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[发明专利]磁隧道结、存储单元以及磁随机存储器-CN202010122680.X有效
发明人：林晓阳;李燊;尉国栋;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供一种磁隧道结、存储单元以及磁随机存储器，在原先基于自旋转移矩电流的磁隧道结基础上外加一层自由层相变的调节层(相变层)。在具体器件中，通过外加光照，驱动相变层的相变，进而调控自由层的各向异性场，最终实现自旋电子器件性能的调控。当外加光照时，相变材料(如二氧化钒VO2)会发生相变，产生电阻的变化。可以通过光源控制，调控调节层受到的光照强度，进而保证该层电阻在所需范围之内，改善器件的性能。
隧道存储单元以及随机存储器

[发明专利]一种具有低功耗和高存储密度的磁性隧道结-CN202111319734.2在审
发明人：孟皓;迟克群 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低功耗和高存储密度的磁性隧道结，包括自由层和势垒层，自由层和势垒层之间生成界面，并通过刻蚀处理界面的边缘形成环状缺陷结构。该结构在自由层和势垒层界面处具有环状缺陷结构，环状缺陷结构的界面诱导垂直各向异性较低，从而使自由层整体垂直各向异性能下降，同时在磁性隧道结边缘处形成面内磁化方向，有利于降低临界翻转电流，并且提高磁翻转速度、存储密度和运行速度，同时降低功耗。
一种具有功耗存储密度磁性隧道

[发明专利]具有灯丝导电路径的垂直磁性存储器-CN201580080347.4有效
发明人： B.S.多伊勒;K.奥古茨;K.P.奥布里恩;D.L.肯克;E.V.卡尔波夫;C.C.郭;M.L.多茨;S.苏里;R.S.周;N.穆克尔杰;P.马吉 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：实施例包括一种装置，其包括：衬底上的第一和第二电极；第一和第二电极之间的垂直磁性隧道结（pMTJ），其包括固定层和自由层之间的电介质层；以及直接接触第一金属层和第二金属层的附加电介质层；其中（a）第一金属层包括活性金属，并且第二金属包括惰性金属，并且（b）第二金属层直接接触自由层。本文中描述了其他实施例。
具有灯丝导电路径垂直磁性存储器

[发明专利]面内不对称的磁存储单元和制备方法-CN201910971140.6有效
发明人：王开友;曹易 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种面内不对称的磁存储单元和制备方法；其中，所述面内不对称的磁存储单元包括：衬底；垂直磁化层，位于所述衬底之上，通过加热使所述垂直磁化层内产生膜面方向的不对称性，从而发生定向磁化翻转。本发明在没有重金属层或其它强自旋轨道耦合层与垂直磁化层接触的多层膜堆叠中，实现面内电流对垂直磁化层的SOT式定向磁化翻转操作，减少了成本和工艺难度。
不对称存储单元制备方法

[发明专利]一种磁存储器及其写入方法-CN202111319465.X在审
发明人：卓昱东;蔡文龙;张洪超;曹凯华;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁存储器及其写入方法，涉及磁存储领域，该磁存储器包括：基底和设置于所述基底之上的自旋耦合层，以及设置在所述自旋耦合层之上类场矩调控层和磁隧道结，所述类场矩调控层用于调控所述磁隧道结中产生的自旋轨道矩，实现对磁隧道结结构中自由层翻转所用的类场矩进行调控，进而实现对阻态翻转的调控。并且根据存储器在数据写入过程中实际的应用场景，通过改变对类场矩调控层退火条件，材料选取以及尺寸设计，实现对其类场矩大小和方向的量化固定，并在使用过程中结合对STT电信号方向的调控，进而对自由层反转起到促进或抑制的作用，以此实现对数据写入准确的控制。
一种磁存储器及其写入方法

[发明专利]巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结-CN202010108087.X有效
发明人：韩秀峰;唐萍;郭晨阳;万蔡华 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明涉及巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结。一种巨磁致电阻器件可包括：第一铁磁绝缘层；设置在所述第一铁磁绝缘层上的非磁导电层；以及设置在所述非磁导电层上的第二铁磁绝缘层。一种磁子场效应晶体管可包括：第一铁磁区域、第二铁磁区域和第三铁磁区域，其每个由铁磁材料形成，其中所述第二铁磁区域由铁磁绝缘材料形成；第一反铁磁区域，位于所述第一铁磁区域和所述第二铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；第二反铁磁区域，位于所述第二铁磁区域和所述第三铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；以及栅极，覆盖所述第二铁磁区域。铁磁和反铁磁材料都可以由金属、合金、半导体和绝缘体构成。
致电器件场效应晶体管隧道

[发明专利]一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器及其制备方法-CN202010328165.7有效
发明人：刘明;周子尧;张晓慧;胡忠强;李春雷;查茜 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种生物亲和型各向异性磁电阻传感器及其制备方法，包括基底、铁磁层和电极，铁磁层设置在基底上表面，铁磁层上表面设置有电极；基底为丝素蛋白纤维基底。本发明将生物亲和材料丝素蛋白纤维与各向异性磁阻传感器相结合的方法，克服了丝素蛋白的缺点，没有使用传统的光刻工艺，而是借助专门设计的掩模版，仅通过真空磁控溅射的方法，制作了具有生物亲和性的各向异性磁阻传感器。本发明使磁传感器具有了生物亲和性，可以拓宽其在生物医学领域的应用，且具有低成本、工艺简单的优点。
一种生物亲和各向异性磁电传感器及其制备方法

[发明专利]光刻胶辅助局域加热的磁存储单元、制备方法和逻辑器件-CN201910971536.0有效
发明人：王开友;曹易 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶辅助局域加热的磁存储单元、制备方法和逻辑器件；其中，光刻胶辅助局域加热的磁存储单元包括：衬底；自旋轨道耦合层，位于衬底上，通过在自旋轨道耦合层施加电流产生垂直于自旋轨道耦合层表面方向的自旋流；磁性自由层，位于自旋轨道耦合层上，磁性自由层包括遮挡区域和加热区域，遮挡区域上覆盖有光刻胶，通过对磁性自由层的加热区域进行加热产生磁性自由层成分、结构或磁性的梯度变化，并联合自旋流使磁性自由层的磁矩发生定向翻转。本发明可以仅使需要局域加热的位置暴露，而其它位置被光刻胶覆盖，利用光刻工艺(包括浸入式光刻工艺和极紫外光刻工艺等)，其图形可以做到纳米级别，可以实现器件的小型化、提高器件的集成度。
光刻辅助局域加热存储单元制备方法逻辑器件

[发明专利]一种二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置-CN202111088146.2在审
发明人：彭彦莉 -专利权人：彭彦莉
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明涉及磁场探测领域，具体提供了一种二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置，二维过渡金属硫属化合物层置于基底层上，导热绝缘弹性材料部设置在二维过渡金属硫属化合物层上的中部，四氧化三铁颗粒设置在导热绝缘弹性材料部上，第一电极和第二电极分别置于二维过渡金属硫属化合物层上导热绝缘弹性材料部的两侧。应用时，将本发明置于待测空间的交变磁场内，通过测量第一电极和第二电极间电流的变化，实现磁场探测。本发明具有交变磁场探测灵敏度高的优点。
一种二维过渡金属化合物磁场探测装置

[发明专利]在同一芯片上组合NVM类别和SRAM类别MRAM元件的方法-CN201880081072.X有效
发明人： M·皮纳巴斯;B·A·卡戴茨;T·D·布恩 -专利权人：芯成半导体(开曼)有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种用于制造磁性随机存取存储器芯片的方法，该芯片具有形成在同一芯片上的具有不同性能特性的磁性存储器元件。磁性存储器元件可以是磁性随机存取存储器元件。存储器芯片可以具有在传感器的第一区域中形成的具有第一组物理和性能特性的第一组磁性随机存取芯片，以及在芯片的第二区域中形成的具有第二组性能特性的第二组磁性随机存取芯片。例如，第一组磁性随机存取存储器元件的性能特性可以匹配或者超过非易失性存储器的性能特性，而第二组磁性随机存取存储器元件的性能特性可以匹配或者超过静态随机存取存储器元件的性能特性。
同一芯片组合 nvm 类别 sram mram 元件方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202010717276.7在审
发明人：陈禹钧;刘彦群;冯雅圣;邱久容;曾奕铭;施易安;李怡慧;朱中良;胡修豪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件主要包含磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)区以及逻辑区定义于基底上，第一金属内连线设于MRAM区，第二金属内连线设于逻辑区，停止层由第一金属内连线延伸至第二金属内连线且第一金属内连线上的停止层以及第二金属内连线上的停止层包含不同厚度以及一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)设于第一金属内连线上。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]STT-RAM结构的离子束蚀刻-CN201680063999.1有效
发明人：阿吉特·帕兰杰佩;鲍里斯·德鲁兹;卡特里娜·罗克;纳拉辛汗·斯里尼瓦山 -专利权人：威科仪器股份有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本公开提供了用于改善自旋转移矩随机存取存储器(STT‑RAM)结构的蚀刻的各种方法。在一个示例中，该方法包括(1)以接近法向入射正好通过MTJ的堆叠的离子束蚀刻，(2)在窗口化模式中以较大角度的短清理蚀刻以去除沿着从MTJ的正好下方延伸到MTJ的正好上方的侧壁的任何再沉积的材料，(3)沉积具有受控台阶覆盖的密封剂，以从由蚀刻步骤产生的锥形轮廓恢复到垂直或稍微凹入的轮廓，(4)在保持沿MTJ的侧壁的封装的同时，以接近法向入射对堆叠的其余部分进行离子束蚀刻，(5)以更大的角度和窗口模式进行清理蚀刻以从侧壁去除再沉积的材料，以及(6)对经蚀刻的堆叠的封装。
stt ram 结构离子束蚀刻

[发明专利]磁性斯格明子写入装置及其形成方法-CN202010630619.6在审
发明人：侯志鹏;卫智健;徐姣;王亚栋;张溪超;周艳 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁性斯格明子写入装置及其形成方法，包括：磁性薄膜；写入单元，用于向所述磁性薄膜写入磁性斯格明子；应力提供装置，用于为所述磁性薄膜提供压应力或张应力。根据磁性薄膜的磁致伸缩系数的正或者负，会在薄膜中的产生沿张力方向或垂直张力方向的磁化易轴，进而降低薄膜中磁性斯格明子的成核的能量阈值。
磁性明子写入装置及其形成方法

[发明专利]存储器装置、存储器装置结构及其形成方法-CN202110655689.1在审
发明人：王兴翔;尹煜峰;林建宏;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本公开实施例是有关于一种存储器装置、一种存储器装置结构及其形成方法。一种磁性隧道结(MTJ)存储器单元，包括连接通孔结构、设置在连接通孔结构上的底部电极、设置在底部电极上的存储器材料堆叠以及设置在存储器材料堆叠上的导电接触结构，其中导电接触结构的底表面与存储器材料堆叠的存储器材料层直接接触。
存储器装置结构及其形成方法

[发明专利]自旋力矩振荡器三维串并联同步阵列、振荡器及制备方法-CN202111044419.3在审
发明人：陈浩轩;李景明;王佑;王子岳;王子西;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院）
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明的一种自旋力矩振荡器三维串并联同步阵列、振荡器及制备方法，包括打造多个PERP‑STNO振荡器形成的二维并联矩形阵列作为一个基本单元，本发明的先并联数个PERP‑STNO形成的矩形阵列基本单元再将这些基本单元进行桥接式串联或者沿垂直方向堆栈等组合，可实现增大同步的PERP‑STNO数量致使振荡器输出功率有效提高至实用程度；可解决垂直阵列所需的最邻近PERP‑STNO的垂直距离过小不能容纳其他磁层的问题；并且串并联混合电路连接的PERP‑STNO可和输出阻抗相匹配使功率能有效放大；可有效解决水平串联阵列只能沿一维方向延伸并因此被制约了放大信号的能力；能有效解决水平串并联阵列中PERP‑STNO过小间距(小于10纳米)诱导的自由层内部非均匀振荡带来的频率下降的问题。
自旋力矩振荡器三维串并联同步阵列制备方法