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[发明专利]一种磁性模数转换器-CN201910603455.5有效
发明人：李宇轩;王昭昊;吴比;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开一种磁性模数转换器，在同一强自旋轨道耦合材料层上按一定间隔排列多个磁隧道结，所述强自旋轨道耦合材料层的横截面积沿着磁隧道结排列的方向递增或递减。一种磁性模数转换器的模数转换方法：1、沿强自旋轨道耦合材料层通入足够强的电流，将所有磁隧道结统一置为高阻态或低阻态，撤去电流；2、在强自旋轨道耦合材料层通入稳恒电流，电流方向与第一步所施加的电流方向相反；改变通入的稳恒电流大小，发生阻态翻转的磁隧道结的数量被改变；3、磁性模数转换器的量化信号输出，通过读取各个磁隧道结的阻值实现。本发明利用自旋轨道矩磁隧道结量化输入电流信号，具有静态功耗低，占用面积小，可靠性高，控制复杂度低等优点。
一种磁性转换器

[发明专利]存储器器件-CN202010098010.9在审
发明人：张智胜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种器件包含：包含第一导电材料的底部电极；底部电极上方的介电层；介电层上方的内部金属层；内部金属层上方的铁电层；以及铁电层上方的顶部电极，顶部电极包含第二导电材料，顶部电极的面积小于内部金属层的面积。
存储器器件

[发明专利]电极组件制备方法-CN201910830009.8在审
发明人：孙一慧;孟凡涛 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供一种电极组件制备方法，包括：提供一具有通孔的衬底，所述通孔的侧壁上具有扩散阻挡层；在所述通孔内填充导电材料，控制所述导电材料上表面低于所述衬底的上表面；在所述衬底和所述导电材料上沉积底电极材料，以形成底电极。本发明的电极组件制备方法能够使扩散阻挡层和底电极形成一个封闭的空间，并将导电材料封闭在内，避免导电材料向衬底扩散。
电极组件制备方法

[发明专利]包括阻挡层的半导体器件-CN202010391931.4在审
发明人：洪京一;金英铉;朴正桓;吴世忠;李正敏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括阻挡层的半导体器件，该半导体器件包括在衬底上的层间绝缘层中的多个磁隧道结(MTJ)结构。阻挡层在层间绝缘层和所述多个MTJ结构上。上绝缘层在阻挡层上。上互连在上绝缘层上。上插塞连接到所述多个MTJ结构中的相应一个以及上互连并且延伸到上绝缘层和阻挡层中。阻挡层包括具有比上绝缘层高的吸收常数的材料。
包括阻挡半导体器件

[发明专利]用于校准的传感器芯片及其所属的引线框-CN202010705740.0在审
发明人： M·加林格;W·格拉尼格 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：在此描述用于校准的传感器芯片及其所属的引线框。本公开涉及一种封装的传感器芯片(100)，具有：引线框(20)，其上安装有传感器元件(10)，其设计为产生传感器信号，该信号取决于传感器元件所经受的磁场；和为此的壳体(30)，引线框具有功能端子(40)具有至少两个布置在壳体的相对的两侧上的校准端子(T1，T2，COM)，引线框具有连接至少两个校准端子的导电结构(60)，导电结构构造为当电流流过传感器元件时为其产生校准磁场，导电结构是连接结构(50，60)的一部分，在多个引线框沿第一方向(另外两个相对侧沿第一方向相对置)彼此分离前，连接结构连接多个引线框。
用于校准传感器芯片及其所属引线

[发明专利]包括第一顶部电极和其上的第二顶部电极的数据存储器件-CN202010392306.1在审
发明人：朴正桓;金英铉;吴世忠;李正敏;洪京一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：提供了一种包括第一顶部电极和在其上的第二顶部电极的数据存储器件。数据存储器件包括在衬底的上表面处的存储晶体管以及电连接到存储晶体管的数据存储结构。数据存储结构包括磁隧道结图案和在磁隧道结图案上的顶部电极。顶部电极包括第一顶部电极和在第一顶部电极上的第二顶部电极，并且第一顶部电极和第二顶部电极包括相同的金属氮化物。第一顶部电极包括金属氮化物的第一晶粒，第二顶部电极包括金属氮化物的第二晶粒。在顶部电极的沿与衬底的上表面平行的第一方向截取的一截面中，沿第一方向的每单位长度的第一晶粒的数量大于沿第一方向的每单位长度的第二晶粒的数量。
包括第一顶部电极第二数据存储器件

[发明专利]存储器件-CN201680016516.2有效
发明人：朴在勤;李承垠 -专利权人：汉阳大学校产学协力团
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供存储器件，上述存储器件包括磁隧道结，上述磁隧道结包括自由层、隧道结及固定层，上述自由层呈进行相互不同方向的磁化的至少两层。
存储器件

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202010598072.6在审
发明人：庄学理;江典蔚;陈家庠;施孟君;王清煌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：提供了器件和方法，其中通过磁屏蔽层使诸如磁阻随机存取存储器(MRAM)芯片的磁敏半导体芯片被屏蔽以免受磁干扰。器件包括限定外表面的壳体。半导体芯片设置在壳体内，并且半导体芯片与壳体的外表面间隔开。磁屏蔽层与半导体芯片间隔开小于5mm的距离。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]磁性存储器装置及其制作方法-CN201910484876.0在审
发明人：郭致玮;赖育聪;廖俊雄 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开一种磁性存储器装置及其制作方法，该磁性存储器装置包含第一介电层，设于基底上、第一介层插塞和第二介层插塞，设于第一介电层中、第一柱状存储器堆叠，设于第一介层插塞上、第二柱状存储器堆叠，设于第二介层插塞上，以及绝缘盖层，共形的设置在第一介电层的表面上和第一柱状存储器堆叠及第二柱状存储器堆叠的侧壁上。在逻辑区内和第一柱状存储器堆叠及第二柱状存储器堆叠之间的介层通孔形成区内未设置有所述绝缘盖层。
磁性存储器装置及其制作方法

[发明专利]一种振荡器及其制造方法-CN202010936082.6在审
发明人：王素梅;罗军;赵超;王文武;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供一种振荡器及其制造方法，在重金属层上形成有叠层柱，该叠层柱包括由隔离层隔离开的第一磁性层和第二磁性层，该第一磁性层和第二磁性层的磁化方向均位于面内。这样，第一磁性层在重金属层中的自旋轨道转矩作用下可以发生振荡，第二磁性层位于第一磁性层之上，第二磁性层可以在第一磁性层产生杂散场，通过该杂散场可以实现振荡频率的调节。
一种振荡器及其制造方法

[发明专利]一种振荡器及其制造方法-CN202010934862.7在审
发明人：王素梅;罗军;赵超;王文武;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供一种振荡器及其制造方法，在重金属层的第一表面上形成有第一磁性层，在重金属层第二表面上依次层叠有隔离层和第二磁性层，第一磁性层和第二磁性层的磁化方向均位于面内。这样，第一磁性层在重金属层中的自旋轨道转矩作用下可以发生振荡，第二磁性层与重金属层由隔离层隔开，第二磁性层在第一磁性层产生杂散场，通过该杂散场可以实现振荡频率的调节。
一种振荡器及其制造方法

[发明专利]存储器件-CN201680016553.3有效
发明人：朴在勤;李钧丽 -专利权人：汉阳大学校产学协力团
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供存储器件，在上述存储器件中，在基板上以层叠的方式形成有下部电极、种子层及磁隧道结，上述种子层至少由双重结构形成，至少一层由具有bcc结构的多结晶的导电物质形成。
存储器件

[发明专利]测量范围可调的巨磁电阻传感器及其制备方法-CN201910477142.X有效
发明人：刘明;胡忠强;周子尧;王志广;朱媛媛;段君宝;王立乾 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：测量范围可调的巨磁电阻传感器，包括基底、巨磁电阻结构和导电层；巨磁电阻结构和导电层均设置在基底上表面，且导电层设置在巨磁电阻结构的周围；巨磁电阻结构包括第一缓冲层、第二缓冲层、钉扎层、隔离层和两个铁磁层，两个铁磁层分别为被钉扎层和自由层；第一缓冲层设置在基底上表面，第一缓冲层上自下而上依次设置钉扎层、被钉扎层、隔离层、自由层和第二缓冲层，形成巨磁电阻结构。本发明利用磁电复合材料中磁各向异性场的电场调控效应，首次实现了使用电场对巨磁电阻结构中自由层的磁化方向的调节，具有灵敏度较高、体积小、功耗低、可靠性高、温度特性好、可集成化等优点。并首次将此原理应用于巨磁电阻传感器中，实现了巨磁电阻传感器线性输出范围的大幅提高和连续调节。测量范围可调的巨磁电阻传感器可用于车载电子、物联网和可穿戴设备等微型磁传感器芯片。
测量范围可调磁电传感器及其制备方法

[发明专利]磁阻效应元件-CN202010894087.7在审
发明人：佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够实现较高的MR比的磁阻效应元件。该磁阻效应元件具有层叠体，该层叠体中按顺序层叠有：基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、第二铁磁性金属层，所述基底层由氮化物构成，所述隧道势垒层由非磁性绝缘材料构成，所述隧道势垒层的晶格常数和所述基底层可采用的结晶结构的晶格常数的晶格非匹配度为5％以内。
磁阻效应元件

[发明专利]具有可调的高垂直磁各向异性的磁隧道结-CN201980020081.2在审
发明人：薛林;程志康;王晓东;马亨德拉·帕卡拉;汪荣军 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式提供了用于从设置在基板上的膜堆叠形成磁隧道结(MTJ)结构的方法，以用于磁随机存取存储器(MRAM)应用和相关联的MTJ器件。本文描述的方法包括从膜堆叠形成材料层的膜特性以产生具有足够高垂直磁各向异性(PMA)的膜堆叠。利用含铁氧化物覆盖层产生合乎需要的PMA。通过利用含铁氧化物覆盖层，可以更精细地控制覆盖层的厚度，并且减少了在磁性存储层和覆盖层的界面处对硼的依赖。
具有可调垂直各向异性隧道