结，成本低，重复性好，忆阻性能好。
一种氧化亚铜磷化亚铜异质结制备方法

[发明专利]一种异质结自整流忆阻器及其制备方法-CN202210589118.7在审
发明人：周广东;冉皓丰;胡小方;宋群梁;王丽丹;段书凯 -专利权人：西南大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种异质结自整流忆阻器及其制备方法。其中，一种异质结自整流忆阻器，包括依次叠加的第一电极层、具有忆阻特性的异质结层和第二电极层，所述第一电极层、具有忆阻特性的异质结层和第二电极层的势垒能够通过能带工程进行调控。其方法包括以下步骤：取基底、第一电极层材料、具有忆阻特性的异质结层材料和第二电极层材料；在所述基底上依次叠加进行第一电极层材料、具有忆阻特性的异质结层材料和第二电极层材料的溅射镀膜，镀膜后形成异质结自整流忆阻器。本发明的目的是解决现有的忆阻器会产生潜行电流，使其电阻值会发生变化，导致其储存的数据失效的问题。
一种异质结整流忆阻器及其制备方法

[发明专利]相变材料层结构及其制备方法和相变存储器-CN202210355441.8在审
发明人：刘峻;杨红心;周凌珺 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种相变材料层结构及其制备方法和相变存储器。所述相变材料层结构应用于相变存储器；所述相变材料层结构包括：第一材料层，所述第一材料层的材料为GeTe；第二材料层，所述第二材料层的材料至少包括Ga元素和Sb元素；所述第一材料层与所述第二材料层交替堆叠。
相变材料结构及其制备方法存储器

[发明专利]非易失性存储器件及其操作方法-CN202210368985.8在审
发明人：吴华强;席悦;唐建石;高滨;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件和其操作方法。该非易失性存储器件包括阻变存储器和与该阻变存储器串联的第一电阻，其中，阻变存储器包括在第一方向上依次叠层的第一电极、阻变层和第二电极，并且阻变层被配置为在第一电极和第二电极上施加的电压信号的控制下实现不同电阻值的转变。该非易失性存储器件的设计有效地缓解了阻变存储器的弛豫效应，同时保持了原有阻变存储器低功耗的特性。
非易失性存储器及其操作方法

[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法-CN202210285359.2在审
发明人：普勇;许昕宇;魏陆军 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于材料MoS2‑xOx的阻变存储器及其制备方法，阻变存储器包括由下至上依次设置的Ti/Au底电极层、MoS2‑xOx层、Ti/Au顶电极层，采用Ti作为顶部接触电极，金属Au作为底部接触电极。制备包括：在SiO2/Si硅片衬底上制备Ti/Au底电极；制备MoS2‑xOx层，制备Ti/Au顶电极。通过外加电压，Ti和阻变层间形成了氧富集层，器件从低阻态转变为高阻态。当加反向电压时，氧富集层中的氧回到初始状态，器件从高阻态转变成为低阻态。这种可逆的氧化过程通过控制金属/氧化物界面的离子的含量，可以实现更实用、更有效的阻变效应，在阻变存储器件中具有广阔的应用前景。
一种存储器及其制备方法

[发明专利]一种自成型的拓扑相变纳米存储器件结构、其制备和应用-CN202210467671.3在审
发明人：程伟明;苏睿;肖睿子;陈家宝;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体信息存储和人工突触器件技术领域，更具体地，涉及一种自成型的拓扑相变纳米存储器件结构、其制备和应用。通过在SXO(X＝Fe,Co)薄膜上生长活泼金属纳米颗粒，利用金属纳米颗粒易于被氧化的性质来吸收SXO中部分O离子，此时金属纳米颗粒下方的SXO薄膜处于缺氧状态，形成阻值较高的BM‑SXO相阻挡层，此时PV‑SXO导电丝的尺寸由金属纳米颗粒的尺度决定，且PV‑SXO导电丝的方向被一定程度限定为垂直于薄膜面内方向，以实现氧化物基存储器件的一致性与可靠性。
一种成型拓扑相变纳米存储器件结构制备应用

[发明专利]一种基于MXene/MoSe2/PMMA/MXene结构的非易失性存储器件-CN202110067435.8有效
发明人：李国华;王宁;周雪;夏超;黄辉;侯蕊;黄志祥 -专利权人：安徽大学
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MXene/MoSe2/PMMA/MXene结构的非易失性存储器件，其是在衬底上逐层设有MXene层、MoSe2层、PMMA层和MXene层。本发明的非易失性存储器件可重复性好、开关阈值低，具有较好的应用前景；且本发明的非易失性存储器件基于有机物PMMA与无机物MoSe2的协同而实现，制备方法简单、成本低，可实现工业化生产。
一种基于 mxene mose2 pmma 结构非易失性存储器

[发明专利]阻变存储器及其制备方法-CN201710801908.6有效
发明人：吴华强;吴威;高滨;钱鹤 -专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器包括：第一电极、第二电极、位于所述第一电极和所述第二电极之间的阻变层、至少一层储热层，所述储热层与所述阻变层相邻，所述储热层的热导率小于所述第一电极和所述第二电极的热导率。该阻变存储器的电导在外加脉冲的条件下无论是增大的过程还是减小的过程，其电导都可以连续变化。
存储器及其制备方法

[发明专利]一种双极性/无极性可逆互转型阻变存储器及其制备方法-CN201810286401.6有效
发明人：徐海阳;赵晓宁;范泽莹;王中强;马剑钢;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及本发明的一种双极性/无极性可逆互转型阻变存储器及其制备方法，包括SiO2衬底，设置于SiO2衬底上的惰性金属底电极，设置于底电极上的MoS2阻变介质层，设置于MoS2阻变介质层上的活性金属顶电极。本发明解决现有阻变存储器只能实现双极性与单极性永久互转的问题，进而拓展器件在高密度存储领域应用。
一种极性可逆转型存储器及其制备方法

[发明专利]相变存储单元、相变存储器及其制备方法、电子设备-CN202110521657.2在审
发明人：李响;李天宇;谭海波;陈一峰;马平 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种相变存储单元、相变存储器及其制备方法、电子设备。上述相变存储单元包括第一电极、第一加热层、相变材料层、第一绝缘层和隔热层。其中，上述第一电极、第一加热层和相变材料层层叠设置。第一绝缘层环绕包裹第一加热层和相变材料层。隔热层至少位于第一加热层和第一绝缘层之间，以及第一加热层与第一电极之间。隔热层包裹了第一加热层除了与相变材料层相对一侧的表面，从而第一加热层的热量可以通过该表面传导至相变材料层，以驱动相变材料层工作。可以提高该相变存储单元加热效率，降低了操作电流。可以减少相邻的相变存储单元之间的热串扰，降低相变存储器的读写错误率。
相变存储单元存储器及其制备方法电子设备