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[发明专利]一种低功耗相变存储器的制备方法-CN202210480717.5在审
发明人：方文成;蔡道林;李程兴;宋志棠;冯高明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种低功耗相变存储器的制备方法。该制备方法包括：(1)在衬底上生长第一介质层，并形成圆柱状底电极；(2)在第一介质层上形成第二介质层，光刻和刻蚀形成纵向的沟槽1，(3)在沟槽1内形成“倒几字”型相变材料层，回刻蚀；(4)在形成的侧壁相变结构上生长第三电介质层，然后生长第四电介质层并填满沟槽1，抛光；(5)生长导电薄膜层，并通过光刻和刻蚀形成纵向条状导电线条；(6)生长第五电介质层，然后生长第六电介质层并填满导电线条之间的沟槽2，抛光；(7)圆孔1光刻和刻蚀，孔内填充导电材料，然后抛光，形成顶电极。该方法制备的相变材料层以片状形式存在，大大减小了相变材料的体积有利于功耗的降低。
一种功耗相变存储器制备方法

[发明专利]一种织物型可穿戴神经形态突触器件及其制备方法-CN202210693512.5在审
发明人：孟佳琳;王天宇;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种织物型可穿戴神经形态突触器件及其制备方法。该织物型可穿戴神经形态突触器件包括：第一金属织物，作为顶电极；有机聚合物铁电薄膜，包覆在所述第一金属织物上，仅在端部保留部分所述第一金属织物露出；有机半导体材料层，包覆在所述有机聚合物铁电薄膜上，仅在端部保留部分所述有机聚合物铁电薄膜露出；第二金属织物，与所述第一金属织物以十字交叉的方式排列，作为底电极；利用光源激励与电学脉冲作为光电双重模式的不同信号源，实现光激励的神经突触权重增强与电激励的神经突触权重抑制效果。
一种织物穿戴神经形态突触器件及其制备方法

[发明专利]一种相变材料、相变存储单元及其制备方法-CN201910329526.7有效
发明人：宋三年;薛媛;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变材料、相变存储单元及其制备方法，其中，相变材料包括钽元素、锑元素及碲元素，相变材料的化学式为TaxSbyTez，其中，x、y、z均指元素的原子百分比，且1≤x≤25，0.5≤y:z≤3，x+y+z＝100。本发明的TaxSbyTez相变薄膜材料具有相变速度快、热稳定性突出、数据保持能力强、循环寿命长、成品率高等特点，其中，Ta5.7Sb37.7Te56.6具有165℃的十年数据保持力，将其应用于相变存储器中器件单元具有6ns的操作速度和高于100万次的擦写次数。同时，本发明的TaxSbyTez相变材料的晶粒非常小，在400℃退火处理30分钟后，晶粒尺寸依然小于30纳米，这对于器件的稳定性、低功耗、成品率非常重要。本发明的相变存储器单元的制备方法与CMOS工艺相兼容，便于精确控制相变材料的成分。
一种相变材料存储单元及其制备方法

[发明专利]用于制备忆阻器的功能层、忆阻器以及相应的制作方法-CN202210794343.4在审
发明人：王佩剑;蓝善贵;郑智元;潘宝俊;张致翔;俞滨 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及忆阻器技术领域，公开了一种用于制备忆阻器的功能层、忆阻器以及相应的制作方法，其中，功能层包括二维电介质层，所述二维电介质层引入有相应的空位缺陷。使用本发明的功能层使得表征忆阻器性能的开关比更大，而且制作得到的忆阻器器件不需要和现有技术一样需要在开始阶段先施加一个较大电压的初始化操作来诱导金属电极形成导电细丝，也有利于降低器件工作设置过程所需要的电压，降低功耗。
用于制备忆阻器功能以及相应制作方法

[发明专利]低形成电压OxRAM存储器单元及相关的制造方法-CN202080094060.8在审
发明人：加布里埃尔·莫拉斯;托马斯·马吉斯;让-弗朗索瓦·诺丁;亚历山德罗·布里卡利;吉塞佩·皮科博尼;伊法特·科恩;阿米尔·雷格夫 -专利权人：法国原子能及替代能源委员会;威比特纳米技术有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明的方面涉及OxRAM电阻式存储器单元(50)，其包括下部电极(2)、上部电极(53)以及在下部电极和上部电极之间延伸的有源层(54)。有源层包括第一电绝缘氧化物(EOx)层，其中，可形成导电细丝，随后连续地破坏和重新形成几次。上部电极包括能够接纳氧的贮存器层(55)，该贮存器层包括由金属(M)制成的上部部分(551)和由第二氧化物(MOy)制成的下部部分(552)，第二氧化物是所述金属的氧化物并且包含氧的比例(y)，使得第二氧化物是导电的。本发明还涉及一种用于制造这种存储器单元的方法。
形成电压 oxram 存储器单元相关制造方法

[发明专利]一种超晶格结构及其制备方法、相变存储器-CN202210503057.8在审
发明人：杨红心;周凌珺;刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种超晶格结构及其制备方法、相变存储器。所述超晶格结构包括层叠设置的多个重复单元，每个所述重复单元包括：第一相变层和第二相变层；所述第一相变层具有第一掺杂浓度，所述第二相变层具有第二掺杂浓度，所述第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓度均大于或等于0；至少一个掺杂层，位于所述第一相变层和所述第二相变层之间；所述掺杂层的材料包括所述第一相变层的材料和/或所述第二相变层的材料；其中，所述掺杂层的掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度，且所述掺杂层的掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度。
一种晶格结构及其制备方法相变存储器

[发明专利]一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法-CN202210551303.7在审
发明人：周夕淋;朱栩旭;宋志棠;宋三年 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法。该变存储材料包括范德华结构缓冲层以及过渡金属层与相变材料层交替堆叠组成的超晶格相变存储层。该相变存储器包括底电极层、界面相变存储材料、顶电极层。本发明通过在相变材料中嵌入原子级厚度的过渡金属界面材料的方式改善材料的存储性能。该相变存储器具有快速、低功耗的擦写特性，稳定的多级电阻态以及较好的疲劳特性，有望应用于神经形态器件及高密度存储领域。
一种界面相变存储材料存储器及其制备方法

[发明专利]一种忆阻器活性层CsPbBr3-CN202210586766.7在审
发明人：刘淑娟;唐润泽;赵强;陈曦;梁鑫 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻器活性层CsPbBr3薄膜的制备方法，所述方法解决了CsBr在常用溶剂中溶解度低，无法使用一步法制备CsPbBr3钙钛矿活性层的问题。方法中选用CsAc作为铯源，MABr作为补充溴源，在溶剂中加入醋酸甲胺调控活性层薄膜的结晶动力学，最终按照Cs、Pb、Br元素化学计量比1:1:3制得忆阻器活性层薄膜。本发明方法简单易操作，用来制作忆阻器性能优良。本发明方法还具有工艺简单，有利用规模化应用并推广等优点。
一种忆阻器活性 cspbbr base sub

[发明专利]一种有机阻变存储器件及其制备方法-CN202210601494.3在审
发明人：高志翔;李伟;朱慧文;朱弘伟;屈文山;魏斌 -专利权人：山西大同大学
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机阻变存储器及其制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括涂覆ITO导电层的玻璃衬底，并在衬底上依次设有阻变层和顶电极，所述阻变层为有机聚合物P3HT掺杂有机小分子CDCB，顶电极为Al、Ag或Au。P3HT与CDCB具有较好的稳定性、溶解性、成膜性，可采用工艺简单、成本低的溶液法制备，形成了基于电荷俘获机制的有机阻变存储器。
一种有机存储器件及其制备方法

[发明专利]一种水平结构的忆阻器及均一性优化方法-CN202110155752.5有效
发明人：王燕;吕子玉;洪宾;吴鹏;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院）
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明的一种水平结构的忆阻器及均一性优化方法，包括双端水平电极、介电材料、基底；其中，双端水平电极具有对称性，采用金属作电极，以钙钛矿微米棒材料作为介电材料，以表面有SiO2的硅片、玻璃片、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯这些作为基底。本发明的忆阻器均一性优化方法通过清洗、烘干、UVO亲水化处理、钙钛矿微米棒制备、EBL预制水平结构电极、蒸镀及干法转移钙钛矿微米棒得到最终器件；本发明的优化方法利用晶体表面的金属离子迁移活化能较低，为离子迁移提供了最优选的路径，从而在维度上限域CF的形成，提高了器件的稳定性和均一性。
一种水平结构忆阻器均一优化方法

[发明专利]一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法-CN201910954291.0有效
发明人：孙艳梅;温殿忠 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法，属于电子技术以及存储器器件技术领域。本发明为了解决现有阻变存储器无法实现外界温度刺激的响应的问题。本发明将果胶水溶液滴涂在聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底上真空蒸镀的铝薄膜上，铝作为上电极，获得响应温度的阻变存储器。本发明制得的阻变存储器在外界温度的刺激下可实现阻变存储器三稳态到双稳态转换的特性响应，拓展了调控阻变存储器特性的手段，为实现阻变存储器的温控特性调制提供了可能，进而可以更好的应用于智能存储等新兴领域。并且本方法制备的阻变存储器的功能层所用原料为果胶，相比于使用重金属粒子掺杂得到功能层，对环境更加友好，且该阻变存储器的开关比高、性能稳定。
一种响应温度刺激存储器制备方法

[发明专利]一种室温下具有铁磁性及电阻转换特性的Ag/In2-CN202210591774.0在审
发明人：徐芹;殷晓广;董梅玉;兰天;段苏田;刘力虎;孙会元 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明为一种室温下具有铁磁性及电阻转换特性的Ag/In2O3/PAA/Al器件的制备方法。该方法包括以下步骤：将PAA模板放入超高真空多功能磁控溅射仪中，经过溅射，得到附着在PAA上的多孔氧化铟薄膜；然后用导电凝胶将附着有多孔氧化铟薄膜的PAA粘贴在Al基底上，再利用溶银水将银胶点到氧化铟薄膜上，形成顶电极，最终得到在室温下具有铁磁性以及电阻转换特性的Ag/In2O3/PAA/Al器件；本发明得到的阻变器件高低阻态变化明显，可控性较好，为将氧化铟应用于自旋电子器件奠定了基础。
一种室温具有铁磁性电阻转换特性 ag in base sub

[发明专利]一种互补式人工突触阵列及其电流体喷印制备方法-CN202210593244.X在审
发明人：叶冬;王洪扬;黄永安;田雨;关寅 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于柔性微电子器件制备相关技术领域，其公开了一种互补式柔性人工突触阵列及其电流体喷印制备方法，包括以下步骤：(1)在亲水处理后的透明基底上制备聚酰亚胺层；(2)在聚酰亚胺层上制备氧化铟锡调节层；(3)氧化铟锡调节层上沉积金属纳米线；(4)采用热辅助电流体喷印纺丝方式在在金属纳米线的相应位置沉积底层有机聚合物电极；(5)在底层有机聚合物电极上自下而上依次沉积下层有机阻变层、中间层有机聚合物电极、上层有机阻变层；(6)采用热辅助电流体喷印纺丝方式在每排上层有机阻变层上制备顶层有机聚合物电极，继而得到互补式柔性人工突触阵列。本发明实现了柔性人工突触结构的大规模快速制备，并克服了漏电流问题。
一种互补人工突触阵列及其流体印制方法

[发明专利]一种光控忆阻器及其制备方法-CN202210487825.5在审
发明人：臧春和;王斌 -专利权人：光子集成（温州）创新研究院
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光控忆阻器及其制备方法，属于忆阻器技术领域，能够增大现有忆阻器的叠层密度并减小其功耗。所述光控忆阻器包括依次堆叠设置的第一光源层、忆阻器阵列层和第二光源层；所述忆阻器阵列层包括呈阵列分布的多个忆阻器器件；所述第一光源层包括呈阵列分布的多个第一发光器件；所述第二光源层包括呈阵列分布的多个第二发光器件；所述忆阻器器件、所述第一发光器件和所述第二发光器件均一一对应；所述第一发光器件用于发射第一波段光；所述第一波段光用于控制对应的所述忆阻器器件开启；所述第二发光器件用于发射第二波段光；所述第二波段光用于控制对应的所述忆阻器器件关闭。
一种光控忆阻器及其制备方法

[发明专利]包含阻变沟道层的电子器件-CN202111174452.8在审
发明人：具元泰;韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种包含阻变沟道层的电子器件。该电子器件包括：衬底；源电极层和漏电极层，它们被设置在衬底上方而彼此间隔开；沟道层，其能够接收氢，并且被设置在衬底上方在源电极层和漏电极层之间；质子传导层，其设置在沟道层上；氢源层，其被设置在质子传导层上；以及栅电极层，其被设置在氢源层上。
包含沟道电子器件