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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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C 化学；冶金

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有石墨烯探测层的霍尔效应传感器-CN201410547327.0在审
发明人： M·艾克金格;S·科尔布;A·德厄;G·鲁尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有石墨烯探测层的霍尔效应传感器和用于制造所述霍尔效应传感器的方法，在选择用于在BiCMOS工艺中集成的情况下，该传感器实现为各种几何结构，包括所谓的“全3-d”霍尔传感器的可能性。
具有石墨探测霍尔效应传感器

[实用新型]霍尔条微器件-CN201420708532.6有效
发明人：李康;欧云波;何珂;马旭村 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种霍尔条微器件。该霍尔条微器件包括：衬底；凸台，位于衬底上并具有预定的霍尔条形状，并具有平整的上表面；以及薄膜层，由拓扑绝缘体材料在凸台的表面上外延生长而成，且具有与凸台相对应的形状。本实用新型在制备三维拓扑绝缘体薄膜器件时，掺杂磁性元素Cr后，(Bi_xSb_1-x)₂Te₃材料变成了铁磁性的绝缘体。采用掺Cr的(Bi_xSb_1-x)₂Te₃材料作为薄膜层制备来三维拓扑绝缘体薄膜器件，拓扑绝缘体具有边态，在极低的温度条件下就可以测量量子反常霍尔效应，即在不加外加磁场的情况下观察到量子霍尔效应，这一效应在计量学，未来的电子器件应用中将会有巨大的应用前景。
霍尔器件

[发明专利]霍尔条微器件-CN201410677663.7在审
发明人：李康;欧云波;何珂;马旭村 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种霍尔条微器件。该霍尔条微器件包括：衬底；凸台，位于衬底上并具有预定的霍尔条形状，并具有平整的上表面；以及薄膜层，由拓扑绝缘体材料在凸台的表面上外延生长而成，且具有与凸台相对应的形状。本发明在制备三维拓扑绝缘体薄膜器件时，惊奇地发现，掺杂磁性元素Cr后，(Bi_xSb_1-x)₂Te₃材料变成了铁磁性的绝缘体。采用掺Cr的(Bi_xSb_1-x)₂Te₃材料作为薄膜层制备来三维拓扑绝缘体薄膜器件，拓扑绝缘体具有边态，在极低的温度条件下就可以测量量子反常霍尔效应，即在不加外加磁场的情况下观察到量子霍尔效应，这一效应在计量学，未来的电子器件应用中将会有巨大的应用前景。
霍尔器件

[发明专利]一种霍尔元件及其制备方法-CN201410683554.6在审
发明人：胡双元;朱忻 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维电子气(2-DEG)的霍尔元件及其制备方法，所述霍尔元件结构包括以外延方式倒装生长的铟镓砷（In_xGa_1-xAs）沟道层，铝镓砷（Al_xGa_1-xAs）空间隔离层以及铝镓砷（Al_xGa_1-xAs）势垒层。所述制备方法包括步骤：在一砷化镓(GaAs)衬底上生长牺牲层；在牺牲层上通过倒装方式依次生长的平面型掺杂（δ-掺杂）铝镓砷势垒层、本征铝镓砷空间隔离层以及本征铟镓砷沟道层；通过衬底剥离技术，将外延功能层与衬底分离，并粘附于一支撑衬底上；在铝镓砷势垒层上制备金属电极、进行台面刻蚀、钝化工艺，划片封装获得目标霍尔元件。
一种霍尔元件及其制备方法

[发明专利]一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体霍尔元件及其制备方法-CN201410676818.5在审
发明人：朱忻;胡双元 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于衬底剥离的霍尔元件及其制备方法。该方法制备的霍尔元件，将用于外延生长的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶衬底与霍尔元件功能层实现剥离，霍尔元件组装在刚性支撑衬底上或者绝缘散热底座上。组装在绝缘散热底座的霍尔元件，能大大提升其散热能力，同时，采用倒焊工艺，可以有效减少单个霍尔元件的芯片面积，节约成本。单晶衬底经过简单处理后，可以重复用于外延生长，重复次数在20次以上。同时，可以采用价格更加便宜的掺杂Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶衬底，而不是传统工艺所用的昂贵的半绝缘单晶衬底，因此，能大大降低霍尔元件的生产成本。
一种化合物半导体霍尔元件及其制备方法

[发明专利]一种半导体霍尔元件-CN201410521109.X在审
发明人：聂成 -专利权人：聂成
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体霍尔元件，包括半导体衬底，所述半导体衬底上设置有十字形霍尔元件，所述十字形霍尔元件一侧设置有第一输入端、第一输出端，另一侧设置有第二输入端、第二输出端，所述半导体衬底与磁性体顶端形成封闭结构。本发明结构简单、体积小、重量轻、寿命长、响应速度快、灵敏度高。
一种半导体霍尔元件

[发明专利]用于感测电磁感应的半导体结构及其制造方法-CN201310277437.5无效
发明人：林登财;苏文荣;陈炫全 -专利权人：远翔科技股份有限公司
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供一种用于感测电磁感应的半导体结构及其制造方法，在一晶片的制备阶段中，利用一第一半导体制造工程形成霍尔感测元件；接着于霍尔感测元件之上，利用第一半导体制造工程形成保护层；最后于保护层之上，利用一第二半导体制造工程形成电流路径层，据以形成用于感测电磁感应的半导体结构。其中，电流路径层用以供待测电流流通，所产生的磁场能够被霍尔感测元件感测而产生一电压或电流信号，电压或电流信号正比于待测电流的强度。
用于电磁感应半导体结构及其制造方法

[实用新型]磁传感器以及磁传感器装置-CN201320665569.0有效
发明人：福中敏昭;长谷川秀则 -专利权人：旭化成微电子株式会社
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：提供一种磁传感器以及磁传感器装置，在薄型化的小片中电流反向流过的情况下也能够防止漏电流的增大、即使反向安装也能够抑制漏电流的增大。具备：引线框(10)，其具有岛(11)以及配置在该岛(11)的周围的多个引线端子(12～15)；小片(20)，其经由粘接层安装在岛(11)上；以及多个金属细线(41～44)，其将小片(20)所具有的多个电极部(23a～23d)与多个引线端子(12～15)分别电连接。引线端子(12)是与岛(11)电连接的岛端子。另外，粘接层是使岛(11)与小片(20)之间绝缘的绝缘膏(30)、或者模片接触薄膜(150)的粘接层(130)。
传感器以及装置

[实用新型]包括带有三个接触部的霍尔效应区的电子器件-CN201220611590.8有效
发明人： U.奥瑟莱希纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及包括带有三个接触部的霍尔效应区的电子器件。公开了作为磁场传感器或机械应力传感器的部分的一种电子器件。该电子器件包括霍尔效应区、第一接触部（暂时地起第一供给接触部的作用）、第二接触部（第二供给接触部）和第三接触部（暂时地起第一感测接触部的作用），这些接触部被布置在霍尔效应区的表面中或在霍尔效应区的表面上。第一接触部和第三接触部相对于第二接触部彼此以基本上对称的方式被布置。霍尔效应区内的电流分布受要被测量的物理量（例如磁场强度或机械应力）影响。在第三接触部处被分接的感测信号是电流分布的函数，其中所述感测信号因此表示物理量。
包括带有三个接触霍尔效应电子器件

[发明专利]包括带有三个接触部的霍尔效应区的电子器件-CN201210467043.1有效
发明人： U.奥瑟莱希纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明涉及包括带有三个接触部的霍尔效应区的电子器件。公开了作为磁场传感器或机械应力传感器的部分的一种电子器件。该电子器件包括霍尔效应区、第一接触部（暂时地起第一供给接触部的作用）、第二接触部（第二供给接触部）和第三接触部（暂时地起第一感测接触部的作用），这些接触部被布置在霍尔效应区的表面中或在霍尔效应区的表面上。第一接触部和第三接触部相对于第二接触部彼此以基本上对称的方式被布置。霍尔效应区内的电流分布受要被测量的物理量（例如磁场强度或机械应力）影响。在第三接触部处被分接的感测信号是电流分布的函数，其中所述感测信号因此表示物理量。也公开了一种使用该电子器件的相对应的感测方法。
包括带有三个接触霍尔效应电子器件

[发明专利]拓扑绝缘体结构-CN201210559564.X有效
发明人：薛其坤;何珂;马旭村;陈曦;王立莉;常翠祖;冯硝;李耀义;贾金锋 -专利权人：清华大学;中国科学院物理研究所
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种拓扑绝缘体结构，包括绝缘基底及生长在绝缘基底表面的磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cr_y(Bi_xSb_1-x)_2-yTe₃表示，其中0<x<1，0<y<2，且x与y的值选择为使铬（Cr）在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的空穴型载流子与铋（Bi）在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的电子型载流子基本相互抵消，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的厚度为3QL至5QL（约为3nm~5nm）。
拓扑绝缘体结构

[发明专利]电学器件-CN201210559480.6有效
发明人：薛其坤;何珂;马旭村;陈曦;王立莉;王亚愚;吕力;常翠祖;冯硝 -专利权人：清华大学;中国科学院物理研究所
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种电学器件，包括绝缘基底及磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜，该绝缘基底具有相对的第一表面及第二表面，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜生长在该第一表面，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cr_y(Bi_xSb_1-x)_2-yTe₃表示，其中0<x<1，0<y<2，且x与y的值选择为使铬在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的空穴型载流子与铋在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的电子型载流子基本相互抵消，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的厚度为3QL至5QL。
电学器件

[发明专利]霍尔传感器-CN201210243984.7有效
发明人： R·拉茨;T·考夫曼;P·吕特尔;O·保罗 -专利权人：迈克纳斯公司;阿尔布莱希特-路德维希-弗莱堡大学
申请日： 2012-07-13 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：霍尔传感器，具有：一个具有第一连接端子、具有第二连接端子及具有第三连接端子的第一霍尔元件，一个具有第四连接端子、具有第五连接端子及具有第六连接端子的第二霍尔元件，一个具有第七连接端子、具有第八连接端子及具有第九连接端子的第三霍尔元件，一个具有第十连接端子、具有第十一连接端子及具有第十二连接端子的第四霍尔元件，其中，这四个霍尔元件中的每一个具有至少两个围绕一中间连接端子布置的连接端子，所述围绕中间连接端子布置的连接端子与后面的霍尔元件的围绕中间连接端子布置的连接端子相连接，使得第一霍尔元件和第二霍尔元件和第三霍尔元件和第四霍尔元件串联连接。
霍尔传感器

[发明专利]磁场传感器和用于确定和校正磁场传感器的偏置电压的方法-CN201210241622.4有效
发明人： T·考夫曼;R·拉茨;P·吕特尔;O·保罗 -专利权人：迈克纳斯公司;阿尔布莱希特-路德维希-弗莱堡大学
申请日： 2012-07-12 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：磁场传感器具有霍尔传感器，所述霍尔传感器具有第一连接接触部并且具有第二连接接触部并且具有第三连接接触部并且具有第四连接接触部并且具有第五连接接触部，其中，在第一连接接触部与第五连接接触部之间设有具有控制输入端的第一开关并且所述第一开关将第一连接接触部与第五连接接触部连接或者彼此断开，并且设有控制单元并且所述控制单元与第一开关的控制输入端连接。
磁场传感器用于确定校正偏置电压方法

[发明专利]一种正八边形霍尔盘结构的CMOS传感器及其制作方法-CN201110344479.7无效
发明人：郭晓雷;金湘亮;夏宇 -专利权人：湖南追日光电科技有限公司
申请日： 2011-11-04 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种正八边形霍尔盘结构的CMOS传感器及其制作方法，包括p型衬底、正八边形n阱、p+掺杂区、n+掺杂区、耗尽层、浅掺杂p+掺杂区、氧化层和铝层，所述的正八边形n阱位于p型衬底上，p+掺杂区位于正八边形n阱边缘外侧，n+掺杂区位于正八边形n阱边缘内侧，所述的耗尽层位于正八边形n阱与p型衬底的交界处，所述的浅掺杂p+掺杂区位于正八边形n阱上方，所述的氧化层位于正八边形n阱表面，铝层位于n+掺杂区上方。本发明的正八边形霍尔盘提供了八个端子，从而可以产生八个电流方向，使得失调得以大大减少。
一种八边形霍尔盘结 cmos 传感器及其制作方法

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