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[发明专利]一种基于碳化硅三维泡沫制备石墨烯阵列的方法及石墨烯阵列-CN202210810573.5有效
发明人： 丁利苹;曾佳豪;苏莹;李兰;尉国栋 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本发明提供一种基于碳化硅三维泡沫制备石墨烯阵列的方法，包括：步骤1，在碳化硅泡沫表面涂覆B2O3，然后在氧气氛围中进行热处理，得到P型碳化硅泡沫；步骤2，对P型碳化硅泡沫进行退火，得到碳化硅泡沫衬底；步骤3，对碳化硅泡沫衬底进行热解外延石墨烯，得到表面长有石墨烯薄膜的碳化硅泡沫；步骤4，将表面长有石墨烯薄膜的碳化硅泡沫进行物理气相传输处理，得到表面长有石墨烯阵列的碳化硅泡沫；步骤5，从表面长有石墨烯阵列的碳化硅泡沫表面剥离得到石墨烯阵列。本发明能够克服单晶碳化硅外延石墨烯的高成本和石墨烯团聚的缺点。
一种基于碳化硅三维泡沫制备石墨阵列方法

[发明专利]SiC-石墨烯核壳纳米线阵列、及其制备方法和在自供电光电探测器中的应用-CN202211505128.4在审
发明人： 丁利苹;郭一锦;尉国栋;苏莹;唐妍;曾佳豪 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，具体来说是SiC‑石墨烯核壳纳米线阵列、及其制备方法和在自供电光电探测器中的应用，包括以下步骤：对SiC表面进行处理，然后将其进行电化学腐蚀处理得到4H‑SiC纳米线阵列薄膜，再制备SiC‑石墨烯核壳纳米线阵列，并采用SiC‑石墨烯核壳纳米线阵列制备自供电光电探测器。本发明通过电化学腐蚀制备4H‑SiC纳米线阵列，然后在SiC纳米线阵列外层面外延制备石墨烯，最后形成SiC‑石墨烯核壳纳米线阵列；本发明提供的制备方法不仅有效克服了SiC纳米线做为光电探测敏感单元不能满足高性能的要求，还能通过调控石墨烯的层数实现宽光谱光电探测器的制备。
sic 石墨烯核壳纳米阵列及其制备方法自供电光探测器中的应用

[发明专利]Si纳米线阵列-4H-SiC纳米线阵列、及其制备方法和在紫外光电探测器中的应用-CN202211505190.3在审
发明人： 丁利苹;曾佳豪;尉国栋;苏莹;娄瑞;唐妍;郭一锦;郭紫傲 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于光电技术领域，具体来说是Si纳米线阵列‑4H‑SiC纳米线阵列、及其制备方法和在紫外光电探测器中的应用，紫外光电探测器由下至上分别为金属电极、单晶Si基底、Si纳米线阵列、4H‑SiC纳米线阵列、金属电极，紫外光电探测器的制备包括以下步骤：(1)碳化硅与硅单晶片预处理；(2)碳化硅纳米线阵列的生长与转移；(3)硅纳米线阵列的生长；(4)硅纳米线阵列与碳化硅纳米线阵列的焊接制备紫外光电探测器；本发明的紫外光电探测器制备方法简单，成本低廉，通过Si‑4H‑SiC纳米线阵列形成的pn结结构具备较高的响应度，提升了光利用率，可大幅增加紫外光电探测器的探测性能。
si 纳米阵列 sic 及其制备方法紫外光电探测器中的应用

[发明专利]基于碳三氮四纳米片的SERS生物传感器及其制备方法和应用-CN202211114907.1在审
发明人：苏莹;姜涛;丁利苹;娄瑞;尉国栋 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G01N33/574 文献下载
摘要：本发明属于纳米生物技术领域，公开基于碳三氮四纳米片的SERS生物传感器及其制备方法和应用；SERS生物传感器由免疫探针、免疫基底和糖蛋白125抗原组成；免疫探针由功能化标记的磁性纳米二硫化钼上链接糖蛋白125抗体获得；免疫基底由活化后的碳三氮四纳米片上链接糖蛋白125抗体获得；且免疫探针和免疫基底上糖蛋白125抗体与糖蛋白125抗原与之间特异性结合，形成三明治结构的SERS生物传感器。本发明制备的SERS免疫传感器具有良好的生物相容性，制备工艺简单且可实现基底和探针的双循环利用；且具有卓越的光催化性能，有利于抗原、抗体和拉曼分子的快速降解。
基于碳三氮四纳米 sers 生物传感器及其制备方法应用

[发明专利]一种图案化4H-SiC纳米阵列薄膜及其制备方法和光电探测器件-CN202210994780.0在审
发明人：尉国栋;吴显通;李兰;苏莹;丁利苹;翟配郴;袁帅;董李艳 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种图案化4H‑SiC纳米阵列薄膜及其制备方法和光电探测器件，将4H‑SiC晶片进行p型掺杂，并干法氧化，得到覆盖有氧化层的4H‑SiC晶片；将聚苯乙烯微球溶液旋涂在覆盖有氧化层的4H‑SiC晶片上，加热使聚苯乙烯微球缩小并自组装形成单层膜，蒸镀沉积金，去除聚苯乙烯微球，得到具有金纳米图案的4H‑SiC晶片；将其与铜板接触作为阳极，在三电极系统中外加脉冲电流对具有金纳米图案的4H‑SiC晶片进行刻蚀处理，在晶片上形成图案化4H‑SiC纳米线阵列薄膜，剥离图案化4H‑SiC纳米线阵列薄膜。本发明制备出有序的、图案化的纳米线阵列薄膜，缺陷少，经图案化后具有较高的分辨率。
一种图案 sic 纳米阵列薄膜及其制备方法光电探测器件

[发明专利]一种基于碳化硅纳米线的忆阻器及其制备方法-CN202211174559.7在审
发明人：尉国栋;袁帅;李兰;翟配郴;苏莹;丁利苹 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基于碳化硅纳米线的忆阻器及其制备方法，其自下至上依次包括底电极、碳化硅纳米线薄膜、PMMA薄膜和顶电极。制备方法包括：步骤1，在底电极的导电面上覆盖碳化硅纳米线薄膜；步骤2：在步骤1的碳化硅纳米线薄膜上涂覆PMMA溶液，将顶电极以导电面朝下压到PMMA溶液上，热压使PMMA凝固，获得忆阻器。通过简单快速的方法制备了两端结构的碳化硅纳米线忆阻器，可以很好的模拟大脑突触的基本功能，并且可以模拟更为复杂的树突神经的功能。
一种基于碳化硅纳米忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种基于铜/氧化铜纳米线的视觉神经突触及其制备方法-CN202211174558.2在审
发明人：尉国栋;袁帅;申伟康;苏莹;丁利苹 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基于铜/氧化铜纳米线的视觉神经突触及其制备方法，包括：(1)对铜箔进行处理以去除铜箔表面的氧化层：(2)将步骤(1)得到的铜箔在空气条件下烧制，烧制温度为400～450℃，获得铜/氧化铜纳米线薄膜；(3)在铜/氧化铜纳米线薄膜中的氧化铜纳米线薄膜表面蒸镀制备银电极，蒸镀完成后获得铜/氧化铜纳米线/银视觉神经突触。基于铜/氧化铜纳米线的视觉神经突触在光刺激和电刺激下都可以很好的模拟视觉神经突触的基本行为。
一种基于氧化铜纳米视觉神经突触及其制备方法

[发明专利]一种磁场诱导法制备SiC纳米线阵列的方法-CN202211213696.7在审
发明人： 丁利苹;郭一锦;尉国栋;苏莹;唐妍;曾佳豪 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明一种磁场诱导法制备SiC纳米线阵列的方法，包括：(1)在衬底上制备一层锡金属催化剂；在SiC纳米线表面镀一层金属Ni，得到Ni‑SiC核壳结构；(2)将Ni‑SiC核壳结构的乙醇溶液匀胶到具有锡金属催化剂的衬底上：(3)将衬底放入均匀磁场中，对衬底加热，当衬底上的锡开始融化时，增加磁场大小，当SiC纳米线竖直站立在熔化的锡金属液滴中时，停止加热；(4)降温至常温后，将衬底倒置放入盐酸溶液中，将锡金属和Ni壳层经酸洗去除，得到SiC纳米线阵列。本发明SiC纳米线阵列薄膜制备方法具有取向方向可控、直径和周期可控的特点，通过磁场诱导无损制备纳米线阵列还具有对衬底友好、清洁环保、可控性强的特点。
一种磁场诱导法制备 sic 纳米阵列方法

[发明专利]一种高稳定黑磷单晶的制备方法-CN202211348617.3在审
发明人： 丁利苹;郭紫傲;尉国栋;苏莹;娄瑞;唐妍;郭一锦;曾佳豪 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明属于黑磷制备方法技术领域，具体涉及一种高稳定黑磷单晶的制备方法，包括以下步骤：对清洗好的石英管进行涂碳处理，称取红磷、锡、碘、固态碳源一起密封于涂碳的石英管中，将石英管放置于马弗炉中进行热处理，之后冷却至室温，制得黑磷晶体。本发明在石英管涂碳可以防止杂质影响制备黑磷的纯度，同时高质量的碳层可以帮助黑磷形核；在黑磷生长过程中加入了固态碳源，可以实现对黑磷进行碳掺杂，同时过量的碳可以包覆黑磷表面，显著提升黑磷的稳定性。
一种稳定黑磷制备方法

[发明专利]一种模拟化学气相沉积生长单层过渡金属硫化物的方法-CN202011119208.7有效
发明人：邵鹏;赵梓利;丁利苹;张辉;张方辉;雷涛;田董昀昊 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种模拟化学气相沉积生长单层过渡金属硫化物的方法，属于二维材料制备技术领域。包括以下步骤：S1、构建单层过渡金属硫化物生长所需基底；S2、将过渡金属氧化物和硫置于S1提供的基底上，并采用分子动力学模拟化学气相沉积法，对置于基底上的过渡金属氧化物和硫在一定温度下进行成核生成单层过渡金属硫化物，即得单层过渡金属硫化物。本发明基于第一性原理及分子动力学方法，系统探究过渡金属氧化物(如MoO3)和S在基底上的沉积及MoS2的完整成核过程，为单层过渡金属硫化物(如MoS2)的可控生长提供理论依据。
一种模拟化学沉积生长单层过渡金属硫化物方法

[发明专利]一种基于黑磷纳米片的SERS生物传感器及其制备方法和应用-CN202211114922.6在审
发明人：苏莹;姜涛;丁利苹;娄瑞;尉国栋 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G01N33/574 文献下载
摘要：本发明属于纳米生物技术领域，公开一种基于黑磷纳米片的SERS生物传感器及其制备方法和应用；所述SERS生物传感器由免疫探针、免疫基底和待测抗原组成；所述免疫探针由磁性二硫化钼纳米花上链接所述待测抗原对应的抗体获得；所述免疫基底由黑磷纳米片上链接所述待测抗原对应的抗体获得；且所述待测抗原与所述免疫探针和所述免疫基底之间特异性结合，形成三明治结构。本发明制备的SERS生物传感器具有卓越的光催化性能，有利于抗原、抗体和拉曼分子的快速降解；且能在二硫化钼上的磁性物质辅助下，采用外部磁铁可以实现免疫探针和免疫基底有效分离和双循环使用。
一种基于黑磷纳米 sers 生物传感器及其制备方法应用

[发明专利]一种SiC纳米线网络功能薄膜及其制备方法和应用-CN202211003500.1在审
发明人：苏莹;丁利苹;娄瑞;刘雪冰;翟配郴;尉国栋 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于半导体纳米线材料制备技术领域，公开了一种SiC纳米线网络功能薄膜及其制备方法和应用，所述制备方法为：将碳化硅纳米线在分散剂和导电溶质的作用下与溶剂A形成碳化硅纳米线的悬浮液；以碳化硅纳米线的悬浮液作为电泳沉积液，以衬底为阴极，经电泳沉积处理在衬底上沉积一层碳化硅纳米线薄膜A；采用等离子体射流对碳化硅纳米线薄膜A进行焊接处理，获得碳化硅纳米线薄膜B。本发明方法简单、成本低、效率高且安全易操作，对低维纳米结构具有一定的普适性，可在室温条件下，在不同衬底上制备薄膜，且制备的碳化硅纳米线薄膜均匀致密，能够用于制备SiC纳米光电器件。
一种 sic 纳米网络功能薄膜及其制备方法应用

[发明专利]单晶硅上3C-SiC纳米线功能复合网络薄膜及其制备方法和应用-CN202210998116.3在审
发明人：苏莹;翟配郴;丁利苹;娄瑞;尉国栋 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于半导体纳米线材料制备技术领域，公开了单晶硅上3C‑SiC纳米线功能复合网络薄膜及其制备方法和应用，所述制备方法为：以单晶硅片为阴极，以碳化硅纳米线悬浮液作为电泳沉积液，将单晶硅片浸于碳化硅纳米线悬浮液中，于50～100V的电压下，采用直流电进行电泳沉积处理，以在单晶硅片上形成具有均匀且致密的异质结结构的碳化硅纳米线层；采用等离子体对碳化硅纳米线层进行焊接处理，即获得所述3C‑SiC纳米线功能复合网络薄膜。本发明采用“自下而上”的方式制备的薄膜面积大，制备方法简单、成本低、效率高且安全易操作，并对低维纳米结构具有一定的普适性，可以借鉴到其他半导体纳米薄膜的制备。
单晶硅 sic 纳米功能复合网络薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种SiC纳米线核壳异质结材料及其制备方法和应用-CN202210999498.1在审
发明人：苏莹;翟配郴;丁利苹;娄瑞;尉国栋 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明属于半导体纳米线材料制备技术领域，公开了一种SiC纳米线核壳异质结材料及其制备方法和应用，所述SiC纳米线核壳异质结材料包括核体和壳层，所述壳层均匀包覆于所述核体上；所述核体为碳化硅纳米线；所述壳层为石墨烯、碳、硅、银、硫和氮化硼中的任意一种；其制备方法为：将碳化硅纳米线与壳层原料混合后，在真空条件下，于500～1550℃下进行保温处理A，冷却后，获得碳化硅纳米线核壳异质结材料；所述壳层材料为聚苯乙烯、四氯化铵、氯化镍、硝酸银、碳酸银、硼烷铵和升华硫粉中的一种或多种。本发明方法无需制备前驱体，可一步烧制而成纳米线核壳异质结构，工艺简单便捷，有效降低工艺成本，有利于实现工业化大规模生产。
一种 sic 纳米线核壳异质结材料及其制备方法应用

[发明专利]一种自支撑镍基磷化物电极及其制备方法和应用-CN202210825965.9在审
发明人：苏莹;魏庆斌;尉国栋;丁利苹;王胤翔 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C25B11/075 文献下载
摘要：本发明提供一种自支撑镍基磷化物电极及其制备方法和应用，包括：将泡沫镍、红磷和I2置于反应容器内，抽真空，然后在5555555℃下煅烧，煅烧完成后，将所得产物洗涤、干燥，得到自支撑镍基磷化物电极。所得电极是由两种或两种以上磷化镍物相组成的独特异相结结构，并在高温、高压条件下产生了大量表面缺陷，可优化表面电子结构，加速电荷转移，增强了电催化活性和结构稳定性。本发明直接在泡沫镍上原位生长磷化镍异相结纳米颗粒，催化剂与导电基底的接触更紧密，可直接用作电解水电极，适用于电解水制氢领域，有利于工业大规模应用。
一种支撑磷化电极及其制备方法应用

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