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[发明专利]RRAM的制造方法-CN202210395917.0在审
发明人：陆神洲;王平 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种RRAM的制造方法包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底上形成金属下电极材料层。步骤二、在金属下电极材料层表面形成第一材料层，第一材料层的材料为第一金属的氮化物。步骤三、对第一材料层进行退火氧化，使第一材料层分成被氧化的顶层以及未被氧化的底层，第一材料层的顶层的材料转换为第一金属的氧化物并作为阻变材料层；由底层作为底部阻挡层。步骤四、在阻变材料层的顶部形成金属上电极材料层。本发明能形成具有氧含量渐变分布的阻变材料阻挡层，且工艺简单、易于控制以及工艺成本低。
rram 制造方法

[发明专利]用于稳健的电阻式随机存取存储器连接的自对准边缘钝化-CN202080086886.X在审
发明人：安藤崇志;谢瑞龙;P.哈希米;A.雷兹尼塞克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种电阻式随机存取存储器(RRAM)结构，包括分别与第一金属连接线和第二金属连接线电耦合的顶部电极和底部电极(106、108)，所述第一金属连接线和所述第二金属连接线提供到所述RRAM结构的电连接。电阻转换材料(106)的层设置在RRAM结构的顶部电极和底部电极(106、108)之间。所述电阻转换材料(106)在至少电场和/或热的影响下表现出可测量的电阻变化。电介质间隔体(324)至少形成于RRAM结构的底部电极的侧壁上。RRAM结构还包括钝化层(326)，其形成在电介质间隔体(324)的上表面上并覆盖顶部电极(110)的侧壁的至少一部分。钝化层(326)与第一金属连接线自对准。
用于稳健电阻随机存取存储器连接对准边缘钝化

[发明专利]具有多个热界面的相变存储器电极-CN201810651519.4有效
发明人：黄立独;M.D.阿波达卡;平野敏树;赵爱莲;G.C.威克;F.纳迪 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：描述了一种提供相变存储器的系统和方法，相变存储器包含诸如硫族化合物材料的相变材料，其与包括多个热界面的加热元件串联。多个热界面可以使得加热元件具有降低的体热导率或跨加热元件较低的传热速率，而没有电导率的对应的降低。相变材料可以包括锗‑锑‑碲化合物或硫族化合物玻璃。加热元件可以包含具有不同热导率的多个传导层。在一些情况下，加热元件可以包含两个或更多个传导层，其中传导层包括相同的导电材料或化合物，但使用不同的温度、载体气体压力、流率和/或膜厚度沉积或形成，以在两个或更多个传导层之间产生热界面。
具有多个热界面相变存储器电极

[发明专利]一种基于金属卟啉异质结忆阻器及其制备方法和应用-CN201910490540.5有效
发明人：解令海;鞠若麟;仪明东;马可;陈叶;黄维 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金属卟啉异质结忆阻器及其制备方法和应用，该忆阻器包括自下而上依次设置的底电极、异质结层、金属氧化物层和顶电极；所述异质结层包括两层金属卟啉层，用于调控忆阻器的电学性能，所述金属氧化物层用于提供忆阻器运行需要的离子和空位。本发明提供的金属卟啉异质结忆阻器制备工艺简单，性能稳定，适合柔性器件，可以大面积加工，性能指标多变可调并具有电压依赖的过滤特性；同时器件的产率、重复性和性能稳定都很高。
一种基于金属卟啉异质结忆阻器及其制备方法应用

[发明专利]相变材料及其制造方法、相变存储器及其制造方法-CN202210554553.6在审
发明人：杨红心;周凌珺;刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种相变材料及其制造方法、相变存储器及其制造方法，其中，所述相变材料包括：第一掺杂元素、第二掺杂元素以及相变本体材料；其中，所述第一掺杂元素和所述第二掺杂元素均能够与所述相变本体材料中的元素形成化学键；所述形成的化学键的键能大于所述相变本体材料中元素间的化学键的键能；所述第一掺杂元素和所述第二掺杂元素属于元素周期表中不同族的元素。本发明实施例能够提高相变材料的非晶态热稳定性和数据保持力，从而提升相变存储器的电学性能。
相变材料及其制造方法存储器

[发明专利]相变材料、相变存储器、及制备方法-CN202210558687.5在审
发明人：杨红心;周凌珺;刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种相变材料、相变存储器、及制备方法。所述相变材料应用于相变存储器；所述相变材料包括：第一元素和第二元素；其中，所述相变材料应用于制造相变存储器的过程中所述第一元素的损耗大于所述第二元素；所述相变材料中的第一元素的组分大于预设组分；其中，所述第一元素大于所述预设组分的部分用于补充损耗的所述第一元素。
相变材料存储器制备方法

[发明专利]可变电阻存储器件和包括其的电子器件-CN202111560133.0在审
发明人：曹永真;金世润;金裕珉;金度润;金真弘;水崎壮一郎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种可变电阻存储器件包括：包括绝缘材料的支撑层；可变电阻层，在支撑层上并且包括可变电阻材料；盖层，在支撑层和可变电阻层之间，并且保护可变电阻层；在可变电阻层上的沟道层；在沟道层上的栅极绝缘层；以及多个栅电极和多个绝缘体，在平行于沟道层的第一方向上交替且重复地布置在栅极绝缘层上。盖层可以保持在可变电阻层中形成的氧空位。
可变电阻存储器件包括电子器件

[发明专利]一种高性能δ-CsPbI3-CN202210078682.2在审
发明人：许佳;姚建曦;姚程亮 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了属于忆阻器技术领域的一种高性能δ‑CsPbI3薄膜忆阻器及其制备方法。所述δ‑CsPbI3薄膜忆阻器的结构从下至上依次为：FTO导电玻璃基底、底电极Ag膜、AgOx界面层、δ‑CsPbI3薄膜、顶电极Ag膜。所述δ‑CsPbI3薄膜忆阻器在自然氧化的无定形AgOx层表面沉积黄相δ‑CsPbI3薄膜，AgOx界面层有助于δ‑CsPbI3形成连续薄膜，促进薄膜内导电Ag丝的形成起关键作用。所述忆阻器具有非易失性双极性电阻开关和存储特性，具有瞬时设置/复位现象、极大的开关比、低的工作电压、极长的数据保持时间，大大提高了CsPbI3忆阻器的应用价值。
一种性能 cspbi base sub

[发明专利]一种基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器及其制备方法-CN202210311731.2在审
发明人：单玉凤;朱家旗;殷子薇;邓惠勇;戴宁 -专利权人：国科大杭州高等研究院
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器的制备方法，包括如下步骤：步骤1，采用溅射或蒸镀工艺在衬底上沉积导电薄膜作为底电极；步骤2，制备二维层状铜基硫族化合物材料，通过转移法转移至底电极上，作为忆阻功能层；步骤3，采用溅射或蒸镀工艺在忆阻功能层上沉积一层Cu导电层；步骤4，在Cu导电层上蒸镀一层金属层作为顶电极，最终得到基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器。本发明制备的忆阻器利用铜基硫族化合物中本身具有的Cu空位作为Cu离子迁移通道，迁移势垒低，不需表面额外做异质层，器件即具有低的开关电压(1V)。
一种基于二维层状铜基硫族化合物忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法-CN202210158704.6在审
发明人：袁祯晖;宋三年;宋志棠;李小丹;吴青玉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法，所述阈值开关材料的化学通式为GexAsyInzSe(100‑x‑y‑z)，其中x、y、z均指元素的原子百分比，且满足5≤x≤20，15≤y≤40，0z≤10。本发明的阈值开关器件单元，在外部能量的作用下，能够实现高电阻态到低电阻态的瞬时转变；撤去外部能量时，能够立即由低电阻态向高电阻态转变。并且，本发明的阈值开关器件单元具有漏电流低、阈值电压低、开关比大、开启速度快等优点，而且器件的寿命及可靠性都得到了提高。
一种阈值开关材料器件单元及其制备方法

[发明专利]一种高速低电压导电桥式阻变存储器件的制作方法-CN202210317307.9在审
发明人：任豪;曹海潮 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速低电压导电桥式阻变存储器件的制作方法。本发明的制作方法包括：在表面有氧化硅或氮化硅的衬底上制备下电极，通过等离子增强化学气相沉积等工艺制备较厚的隔离层氧化硅或氮化硅，再对隔离层氧化硅或氮化硅层进行刻蚀以形成井区，然后通过磁控溅射、电子束蒸发等工艺沉积阻变层氧化物，沉积上电极并通过湿法腐蚀进行图形化，最后通过湿法或干法腐蚀去除部分隔离层以暴露下电极。本发明通过平面微纳加工工艺，降低了工艺复杂度，同时，井区的存在使上下电极在阻变功能区以外形成良好的电学隔离，还能精确控制阻变层厚度。从而能够实现极低的工作电压与很快的切换速度，可广泛适用于新型非易失性存储器CBRAM的加工制造。
一种高速电压导电桥式阻变存储器件制作方法

[发明专利]一种基于铁电顶栅的忆阻器及其制备方法与调控方法-CN202210392593.5在审
发明人：韩素婷;吕子玉;周晔;高展;王燕;罗明涛;张宇琦 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基于铁电顶栅的忆阻器及其制备方法与调控方法。所述忆阻器包括：衬底、间隔设置于所述衬底上的第一电极和第二电极、设置于所述第一电极和第二电极之间的阻变层、设置于所述阻变层上的铁电层、设置于所述铁电层上的顶栅极。本发明利用铁电效应调控忆阻器的存储效应，可实现忆阻行为的双向、非易失性调控；铁电效应也可在调控过程中，优化器件的存储性能，如降低器件操作电压，多比特存储和快速写入/擦除操作。铁电层的引入也使得器件可在两种模式下完成编程：其一，铁电层处于未极化翻转状态下，是单独的电场作用下完成电阻切换；其二，铁电层处于极化翻转状态，铁电场和电场的共同作用完成电阻切换。
一种基于铁电顶栅忆阻器及其制备方法调控

[发明专利]用于人工神经网络中的N-Ti-Sb-Te基突触仿生器件-CN201810647782.6有效
发明人：任堃;赵哲昊;季振国 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开用于人工神经网络中的N‑Ti‑Sb‑Te基突触仿生器件。本发明用于制备突触仿生器件的存储介质，是Nx(TiSbyTez)100‑x，其中0.1≤x≤5，0.25≤y/z≤4，12≤y+z≤50。该材料在电信号操作下可以实现多态高低阻值的反复转换，并在没有操作信号的情况下维持阻值不变；其中500皮秒≤电信号脉冲宽度≤500纳秒。基于N‑Ti‑Sb‑Te系列相变材料的突触仿生器件在电信号的操作下，其中间态电阻值能提供接近8比特的分辨率，开关电阻差异达到1000倍，在相同脉冲操作下实现了电阻对脉冲个数的线性响应，具备作为突触仿生器件的优秀的电学性质。
用于人工神经网络中的 ti sb te 突触仿生器件

[发明专利]基于铝氧化物的RRAM及其制备方法-CN201811128573.7有效
发明人：沈棕杰;戚燕菲;赵春;赵策洲;杨莉;张艺;罗天;黄彦博 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种电子器件技术领域基于铝氧化物的RRAM及其制备方法，包括由下至上层叠设置的基底、阻变氧化层和上电极层；所述基底包括绝缘层和下电极层；所述阻变氧化层为Al2O3薄膜层；所述上电极层包括若干阵列在阻变氧化层上的上电极，所述上电极在远离阻变氧化层的表面设有金属保护层。本发明采用溶液法工艺制造阻变氧化层，实现低成本RRAM的制备，设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。
基于氧化物 rram 及其制备方法

[发明专利]相变存储器及其制作方法-CN202210572855.6有效
发明人：程晨;王彬;徐凯;吴李瑞;赵佳佳 -专利权人：江苏游隼微电子有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变存储器及其制作方法，器件包括衬底、衬底表面设有沟槽结构，在衬底表面设有隧穿层，隧穿层表面设有俘获层，俘获层为相变材料纳米晶粒化结构，俘获层上形成阻挡层，阻挡层将相变材料纳米晶粒化结构包裹住并相互隔开，阻挡层表面设有半导体层，半导体层表面设有上电极，衬底背面设有下电极。本发明将相变材料纳米晶粒化和沟槽结构组合，实现了增加相变存储器的工作使用寿命和存储容量。
相变存储器及其制作方法