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[发明专利]具有二维电子气沟道势垒层局部凹槽结构的霍尔传感器及其制作方法-CN201810084086.9有效
发明人：黄火林;曹亚庆;李飞雨;孙仲豪 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：一种具有二维电子气沟道势垒层局部凹槽结构的霍尔传感器及其制作方法，属于半导体传感器领域。在半导体衬底上依次生长缓冲层、外延层和势垒层，势垒层表面设有3个主电极C₀、C₁和C₂，主电极C₁和C₂关于主电极C₀中心对称，主电极C₀和C₁之间、C₀和C₂之间设置有凹槽结构，两边凹槽结构关于主电极C₀中心对称，并且凹槽结构的宽度小于C₀和C₁或者C₀和C₂之间电极间距，主电极C₀和C₁之间的凹槽结构上设置有感测电极S₁，主电极C₀和C₂之间的凹槽结构上设置有感测电极S₂。本发明通过选区浅刻蚀形成凹槽，保留凹槽下方完好的异质结界面,能利用二维电子气的高迁移率优势，又能保证在弱磁场信号下运动中的载流子能发生有效偏移，从而提高器件探测敏感度。
主电极凹槽结构电极势垒层二维电子气沟道霍尔传感器局部凹槽中心对称载流子半导体传感器二维电子气势垒层表面异质结界面高迁移率缓冲层敏感度弱磁场外延层偏移衬底刻蚀制作半导体选区两边探测生长保留保证

[发明专利]半导体装置以及其调整方法-CN201910184094.5在审
发明人：飞冈孝明;挽地友生 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置以及其调整方法。半导体装置具备：第一纵向霍尔元件，被设置于半导体基板的第一区域，具有在第一直线上隔开规定的间隔配置的第一多个电极；第二纵向霍尔元件，被设置于半导体基板的与第一区域不同的第二区域，具有在与第一直线平行的第二直线上隔开规定的间隔配置的、与第一多个电极相同数量的第二多个电极；第一驱动电源，对第一纵向霍尔元件进行驱动；以及第二驱动电源，在第一驱动电源之外设置，对第二纵向霍尔元件进行驱动。
纵向霍尔元件半导体装置驱动电源电极半导体基板第一区域间隔配置隔开驱动第二区域平行

[发明专利]霍尔元件-CN201610034307.2有效
发明人：飞冈孝明;海老原美香 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：霍尔元件，其集成于一个衬底上，能够通过切换旋转电流的旋转开关消除偏移且能够同时检测水平方向磁场和垂直方向磁场，具有4次旋转轴，并由以下部分构成：由P型的硅构成的P型半导体衬底层(100)、设于所述P型半导体衬底层上的垂直磁场检测N型杂质区域(110)；以及围着所述垂直磁场检测N型杂质区域对称地配置的8个水平磁场检测N型杂质区域(120、121)。
霍尔元件

[发明专利]垂直霍尔器件-CN201510401886.5有效
发明人：萨沙·迪米特里耶维奇;拉迪沃耶·波波维奇 -专利权人：塞尼斯公司
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：一种垂直霍尔器件(1)，具有深N阱(NW)、在深N阱(NW)的表面设置并且沿着直对称线(8)布置的两个内部接触(5、6)、两个外部接触(4、7)，以及可选地，中心接触(12)。根据本发明将垂直霍尔器件(1)设计成使得外部接触(4、7)的有效宽度大于内部接触(5、6)的有效宽度。可以在内部接触(5、6)之间或者在每个内部接触(5、6)与中心接触(12)之间布置浅高掺杂P⁺带。这些措施有助于平衡描述垂直霍尔器件的电特性的惠斯通电桥的电阻。
垂直霍尔器件

[发明专利]具有绝缘保护层的拓扑绝缘体结构及其制备方法-CN201810113604.5有效
发明人：何珂;姜高源;薛其坤 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有绝缘保护层的拓扑绝缘体结构，包括：绝缘基底、拓扑绝缘体量子阱薄膜和绝缘保护层，其特征在于，所述拓扑绝缘体量子阱薄膜和所述绝缘保护层依次叠加在所述绝缘基底表面形成一异质结结构，所述绝缘保护层选自纤锌矿结构的CdSe、闪锌矿结构ZnTe、闪锌矿结构的CdSe、闪锌矿结构的CdTe、闪锌矿结构的HgSe和闪锌矿结构的HgTe中的至少一种。本发明还公开了一种具有绝缘保护层的拓扑绝缘体结构的制备方法。
绝缘保护层闪锌矿结构拓扑绝缘体结构绝缘体量子阱薄膜制备绝缘基底表面纤锌矿结构异质结结构依次叠加基底绝缘

[发明专利]一种磷掺锑化铟薄膜、霍尔传感器件及其制备方法-CN201910244225.4在审
发明人：黄靖云;尤健;冒伟伟;郑律;门楠 -专利权人：浙江森尼克半导体有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体InP_xSb_1‑x合金薄膜及其霍尔传感器件的制备方法，其中x优化的取值范围为0.05≤x≤0.35。将所述之InP_xSb_1‑x薄膜作为半导体霍尔传感器件的工作层，由于半导体InP_xSb_1‑x薄膜的电子迁移率高于硅和砷化镓，同时可以调控其禁带宽度接近硅或者砷化镓，因此可以在优化温度系数的同时保持其高灵敏度。由半导体InP_xSb_1‑x合金薄膜制备的霍尔传感器件，工作温度高于锑化铟，达到硅和砷化镓的工作温度，而灵敏度、响应时间等性能优于硅和砷化镓器件。该半导体InP_xSb_1‑x薄膜的制备方法采用热蒸发技术及合适的退火工艺，采用合适配比的InP和InSb两种蒸发源材料加一定量的Sb以保证化学计量比。霍尔器件制备采用蒸电极、光刻、划片、引线和分装等标准器件工艺。
霍尔传感器件制备半导体砷化镓薄膜合金薄膜电子迁移率化学计量比砷化镓器件蒸发源材料标准器件高灵敏度合适配比霍尔器件退火工艺温度系数工作层灵敏度热蒸发锑化铟铟薄膜电极掺锑分装光刻划片禁带优化响应调控保证

[发明专利]自旋轨道转矩型磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件-CN201811562322.X在审
发明人：佐佐木智生;盐川阳平 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其在不增加在自旋轨道转矩配线层流通的电流且不施加外部磁场的情况下能够产生磁化旋转。该自旋轨道转矩型磁化旋转元件具备沿X方向延伸的自旋轨道转矩配线层和层叠于自旋轨道转矩配线层的第一铁磁性层，第一铁磁性层具有形状各向异性且在X方向具有长轴，在自旋轨道转矩配线层延伸的平面上，第一铁磁性层的易磁化轴相对于X方向以及与X方向正交的Y方向倾斜。
转矩自旋磁化轨道配线层铁磁性层旋转元件磁阻效应元件形状各向异性方向正交外部磁场易磁化轴长轴施加流通延伸

[发明专利]一种霍尔元件及其制备方法-CN201710093647.7有效
发明人：颜建;黄勇;胡双元;帕勒布·巴特查亚 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明涉及霍尔传感器技术领域，所述的霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：在半导体单晶衬底上形成晶格常数逐渐增大的晶格渐变层；在晶格渐变层上形成缓冲层；在缓冲层上形成与缓冲层晶格常数相匹配的腐蚀隔离层；在腐蚀隔离层上形成与其晶格常数相匹配的霍尔功能层；依次去除半导体单晶衬底、晶格渐变层、缓冲层以及腐蚀隔离层。本发明避免了传统的高缺陷密度的缓冲层对霍尔元件性能的严重影响，使得最后剩下的霍尔功能层具有低缺陷密度，从而使得制得的霍尔元件具有更高的霍尔输出电压，有效地提高了霍尔元件的性能。
一种霍尔元件及其制备方法

[发明专利]一种区分Bi2Se3表面态与体态光致逆自旋霍尔电流的方法-CN201710888588.2有效
发明人：赵宜升;曾晓琳;俞金玲;程树英 -专利权人：福州大学
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种区分Bi2Se3表面态与体态光致逆自旋霍尔电流的方法。该方法在钛酸锶衬底的（111）晶面上生长拓扑绝缘体Bi₂Se₃；而后用高斯分布的圆偏振激光在垂直入射的情况下激发拓扑绝缘体Bi₂Se₃的体态和表面态的光致逆自旋霍尔效应电流，测得当光斑位置在两电极连线的垂直平分线上移动时的光致逆自旋霍尔效应电流；最后，通过建立区分拓扑绝缘体Bi₂Se₃表面态与体态光致逆自旋霍尔电流的定量拟合模型，并进行模型拟合，得到体态和表面态的光致逆自旋霍尔电流。本发明方法，十分简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用；且所得结果准确。
一种区分 bi2se3 表面体态光致逆自旋霍尔电流方法

[实用新型]一种集成放大器件的霍尔器件-CN201821661234.0有效
发明人：黄勇;胡双元;朱忻;米卡·瑞桑 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成放大器件的霍尔器件，包括：在衬底上形成第一半导体层，所述第一半导体层适于用作霍尔功能层；在所述第一半导体层上外延生长第二半导体层，所述第二半导体层与所述第一半导体层之间形成二维电子气；去除部分第二半导体层，使其下的第一半导体层外露出来；去除部分外露的第一半导体层，使得所述第一半导体层上外露的部分与未露的部分隔离；在外露的第一半导体层上设置电极，形成霍尔器件；在未露的第一半导体层上的第二半导体层上设置电极，形成放大器件。本实用新型使放大器件与霍尔器件共用第一半导体层，所要形成的半导体层仅为两层，工艺步骤较少，从而与现有技术相比能够大大简化工艺复杂度。
半导体层放大器件霍尔器件外露本实用新型电极去除二维电子气工艺复杂度工艺步骤外延生长功能层衬底霍尔两层隔离

[发明专利]霍尔传感器-CN201710470300.X有效
发明人：福中敏昭;笠松新 -专利权人：旭化成微电子株式会社
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供一种即使在无岛构造的霍尔传感器中使GaAs霍尔元件小型化和薄型化的情况下也能够防止漏电流的增大的霍尔传感器。具备：GaAs霍尔元件(10)，其具备设置在GaAs衬底(11)上的感磁部(12)、电极部(13a～13d)、以及设置在GaAs衬底的与设置有电极的面相反一侧的面侧的保护层(40)；引线端子(22～25)，其配置在GaAs霍尔元件的周围；金属细线(31～34)，其将电极与引线端子分别电连接；以及模制构件(50)，其对上述部件进行模制。保护层和引线端子的第一面(即同与金属细线连接的面相反一侧的面)从模制构件(50)的同一面露出。GaAs衬底的电阻率为5.0×10⁷Ω·cm以上。
霍尔传感器

[实用新型]一种双三孔垂直霍尔器件结构-CN201821830313.X有效
发明人：魏榕山;杜宇轩;刘莉莉 -专利权人：福州大学
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本实用新型提出一种双三孔垂直霍尔器件结构，所述霍尔器件结构以两个相同且并排设置的三孔垂直霍尔器件形成轴对称结构；左右两个三孔垂直霍尔器件之间设有隔离结构；两个三孔垂直霍尔器件的N阱彼此相互独立且位于同一水平面；所述N阱上设有三个顺序平行排列的N+区形成三孔结构，三个N+区上均连有接触电极；两个三孔垂直霍尔器件以其边缘处的接触电极经导线相连形成组合体；本实用新型以两个互为镜像的三孔结构形成对称结构，四个状态下的电流流径对称，有利于使用旋转电路降低失调电压，同时接触电极采用非等间距的设计，在接触电极之间设置P+区优化载流子的分布情况，避免短路效应，器件采用高压工艺制备使之具备较深N阱以改善器件的灵敏度。
三孔霍尔器件垂直接触电极本实用新型载流子同一水平面轴对称结构并排设置短路效应对称结构高压工艺隔离结构结构形成失调电压旋转电路边缘处灵敏度组合体深N阱流径制备对称优化

[发明专利]一种高稳定霍尔元件及其制备方法-CN201611227844.5有效
发明人：邵鹏;丁利苹;孙立蓉;张方辉 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高稳定霍尔元件及其制备方法，该高稳定霍尔元件结构包括硬质基片、引线端、由两层或多层不同材料的薄膜堆栈组合而成的霍尔片及壳体。所述的霍尔片结构设计为对称的“十”字形结构、缺角矩形结构、四叶草结构、十字星形结构等多种不同的结构，并且半导体薄膜层由不同温度霍尔系数的材料组成。所述的引线端位于不同结构的四端，两两对称的两端分别为电流输入端和霍尔电压输出端。本发明的一种高稳定霍尔元件，由于含两层或多层不同温度霍尔系数的薄膜层，不仅具有高系数形状效应、高输出电压的特点，而且可以降低霍尔系数对温度的响应，减小温度对霍尔电压的影响，提升霍尔元件的稳定性。
一种稳定霍尔元件及其制备方法

[发明专利]一种基于双向自旋霍尔效应的磁性非易失存储单元结构-CN201710467373.3有效
发明人：李晓光;冯秀芳;刘喆颉 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双向自旋霍尔效应的磁性非易失存储单元结构，包括：双向自旋霍尔效应磁性隧道结、第一晶体管、第二晶体管、读取字线、读取位线、写入字线、写入位线以及源线；基于双向自旋霍尔效应的新型磁性隧道结包括传统的垂直磁性隧道结、重金属层与自旋霍尔效应耦合层，其中，所述垂直磁性隧道结自上而下包括参考层、隧穿绝缘层与第一磁性自由层，所述自旋霍尔效应耦合层自上而下包括第二磁性自由层与绝缘层。本发明无需辅助手段，仅通过控制流经重金属层的电流实现垂直磁性隧道结电阻在高阻态、低阻态与随机阻态之间的切换，能够有效降低磁性存储单元的写入功耗，缩短磁性存储单元的写入操作时间。
一种基于双向自旋霍尔效应磁性非易失存储单元结构

[发明专利]自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及写入方法、装置-CN201811333178.2在审
发明人：杨美音;罗军 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及写入方法、装置，在自旋轨道耦合层上设置有磁阻隧道结，当在自旋轨道耦合层中通入电流时，自旋轨道耦合层中产生自旋流，使得磁阻隧道结中的磁矩导向自旋轨道耦合层的平面内，此时，电流方向上，磁阻隧道结的一侧与另一侧存在温度差，在该温度差作用下实现磁矩的定向翻转，翻转的方向可以通过电流的方向或者温度差的方向来控制，从而，实现了SOT‑MRAM中磁矩的定向翻转。
自旋轨道耦合磁阻隧道结翻转温度差磁矩自旋磁阻式随机存储器转矩写入电流方向轨道