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[发明专利]磁存储装置-CN202210208846.9在审
发明人：富冈和广 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：实施方式提供包括具有优异的特性的磁阻效应元件的磁存储装置。实施方式的磁存储装置具备：下部电极；层叠结构，设置于所述下部电极上，包括具有可变的磁化方向的第1磁性层、具有固定了的磁化方向的第2磁性层及设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层；第1侧壁绝缘层，设置于所述下部电极的侧壁，含有预定元素及氧即O；及第2侧壁绝缘层，设置于所述层叠结构的侧壁，含有所述预定元素及氧即O。
存储装置

[发明专利]磁存储装置及磁存储装置的制造方法-CN202210215224.9在审
发明人：吉野健一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：实施方式提供能抑制磁阻效应元件的劣化并将磁阻效应元件以高纵横比配置的磁存储装置及磁存储装置的制造方法。一实施方式的磁存储装置具备沿第1方向延伸的第1导电体及第2导电体、在第1导电体及第2导电体的上方沿第2方向延伸的第3导电体及第4导电体、以及在第1导电体与第3导电体之间、第1导电体与第4导电体之间及第2导电体与第3导电体之间分别设置的第1层叠体、第2层叠体及第3层叠体。第1层叠体、第2层叠体及第3层叠体各自的截面形状是圆形状，从第1层叠体与第3层叠体之间的第1部分的上表面到第1面为止的高度及从第2层叠体与第3层叠体之间的第2部分的上表面到第1面为止的高度是第1高度的90％以上且110％以下的高度，第1高度是第1部分的上表面的高度及第2部分的上表面的高度的平均高度。
存储装置制造方法

[发明专利]一种封装结构及磁性芯片封装件-CN202110259710.6在审
发明人：鲁鹏棋;赵京升 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种封装结构及磁性芯片封装件，该封装结构用于封装具有引脚的磁性芯片塑封件。通过采用第一封装件及第二封装件包裹磁性芯片塑封件的六个面，在磁性芯片塑封件外再额外加设由高磁导率材料制成的封装件，提高对磁性芯片的磁屏蔽效果。每个封装件均具有一个连接板及一体的两个折弯板，通过将两个封装件能够嵌套在一起，即可包裹磁性芯片塑封件的六个面。可以先预制好封装件，将两个封装件直接嵌套在一起即可完成装配。由第一封装件及第二封装件围成用于将引脚穿设于封装结构外的引脚孔，只需控制封装件的长度及宽度尺寸，使嵌套在一起时，两个封装件的边缘能够围成引脚孔即可。在加工封装件时，无需进行开孔工艺，简化封装件的加工。
一种封装结构磁性芯片

[发明专利]磁器件-CN202210181402.0在审
发明人：唐振尭;盐川阳平;佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明的该磁器件具备层叠体和绝缘体，所述层叠体具备第一铁磁性层、第二铁磁性层、和被所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层夹持的非磁性层，所述绝缘体覆盖所述层叠体的侧面的至少一部分，所述绝缘体在相较于所述层叠体的侧面的更靠外侧具有空间。
器件

[发明专利]基于钙钛矿型金属有机-框架材料的磁电存储器存储单元-CN202210510921.7在审
发明人：王晨宇;李瑞昭;徐兴亮 -专利权人：浙江科技学院
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于钙钛矿型金属有机‑框架材料的磁电存储器存储单元，本发明通过控制第二铁磁层(3)的磁化方向存储二进制信息，并由第一铁磁层(1)读取，通过第二铁磁层(3)与底电极层(5)施加电压穿过铁电‑反铁磁层(4)，铁电‑反铁磁层(4)在电场的作用下通过磁电耦合效应实现第二铁磁层(3)偏转，从而写入存储信息。本发明的磁电耦合效应更强，更易进行信息的存储，进一步减小了能耗。
基于钙钛矿型金属有机框架材料磁电存储器存储单元

[发明专利]磁隧道结及降低磁隧道结自由层工艺波动的方法-CN201910741890.4有效
发明人：孙一慧;孟凡涛 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供一种磁隧道结，至少包括依次层叠的参考层、势垒层、磁性缓冲层和自由层；其中，所述磁性缓冲层的延展性比所述自由层的延展性强。本发明通过在势垒层表面增加一层薄的磁性缓冲层，利用其较好的延展性提供更平整的基底，使随后沉积的自由层薄膜的均一性更好，且不会损害磁隧道的TMR效应。
隧道降低自由工艺波动方法

[发明专利]基于钙钛矿型异质结衬底及锯齿型隧穿异质结的自旋轨道动量矩磁存储器-CN201911288639.3有效
发明人：魏凤华;王伟;丰媛媛 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种基于钙钛矿型异质结衬底及锯齿型隧穿异质结的自旋轨道动量矩磁存储器，该自旋轨道动量矩磁存储器由上到下包括顶电极、反铁磁金属层、SOT‑MTJ和衬底，所述SOT‑MTJ包括由上至下依次设置的参考层、隧穿势垒层、重金属层Ru、自由层，所述隧穿势垒层为两层氧化物混合的不均称锯齿结构，衬底为两层钙钛矿型氧化物异质结的结构。通过在基板上生长双分子层，可以控制磁易轴稍微偏离z方向，从而实现电流诱导的无场磁化。通过读写分离的操作，解决了传统的MRAM所存在的问题，实现了无需外部磁场即可进行读写，加快了非易失存储器领域发展的步伐。
基于钙钛矿型异质结衬底锯齿型隧穿异质结自旋轨道动量矩磁存储器

[发明专利]一种自旋电子器件及其制备方法-CN201711420193.6有效
发明人：潘孟春;邱伟成;李裴森;彭俊平;胡悦国;胡佳飞;陈棣湘;田武刚;张琦 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋电子器件及其制备方法，该器件包括从上至下依次设置的第一铁磁层、二维超晶格复合势垒层和第二铁磁层。具有可对不同自旋注入效率进行精准偏压调控，具有更好的偏压特性、电阻可控性及磁传感特性，结构紧凑、体积小、响应快、功耗低，制备灵活、能够进行大尺寸阵列器件制备、成本低等优点。
一种自旋电子器件及其制备方法

[发明专利]半导体装置-CN202210306503.6在审
发明人：黄致凡;郑凯文;黄镇球;陈殿豪;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体装置。半导体装置包含位于半导体基板上的第一导电特征部件、位于第一导电特征部件上的底部电极、位于底部电极上的磁性穿隧接面堆叠以及位于磁性穿隧接面堆叠上的顶部电极。间隔物接触顶部电极侧壁、磁性穿隧接面堆叠的侧壁以及底部电极的侧壁。导电特征部件接触顶部电极。
半导体装置

[发明专利]基于磁性多层膜结构的斯格明子存储器件-CN202110442700.6有效
发明人：袁野;王伟;王元 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种基于磁性多层膜结构的斯格明子存储器件。该存储器件包括：半金属层、缓冲层和铁磁层；所述缓冲层的厚度由一边向对应的对边呈线性递增或递减，使所述缓冲层与所述铁磁层的接触面，相对于与所述半金属层的接触面的倾斜度为15°‑20°，所述铁磁层的厚度由一边向对应的对边呈线性递增或递减，使所述铁磁层与所述缓冲层的接触面，相对于所述半金属层的倾斜度为15°‑20°，所述铁磁层的表面相对于所述半金属层的倾斜度为10°‑15°，所述半金属层采用的材料为Weyl半金属，可以增加磁性作用，并产生室温下稳定的斯格明子，可在室温下形成斯格明子存储器件，从而降低了存储器件的运行功耗，极大提高存储器件的稳定性和运行速度。
基于磁性多层膜结构明子存储器件

[发明专利]基于底电极平行向电压控制的SOT-MRAM及制造方法-CN202110453425.8有效
发明人：杨美音;罗军;崔岩;许静 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于底电极平行向电压控制的SOT‑MRAM及制造方法，属于半导体器件及其制造技术领域，解决了现有技术中SOT‑MRAM难以实现便于集成和产业化的磁矩定向翻转的问题。包括铁电薄膜层，设置有两个金属电极，通过两个金属电极向铁电薄膜层施加第一电压；底电极，位于铁电薄膜层之上并设置于铁电薄膜层中部，呈长条形，在底电极两端施加第二电压；隧道结，位于底电极之上并设置于底电极中部，包括由下至上依次层叠的自由层、隧穿层和参考层；其中，两个金属电极相对设置在铁电薄膜层相对的两个边缘上，并位于所在边缘中线的一侧，且两个边缘位于底电极短边方向的两侧，通过所述两个金属电极施加第一电压的方向与底电极长边方向平行。
基于电极平行电压控制 sot mram 制造方法

[发明专利]具有全包围结构的磁性隧道结-CN202080088298.X在审
发明人： K·贾比尔;D·沃利奇;孙赞红;P·哈希米 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种磁性隧道结(MTJ)器件(200)包括圆柱形柱结构和被设置在柱结构的至少一部分上的第一铁磁层(204)。第一铁磁层(204)呈现出在施加的偏置和热中的至少一者存在的情况下可改变的磁化。MTJ器件(200)还包括被设置在第一铁磁层(204)的至少一部分上的电介质阻挡层(206)和被设置在电介质阻挡层(206)的至少一部分上的第二铁磁层(202)。第二铁磁层(202)呈现出固定的磁化。MTJ器件(200)被配置为使得第一和第二铁磁层(202、204)以及电介质阻挡层(206)同心地围绕柱结构。
具有包围结构磁性隧道

[发明专利]具有氧化控制层的半导体器件-CN202111596582.0在审
发明人：朴相奂;金英铉;金哉勋;申喜珠;吴世忠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：基板；在基板上的下电极；在下电极上的磁隧道结结构，该磁隧道结结构包括依次堆叠的钉扎层、隧道势垒层和自由层；在磁隧道结结构上的上电极；以及在自由层和上电极之间的氧化控制层，该氧化控制层包括至少一个过滤层和至少一个氧化物层，其中所述至少一个过滤层包括MoCoFe。
具有氧化控制半导体器件

[发明专利]具有有机磁阻效应的分子电子器件及其应用-CN201911206589.X有效
发明人：王冬;丁帅帅;于曦;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有有机磁阻效应的分子电子器件及其应用，分子电子器件为层状结构，从下至上依次为第一碳层、有机分子层、第二碳层和金层，所述第一碳层中的横截面包括之间形成有间隔的多个平行的第一长方形，所述第二碳层的横截面包括之间形成有间隔的多个平行的第二长方形，所述第一长方形的长度方向与所述第二长方形的长度方向垂直，所述金层的横截面与所述第二碳层的横截面重合。本发明分子电子器件的碳分子结具有有机磁阻现象，在施加磁场后，分子电子器件具有相对于正负磁场高度对称的正磁电阻特性。
具有有机磁阻效应分子电子器件及其应用

[发明专利]自旋轨道矩磁性器件、磁性隧道结器件及磁存储器-CN202010384553.7有效
发明人：王子路;赵巍胜;曹凯华;乔俊峰 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种自旋轨道矩磁性器件、磁性隧道结器件及磁存储器，该自旋轨道矩磁性器件包括：第一磁性自由层、金属耦合层以及第二磁性自由层，所述金属耦合层设置在所述第一磁性自由层的上方，所述第二磁性自由层设置在所述金属耦合层上方；所述第一磁性自由层和所述第二磁性自由层具有垂直磁各向异性；所述金属耦合层用于提供交换相互作用以使所述第一磁性自由层和所述第二磁性自由层实现反铁磁耦合。
自旋轨道磁性器件隧道磁存储器