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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储装置及其制造方法-CN202110184630.9在审
发明人：李炅奂;金容锡;金森宏治;皮雄焕;金炫哲;柳成原;洪载昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种存储装置包括：磁性轨道层，所述磁性轨道层在衬底上延伸，所述磁性轨道层具有二维绒毛状的折叠结构；多个读取单元，所述多个读取单元包括多个固定层和位于所述磁性轨道层与所述多个固定层中的每个固定层之间的隧道势垒层；和多条位线，所述多条位线在所述多个读取单元中的不同的读取单元上延伸，所述多个读取单元位于所述磁性轨道层与所述多条位线中的相应的位线之间。
存储装置及其制造方法

[发明专利]磁隧道结器件及其形成方法-CN202110804095.2在审
发明人：张弘郁;柯闵咏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：磁隧道结器件包括：柱结构，从底部到顶部包括底部电极和磁隧道结结构；顶部电极，位于磁隧道结结构上面；以及介电金属氧化物层，从柱结构的侧壁延伸至顶部电极的侧壁。磁隧道结结构包含包括第一铁磁材料的参考磁化层、隧道阻挡层和包括第二铁磁材料的自由磁化层。顶部电极包括包含非磁性金属元素的金属材料。可以通过在聚焦离子束蚀刻工艺之后执行氧化残留金属膜的氧化工艺来形成介电金属氧化物层，并且从柱结构的表面消除导电路径。本发明的实施例还涉及磁隧道结器件的形成方法。
隧道器件及其形成方法

[发明专利]一种三端式磁性随机存储器及其读写方法-CN201610733651.0有效
发明人：左正笏;喻涛;陈志刚;刘瑞盛;刘波 -专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种三端式磁性随机存储器及其读写方法，属于半导体存储技术领域，在应力和电场辅助的STT‑MRAM的自由层上，与辅助层接触的一面引出有第三端，在底、顶电极之间施加电场让自旋转移扭矩磁电阻随机存储器实现写入/擦除功能，在底或顶电极和第三端之间施加电场读存储状态阻值。本发明提出的三端式STT‑MRAM在读MTJ电阻状态时不经过辅助层，从而提高了MTJ存储单元的高低阻态的信号分辨能力，具有很大的应用前景。
一种三端式磁性随机存储器及其读写方法

[发明专利]一种存储模式可切换的磁随机存储器及制造方法-CN202110770061.6在审
发明人：王开友;盛宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种存储模式可切换的随机存储器，应用于数据存储技术领域，包括：两个电磁部，用于接入电流，磁记录部，设置在该两个电磁部之间，该磁记录部包括自旋轨道耦合层和磁性隧道结，该自旋轨道耦合层，用于在该电流的作用下，产生自旋流，该两个电磁部，还用于在该自旋流的作用下，产生两个磁矩指向相反的磁畴，该磁性隧道结，用于基于该两个磁矩指向相反的磁畴产生磁畴壁，钉扎区，设置在每个该电磁部与该磁记录部之间，截断区，设置在每个所述电磁部，位于与所述钉扎区相对的一侧，该磁性隧道结，还用于在该自旋流的作用下，驱动该磁畴壁进行往复运动，实现磁矩的定向反转，该电磁部还用于在该电流的作用下，使磁畴壁在其中湮灭。
一种存储模式切换随机存储器制造方法

[发明专利]一种太赫兹自旋选择性传输全硅超构器件设计方法-CN202110593048.8在审
发明人：李继涛;岳震;李杰;郑程龙 -专利权人：成都第三象限未来科技有限公司;成都能太科技有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种太赫兹自旋选择性传输全硅超构器件设计方法，包括S1、基于全硅有损材料构建基本结构，基本结构包括三个几何分布的椭圆条；S2、将S1中的基本结构进行周期延伸形成超表面。本发明强化太赫兹波与硅的相互作用，设计了自旋选择性透射全硅超表面，在太赫兹波段获得了优良的自旋选择性传输特性，圆二色性可达0.4，相比现有技术，本发明将自旋选择透射全硅超表面的圆二色性提高了30％左右。
一种赫兹自旋选择性传输全硅超构器件设计方法

[发明专利]一种基于铁磁斯格明子的二极管-CN201910426175.1有效
发明人：赵国平;赵莉;梁雪 -专利权人：四川师范大学
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基于铁磁斯格明子的二极管，包括由铁磁层、用于提供DM相互作用的重金属层、衬底层依次设置构成的铁磁赛道。在所述铁磁赛道的上下两面分别设置有用于改变压控区域的磁晶各向异性大小的金属正电极和金属负电极；在所述金属正电极、金属负电极与铁磁赛道的上下表面之间设置有绝缘电介质层；除此之外，在金属正电极和金属负电极上还设置有能够使从铁磁赛道两端运动的斯格明子产生不同运动情况的势垒区。本发明提供的二极管能耗低、尺寸小、不容易损坏。
一种基于铁磁斯格明子二极管

[发明专利]包括高介电常数帽盖层的磁阻存储器设备及其制造方法-CN202080007195.6在审
发明人： B·普拉撒度;M·凯里;A·卡利佐夫;B·特里斯 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开了磁电或磁阻存储器单元，这些磁电或磁阻存储器单元包括位于自由层和介电帽盖层之间的高介电常数介电帽盖层和/或非磁性金属粉尘层中的至少一者。
包括介电常数盖层磁阻存储器设备及其制造方法

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202110225664.8在审
发明人：朴台镇;朴哲权;金昭煐;金恩娥;金孝燮;朴素贤;韩成熙;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置，包括：衬底中间隔开的第一杂质区和第二杂质区；器件隔离图案，其位于第一杂质区与第二杂质区之间；位线接触件，其位于第一杂质区上；存储节点接触件，其位于第二杂质区上；以及介电图案，其位于位线接触件与存储节点接触件之间。器件隔离图案的侧壁的上部具有第一倾角，器件隔离图案的侧壁的下部具有与第一倾角不同的第二倾角。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]磁性存储器装置-CN202011284446.3在审
发明人：金容才;郑求训;高宽协;权倍成;南坰兑 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种磁性存储器装置，包括：下接触插塞，其位于衬底上；以及数据存储结构，其位于下接触插塞上。数据存储结构包括顺序地堆叠在下接触插塞上的底部电极、磁性隧道结图案和顶部电极。下接触插塞和数据存储结构在与衬底的顶表面垂直的第一方向上分别具有第一厚度和第二厚度。下接触插塞的第一厚度为数据存储结构的第二厚度的大约2.0倍至3.6倍。
磁性存储器装置

[发明专利]一种基于斯格明子的神经元突触的存储器件-CN202110252399.2在审
发明人：徐家伟;孟德全;赵阳;程冲;苏玉荣;杨昌平;梁世恒 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于斯格明子的神经元突触的存储器件，包括由下至上依次设置的衬底、重金属层、绝缘势垒层和电极层组成，为三明治结构。本发明有望实现神经元突触中的多态神经递质，为人工智能中的人工神经网络领域里新型神经元突触存储器件开发提供物理基础。
一种基于明子神经元突触存储器件

[发明专利]用于形成用于MRAM应用的结构的方法-CN201980076331.4在审
发明人：曾信伟;朴赞道;安在洙;薛林;马亨德拉·帕卡拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式提供了用于针对混合式(或称集成式)自旋轨道矩磁性自旋转移矩磁性随机存取存储器(SOT‑STT MRAM)应用在基板上制造磁性隧道结(MTJ)结构的方法及装置。在一个实施方式中，该方法包括：一个或多个磁性隧道结结构，设置在基板上，该磁性隧道结结构包括第一铁磁性层及第二铁磁性层，该第一铁磁性层及该第二铁磁性层将隧穿阻挡层夹在中间；自旋轨道矩(SOT)层，设置在该磁性隧道结结构上；及后端结构，设置在该自旋轨道矩(SOT)层上。
用于形成 mram 应用结构方法

[发明专利]磁阻效应元件-CN202011519004.2在审
发明人：市川心人;犬伏和海;中田胜之 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻效应元件，包括：第一强磁性层、第二强磁性层和位于所述第一强磁性层和所述第二强磁性层之间的非磁性层，所述第一强磁性层和所述第二强磁性层中的至少一者从靠近所述非磁性层的一侧依次具有第一层和第二层，所述第一层包含结晶化了的Co基哈斯勒合金，所述第二层至少一部分结晶化，并含有强磁性元素、硼元素和添加元素，该添加元素是选自由Ti、V、Cr、Cu、Zn、Zr、Mo、Ru、Pd、Ta、W、Ir、Pt、Au构成的组中的任何元素。
磁阻效应元件

[发明专利]电子设备-CN202010870365.5在审
发明人：李泰荣;金国天;金秀吉;文民锡;林钟久;郑星雄 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：电子设备可以包括半导体存储器，并且所述半导体存储器可以包括多层合成反铁磁(Multi SAF)结构，该结构包括第一铁磁性层、第二铁磁性层以及插置在所述第一铁磁性层与第二铁磁性层之间的间隔物层，其中所述间隔物层可以包括n个非磁性层和n‑1个磁性层，它们被设置为使得该n个非磁性层中的每一个与该n‑1个磁性层中的每一个交替地层叠，其中n表示等于或大于3的奇数，其中n‑1个磁性层和n个非磁性层可以被配置为与第一铁磁性层和第二铁磁性层中的至少一个产生反铁磁交换耦合。
电子设备

[发明专利]一种磁性隧道结垂直各向异性场增强层及随机存储器-CN201911265734.1在审
发明人：张云森;郭一民;麻榆阳;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明涉及磁性随机存储器领域，特别涉及一种磁性隧道结垂直各向异性场增强层；所述垂直各向异性场增强层设置于磁性随机存储器存储单元，所述垂直各向异性场增强层为通过溅射沉积工艺形成的第一垂直各向异性场增强层以及通过第二垂直各向异性场增强层的双层结构，所述第一垂直各向异性场增强层通过第二垂直各向异性场增强层HCP晶系晶向的模板作用增强自由层的垂直各向异性场；本发明有利于MRAM电路读/写性能的提升，有利于其磁场免疫能力的提升，有利制作超小型的MRAM电路，具有很强的市场应用前景。
一种磁性隧道垂直各向异性增强随机存储器

[发明专利]具对称双势垒层的磁性隧道结结构及磁性随机存储器-CN201911098302.6在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本申请提供一种具双势垒层结构的磁性隧道结结构及磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括双层自由层结合反铁磁耦合结构设计，结合设置于自由层上下两侧的双势垒层及延伸的对称结构。本申请通过对称结构设计与双自由层设计，有助提升热稳定性。通过双势垒层设计，在不增幅总体电阻面积的同时保持稳定且足够的隧穿磁阻率。通过反铁磁耦合调控层实现两自由层的反铁磁耦合，有效地增加总磁矩的垂直各向异性，并降低在自旋激化写电流下的翻转过程中出现的退磁场，从而能够在保证热稳定性条件下降低临界电流。非常有利于MRAM电路读/写性能的提升与超小型MRAM电路的制作。
对称双势垒层磁性隧道结构随机存储器

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